半导体清洗设备介绍

,*,半导体清洗设备介绍,（内部学习资料）,第八研究室,2008.10,半导体,清洗,设备介绍,名词：,清洗槽化学槽恒温槽预热槽,石英槽腐蚀槽 QDR槽 超声槽,兆声槽冷凝盖 在线加热 晶舟,承载器 花篮 传递盒,半导体清洗设备介绍,半导体清洗设备介绍,半导体清洗设备介绍,本体清洗槽管路系统气路系统,在线加热系统恒温系统,循环过滤系统照明控制系统,排风系统安全警示安全保护装置,设备构造,设备构造,设备构造,设备构造,设备构造,常用材料,聚丙烯,PP 100,聚氯乙烯,PVC 60,铁氟龙,PTFE 260,聚偏二氟乙烯,PVDF 140,聚乙烯,PE 60,石英,全氟烷氧基化合物,PFA 260,硅片清洗液,序号 名称 配方 工作温度 作用,1 SPM清洗 H2SO4:H2O2=4:1 110C-130C 去除光阻、颗粒及金属离子,2 SC-1清洗 NH4OH:H2O2:H2O=1:1:5 70C-90C 去除有机污(APM)物、颗粒,及金属离子,3 SC-2清洗 HCL:H2O2:H2O=1:1:6 70C-90C 去除有机污染(HPM)物、,颗粒及金属离子,4 DIO3清洗 O3:H2O 低温下 去除有机污染物、颗粒及,金属离子,5 DHF清洗 HF（1%）22 去除氧化物、金属以及深度腐蚀,6 SOM清洗 H2SO4:O3=4:1 110C-130C 去除光阻、颗粒及金属离子,硅片的腐蚀（蚀刻）,序号 名称 工作温度 作用,1 BHF HF:NH4OH:H2O 22 二氧化硅蚀刻,2 BOE HF:NH4F:/1:200400 22 二氧化硅蚀刻,3 ACID Etch HNO3/CH3COOH/H2O(1:1:20)常温 铜（Cu）（用于,多晶硅的蚀刻）,4 Organic acids NH4OH/H2O,H3PO4/H2O2 常温 GaAs蚀刻（用于,多晶硅的蚀刻）,5 Organic acids H3PO4/HNO3/CH3COOH 160 Mo蚀刻（用于多,晶硅的蚀刻）,6 Organic acids Ce(NH4)2(NO3)6/HNO3或HclO4 常温 Cr蚀刻（用于多晶,硅的蚀刻）,影响清洗效果的因素,清洗液,洁净度/浓度/配比/温度,前道工序,设备材料/洁净度/环境洁净度/传递过程,其中刻蚀精度与控温精度及均匀性有关,完备的生产加工能力,钣金加工中心,机械加工中心,塑料加工中心,电器控制要求,电器元件与操作空间要隔离,不得与化学氛围相接触,.,且应充氮气以防腐蚀,.,在化学氛围中的控制需采用气动方式,.,在有易燃易爆化学品时,一定要选用防爆器件,.,安全事项,电器部分,自动控制中各功能的互锁性,加热的温度保护,材料的合理选择,局部易燃区应用防火材料,排风量的监测,安全警示,生产环境要求,洁净厂房,包装运输,包装的洁净、可靠，运输平稳,化学操作台,设备型号：SDX-5825,设备总体尺寸:190011001900,设备型号：SDX-5A25,设备总体尺寸:270011001900,谢 谢,