第2-1元器件选用概述课件

,单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,第2章 电子元器件的选用,1,第2章 电子元器件的选用1,本章概要,元器件质量等级,元器件选择要点,元器件降额应用,2,本章概要元器件质量等级2,质量与可靠性标准,国家标准GB,国家军用标准GJB,电子行业标准SJ,七专技术条件QZT（专批、专技、专人、专机、专料、专检、专卡，QZJ8406）,质量与可靠性规范,中国军用电子元器件合格产品目录（JQPL）,中国军用电子元器件合格制造厂一览表（JQML）,中国电子元器件质量认证委员会认证合格产品（IECQ）,优选元器件清单（PPL，如美国军用电气、电子、机电元件清单MIL-STD-975M）,使用规范与用户手册,2.1 元器件质量等级,国产元器件的质量规范,3,质量与可靠性标准2.1 元器件质量等级 国产元器件的质量规范,级（特军级）,A2级：单片0.1,A3级：单片0.25，混合0.5,B级（普军级）,B1级：单片0.5，混合1.0,B2级：单片1.0，混合3.0,C级（民用级）,C1级：单片4.0，混合8.0,C2级：单片14.0（塑料封装）,2.1 元器件质量等级,国产集成电路质量等级,4,级（特军级）2.1 元器件质量等级 国产集成电路质量等级,使用时应依据,的顺序选用：,I：列入军用电子元器件QPL、QML表的产品,II：工程应用效果良好，近期有生产供货的产品,III：近年按国家军用电子元器件新品研制计划完成的新品,2.1 元器件质量等级,国产元器件的优选等级,5,使用时应依据 的顺序选用：2.1 元器件质量等级,宇航级,S级：0.25,S-1：0.75,军用级,B级：1.0,B-1级：2.0,B-2级：5.0,民用级,D级：10.0,D-1级：20.0,工作温度范围,军用：-55+125,工业用：-40+85,商业用：0,+70,2.1 元器件质量等级,美国集成电路的质量等级,6,宇航级 工作温度范围2.1 元器件质量等级美国集成,详细规范及符合的标准（国军标、国标、行标、企标）,质量等级（GJB/Z299B)与可靠性水平（失效率、寿命等）,认证情况（QPL、QML、PPL、IECQ）,成品率、工艺控制水平和批量生产情况（SPC）,采用的工艺和材料（最好能提供工艺控制数据和材料参数指标）,可靠性试验数据（加速与现场，环境与寿命，近期及以往）,使用手册与操作规范,2.1 元器件质量等级,供货商应提供的可靠性信息,7,详细规范及符合的标准（国军标、国标、行标、企标）2.1 元器,尽量选用标准和通用器件，慎重选用新品种和非标准器件,尽量压缩元器件的品种、规格及生产厂点,多选用集成电路，少选用分立器件,不用无功能及质量检测手段的器件,注重器件制造技术的成熟性（长期、连续、稳定、大批量，成品率高）,考查生产厂家的工艺水平、质量控制能力和产品信誉,选用能提供完善的可靠性应用指南或规范的器件,2.2 元器件选择要点,品种型号的选择原则,8,尽量选用标准和通用器件，慎重选用新品种和非标准器件2.2 元,以集成电路为例：,最小线条：0.35,0.25,0.180.13um,衬底材料：,CMOS,SOISiGeGaAsSiC,互连材料：CuAl（国外先进工艺）,AlCu（国内现有工艺）,钝化材料：SiNPSG聚烯亚胺,无机有机,键合材料：AuAl(Si）,电路形式：数/模分离数/模合一,RF/BB分离RF/BB合一,2.2 元器件选择要点,考察器件制造工艺水平,键合材料与引线机械强度的关系,9,以集成电路为例：2.2 元器件选择要点 考察器件制造工艺,对于设备关键部位和国家重点工程所用的国外集成电路要通过MIL-STD883试验，分立半导体器件的质量要符合MIL-S-19500的要求,供货渠道可靠的品牌公司或国内代理商,在产品长期使用中质量稳定可靠的老供货商,能提供委托方的产品质量证明或试验检测报告的供货商,无不合格的性能指标参数,不是已停止生产或不再供货的产品,2.2 元器件选择要点,国外元器件选用,10,对于设备关键部位和国家重点工程所用的国外集成电路要通过MIL,质量、成品率与可靠性,质量：出厂检验或老化筛选中发现的有缺陷器件数,成品率：批量器件中的合格器件数,可靠性：经历一年以上的上机时间后的失效器件数,一般而言，器件的质量与成品率越高，可靠性越好。但质量与成品率相同的器件，可靠性并非完全相同,11,质量、成品率与可靠性质量：出厂检验或老化筛选中发现的有缺陷器,塑料封装：成本低，气密性差，吸潮，承受功率小，易老化，不易散热,陶瓷封装：气密性好，耐高温，承受功率大，成本高,金属封装：气密性好，耐高温，承受功率较大，屏蔽效果好，成本高,2.2 元器件选择要点,封装的选择:封装材料,12,塑料封装：成本低，气密性差，吸潮，承受功率小，易老化，不易散,有引脚元件：寄生电感1nH/mm/引脚（越短越好），寄生电容4pF/引脚,无引脚元件：寄生电感0.5nH/端口，寄生电容0.3pF/端口,表面贴装放射状引脚轴面平行引脚,2.2 元器件选择要点,封装的选择:管脚形式,13,有引脚元件：寄生电感1nH/mm/引脚（越短越好），寄生电容,SMT,有利于可靠性的原因,引线极短：降低了分布电感和电容，提高了抗干扰能力,机械强度高：提高了电路抗振动和冲击的能力,装配一致性好：成品率高，参数离散性小,2.2 元器件选择要点,封装的选择:表面贴装,14,SMT有利于可靠性的原因2.2 元器件选择要点 封装的选,引线涂覆形式的选择,镀金：环境适应性好，易焊性佳，成本高,镀锡：易焊性好，环境适应性一般，成本中等,热焊料浸渍涂覆：质量最差,内部钝化材料的选择,芯片表面涂覆有机涂层或有机薄膜：慎用,芯片表面淀积有无机材料薄膜：可用,内部气氛,真空封装：抗辐照，对管壳密封性要求高,惰性气体封装：易形成污染及电离气体，有利于抵抗外界气氛侵入,2.2 元器件选择要点,引线及钝化材料的选择,15,引线涂覆形式的选择2.2 元器件选择要点 引线及钝化材料,二极管与三极管,慎用锗管（工作温度范围小）,慎用点接触器件（机械强度差）,VDMOS功率管优于双极功率管（安全工作区大，无二次击穿，功耗小，速度快）,电压、电流、功率留有足够的余量,集成稳压器,线性稳压器开关电源,线性稳压器带输出过流保护和芯片热保护,开关稳压器不带串联调整管,2.2 元器件选择要点,晶体管与稳压器的选择,16,二极管与三极管2.2 元器件选择要点 晶体管与稳压器的选择,CMOSNMOSTTL,能用低速的就不用高速的，高速器件只用在关键的地方,能用集成度高的就不用集成度低的,不同类型的同类电路（如CMOS和TTL逻辑电路）不宜混用，以防延迟时间不同造成干扰,输入抗干扰能力要强（带施密特触发器或线接收器）,输出驱动能力要强（带缓冲器或线驱动器）,Mask ROMEPROMEEPROMFlash ROM,2.2 元器件选择要点,数字集成电路的选择,17,CMOSNMOSTTL2.2 元器件选择要点 数字集,上升/下降时间为1ns的理想60MHz方波的频谱,在满足电路要求的前提下，采用尽可能低的时钟频率,2.2 元器件选择要点,时钟频率的选择,18,上升/下降时间为1ns的理想60MHz方波的频谱 在满足电路,电源与地的引脚较近,多个电源及地线引脚,输出电压波动性小,电源瞬态电流低,开关速率可控,I/O端口与传输线匹配,差动信号传输,地线反射较低,对ESD及其它干扰现象的抗扰性好,输入电容小,输入级驱动能力不超过实际应用的要求,2.2 元器件选择要点,电磁兼容性好的IC,19,电源与地的引脚较近2.2 元器件选择要点 电磁兼容性好,集成运算放大器,差模与输入极限电压尽量高,带输入、输出、电源端保护电路,转换速率够用即可,数据采集电路,优先选择CMOS开关,数据采集系统中应选“先断后通”型，以防各信号源相互短路,放大器增益控制则应选择“先通后断”型，以防运放瞬时短路,带输入过载保护,采样/保存电路,信号变化速率较高：选孔径时间较少的品种,保存时间较长：选保持状态漏电小的品种,采样频率较高：选捕获时间足够小的品种,精度要求较高：选电荷转移足够小的品种,2.2 元器件选择要点,模拟集成电路的选择,20,集成运算放大器2.2 元器件选择要点 模拟集成电路的选择,金属膜RJ：环境温度范围宽（55125），噪声小，精度高,碳膜RT：环境温度范围小（金属膜线绕 干扰性：线绕金属膜碳膜,2.2 元器件选择要点,电阻器的选择,21,金属膜RJ：环境温度范围宽（55125），噪声,失效率：涤纶聚苯乙烯玻璃釉瓷片密封纸介金属化纸介固体钽电解液体钽电解液体钽电解铝电解,带负荷能力：无机介质高分子有机介质电解,2.2 元器件选择要点,电容器的选择,22,失效率：涤纶聚苯乙烯玻璃釉瓷片密封纸介金属化纸介,瓷介电容器的选择,类型,COG、NPO,X7R,Y5V、Z5U,温度系数（额定工作范围）,0,70%,容量随工作电压的变化（最大值）,0,30,70,介电常数（相对值）,10100,20004000,500025000,23,瓷介电容器的选择类型COG、NPOX7RY5V、Z5U温度系,