EDA第七章分析

Click to edit Master text styles,Second level,Third level,Fourth level,Fifth level,*,*,第七章 微波把握电路,1,微波把握电路依据其用途分类，主要包括以下三种状况：,微波信号传输路径通断或转换微波开关,把握微波信号的幅度大小电控衰减器，限幅器等。,把握微波信号的相位数字移相器。,7.1,引言,2,PIN二极管构造,7.2 PIN二极管的根本特性,3,PIN管的工作机理是：在零偏压时，由于集中作用，P区的空穴和N区的电子分别向I区集中后复合，这样在I区边界四周建立起一电场。由于这一建立起来的电场阻碍空穴和电子连续向I层注入，因此最终会到达动态平衡，因此本征区处于不导电状态，在加反向偏压时，不导电的程度更甚。但是在微波频率的特性却有很大差异。,正反偏置下微波信号作用于,PIN,二极管,PIN,结特性,4,结论：,PIN,管在直流电压作用下，零偏压呈现高阻，反向偏压时阻抗加大，正偏时呈现低阻，且偏流越大，阻值越低。在微波信号作用下管子的阻抗主要取决于直流偏置的极性和大小，而与微波信号幅度几乎无关。,5,a正向等效电路 b正向简化电路，定性分析时可等效为短路,c反偏I层未全部耗尽时等效电路 d反偏I层全部被耗尽等效电路,定性分析时可等效为开路,PIN,二极管管芯等效电路,6,通断开关，如单刀单掷SPST开关，其作用是把握传输系统中微波信号的通断；其典型应用为微波信号源用的脉冲调制器；,转换开关，如单刀双掷SPDT开关。其典型应用为雷达放射机和接收机共用天线的收发转换开关。,从电路形式分有：串联型开关、并联型开关、串/并联型开关；,7.3,微波开关,7,a串联型 b并联型,单刀单掷开关SPST,8,PIN管实际上存在有确定数值的电抗及损耗电阻，因此开关电路在导通时衰减不为零，称为正向插入损耗L，定义是开关导通时传到负载的实际功率与抱负开关传到负载的功率之比：,式中，输入信号的信源资用功率；,输出功率。,开关在断开时衰减也并非无穷大，称之为隔离度，当 为开关断开时负载上的实际功率时，上式表示开关的隔离度。,插入损耗和隔离度,9,串联型：,单刀单掷开关设计,通：,断：,插损小,电阻小,器件截面积大,隔离度,电容小,器件截面积小,单刀单掷开关的设计要在隔离度和插损间折衷考虑,10,a串联型 b并联型,c串联等效电路 d并联等效电路,插入损耗和隔离度计算,用二端口网络参量表征开关网络特性，则 ，所以,11,由单元元件S参数S21定义，可得串、并联型开关的插入损耗分别是,式中，,插入损耗和隔离度计算,12,多管单路开关：即承受多管单路形式以改善开关隔离度。,改善开关隔离度,a并联型开关电路 b串联型开关电路,两只,PIN,二极管组成的开关电路,13,两管并联组成的并联开关可视为两只级联的PIN管并联开关，其A参数归一化矩阵可写为,依据二端口网络A矩阵与S矩阵的换算关系可得,dB,多管单路开关插入损耗和隔离度,14,单刀双掷开关SPDT,技术指标：插损、隔离度。,放射电路,低频信号,天线,接收电路,低频信号,开关,15,SPDT,开关设计,设计目标：插损小、隔离度大。,并联型：,插损小,电容小,器件截面积小,隔离度大,电阻小,器件截面积大,SPDT,开关的设计要在隔离度和插损间折衷考虑,16,单刀双掷开关SPDT,17,吸取式开关SPDT,反射式开关：断开时能量反射回去,吸取式开关：断开时能量被吸取掉,吸取负载,输入,开关,输出,18,开关的其他技术指标,开关时间：微波开关的开关时间大约在几十,ns,量级。,功率容量：定义了开关所能通过的最大微波,功率，超过这一功率开关可能会,被烧掉。,19,MESFET开关是三端器件，由栅压把握开关状态，典型开关特性是负偏压时 ，栅偏压大于截止电压，对应高阻抗状态；零栅压时对应低阻抗状态，都处于器件的线性工作区。不管器件处于导通和截止的哪种状态，均不需直流偏置功率，因此可归入无源部件类。,MESFET,微波开关,20,MESFET,开关电路原理图,21,a10W放射-接收开关原理图,22,aSPST电路 bSPDT电路,毫米波开关电路,毫米波开关电路,23,24,25,微波集成移相器分类,7.4微波电压把握移相器,26,要有确定的相移量，且移相精度高；,相移变化时要求开关转换时间短，驱动信号功率小；,在工作频带内，输入驻波比低，插入衰减小；,构造小型化，电控性能好。,微波电压把握移相器的根本要求,27,工作频带：指移相器的技术指标下降到允许边值时的频率范围。,相移量：指输入信号和输出信号的相位差。,相移精度：对于一个固定频率点，相移量各步进值围绕各中心值有确定偏差；在频带内不同频率时，相移量又有不同数值。相移精度指标有时承受最大相移偏差来表示，也就是各频率点的实际相移和各步进值的最大偏差值；有时给出的是均方根误差，则是指各步进值相位偏差的均方根值。,移相器开关时间：移相器是由微波开关构成，所以移相器的开关时间根本上取决于开关的转换时间。,寄生调幅：,移相器的技术指标,28,a移相器电路 b、c等效电路,微带加载线型移相器,加载线型移相器,29,从网络的A矩阵动身有,图b电路应与图c电路等效，而图c电路的A矩阵可写为,30,比较两式矩阵元素应相等，可得,由此可求相移量,31,反射型移相器电原理图,反射型移相器,32,两种典型反射型移相器原理图,33,设D1和D2正偏时呈现电阻 ，反偏时呈现电抗 结电容 ，无视电阻 。计算器件在两种状态下的反射系数为 和 ，两者的相移为,34,开关网络移相器,35,由 型网络组成的开关网络移相器,36,依据网络的归一化A矩阵，有,式中，和 分别为电抗和电纳的归一化值。,网络的传输系数S21用归一化A矩阵参数表示为,传输线相位为,37,当开关转换时，低通滤波网络变为高通滤波网络，和 同时转变符号，相移的大小不变，但符号转变。,38,用电信号把握衰减量的衰减器称为电调衰减器。,在电调衰减器中，电控信号大多是连续可调的，以实现衰减量的连续可调。,电调衰减器主要用于电路系统的自动增益把握、放大器增益变化的温度补偿等。,电调衰减器既可以是连续可调的，也可以是数字式的。,电调衰减器可以承受PIN二极管或各种三极管来实现。,7.5,微波电调衰减器,39,衰减动态范围：指最大衰减量用dB表示和最小衰减量用dB表示之差。,衰减线性度：衰减与外加偏压呈线性关系。,驻波比：反射型衰减器驻波比很差，需外加隔离器使用。吸取型衰减器驻波比好，性能优越，应用广泛。,衰减频带与平坦度：电调衰减器的衰减频带是指在频带内各频率点处的衰减量全都，在衰减量转变时，仍能保持均匀衰减。平坦度是指工作频带内衰减量的起伏，常常用最大起伏来表示平坦度的优劣。,功率范围：电调衰减器承受功率的范围。,衰减器的主要技术指标,40,电控衰减器依据产生衰减的物理缘由可分成反射型和吸取型。在反射型衰减器中，衰减主要由PIN管的反射形成，在吸取型衰减器中，衰减则主要由PIN管的损耗形成。,图中网络的衰减为,衰减器原理图,PIN,二极管衰减器,41,型衰减器,图中电阻R1和R2分别代表三个PIN管，从AA截面对右看的阻抗为ZA，为了实现输入端匹配，则应有,PIN,管连成的,形衰减器等效电路,式中，,典型的电调衰减器电路,42,令,型电阻网络的输入电压与输出电压之比为,K,，其化简后的结果为,电阻,R,1,和,R,2,的值可以用特性阻抗,Z,0,和,K,值表示为,43,由一样的PIN管组成的如以下图的衰减器电路，在中心频率上，正偏时其反射为零，即不管Rf为何值，输入端始终匹配，因此这种电路称为匹配型衰减电路。,窄频带匹配型衰减器,44,3dB,定向分支线耦合器型电调衰减器,45,三路混合式电控衰减器,46,a并联PIN管阵列 b衰减器等效电路 c单节等效电路,渐变元件阵列式衰减器,47,限幅器是一种自控式衰减器，其衰减量由微波信号本身来把握,抱负的限幅器在低输入功率时没有衰减，当输入的微波信号功率超过某一规定功率门限功率时，产生很大衰减。,限幅器输出功率的上限根本保持在门限功率四周。,7.5,微波限幅器,48,限幅器门限电平,插入损耗,隔离度,主要技术指标,49,