模拟电路基础教程课件

单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,绪 论,1.电子技术的现状与发展趋势,2.电子技术的应用范围,3.本课程与其它专业课的关系,4.电子技术基础学习特点,绪 论1.电子技术的现状与发展趋势2.电子技术的应用范围3.,1,参考书：,模拟电子技术基础（第四版）：,清华大学童诗白、华成英主编,2.电子技术基础（模拟部分第四版）：,华中理工大学康华光主编,参考书：模拟电子技术基础（第四版）：2.电子技术基,2,1.1 半导体的基本知识,1.2 PN结,1.3 半导体二极管,第一章 晶体二极管,1.1 半导体的基本知识第一章 晶体二极管,3,1.1 半导体的基本知识,1.1.1 本征半导体及其导电性,1.1.2 杂质半导体,1.1.3 半导体的温度特性,根据物体导电能力(电阻率)的不同，来划分导体、绝缘体和半导体。,半导体的电阻率为10,-3,10,9,cm,。典型的半导体有硅,Si,和锗,Ge,以及砷化镓,GaAs,等。,1.1 半导体的基本知识1.1.1 本征半导体及其导电性1.,4,1.1.1 本征半导体及其导电性,本征半导体化学成分纯净的半导体晶体。,制造半导体器件的半导体材料的纯度要达到,99.9999999%，常称为“九个9”,。它在物理结构上呈单晶体形态。,1.1.1 本征半导体及其导电性 本征半导体化学成,5,(1）本征半导体的共价键结构,硅和锗是四价元素，在原子最外层轨道上的四个电子称为价电子。它们分别与周围的四个原子的价电子形成共价键。共价键中的价电子为这些原子所共有，并为它们所束缚，在空间形成排列有序的晶体。,这种结构的立体和平面示意图见图01.01。,图01.01 硅原子空间排列及共价键结构平面示意图,(a)硅晶体的空间排列 (b)共价键结构平面示意图,(c),(1）本征半导体的共价键结构 硅和锗是四,6,（2）电子空穴对,当导体处于热力学温度0K时，导体中没有自由电子。当温度升高或受到光的照射时，价电子能量增高，有的价电子可以,挣脱,原子核的束缚，而参与导电，成为,自由电子,。,自由电子产生的同时，在其原来的共价键中就出现了一个空位，原子的电中性被破坏，呈现出正电性，其正电量与电子的负电量相等，人们常称呈现正电性的这个空位为,空穴,。,这一现象称为,本征激发,，,也称,热激发,。,（2）电子空穴对 当导体处于热力学温度0K时,7,可见因热激发而出现的自由电子和空穴是同时成对出现的，称为,电子空穴对。,游离的部分自由电子也可能回到空穴中去，称为,复合，,如图01.02所示。,本征激发和复合在一定温度下会达到动态平衡,。,图01.02 本征激发和复合的过程,（,动画1-1,）,可见因热激发而出现的自由电子和空穴是同时成,8,(3)空穴的移动,自由电子的定向运动形成了电子电流，空穴的定向运动也可形成空穴电流，它们的方向相反。只不过空穴的运动是靠相邻共价键中的价电子依次充填空穴来实现的，因此，空穴的导电能力不如自由电子,（见图01.03的动画演示）,。,（,动画1-2,）,图01.03,空穴在晶格中的移动,(3)空穴的移动 自由电子的定向运动形成,9,1.1.2 杂质半导体,(1),N,型半导体,(2),P,型半导体,在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质，可使半导体的导电性发生显著变化。掺入的杂质主要是三价或五价元素。掺入杂质后的本征半导体称为,杂质半导体,。,1.1.2 杂质半导体(1)N型半导体 在,10,(1）,N,型半导体,在本征半导体中掺入五价杂质元素，例如磷，可形成,N,型半导体,也称,电子型半导体,。,因五价杂质原子中只有四个价电子能与周围四个半导体原子中的价电子形成共价键，而多余的一个价电子因无共价键束缚而很容易形成自由电子,。,在N型半导体中,自由电子是多数载流子,它主要由,杂质原子提供,；,空穴是少数载流子,由热激发形成。,提供自由电子的五价杂质原子因,自由电子,脱离而带正电荷成为,正离子,，因此，五价杂质原子也被称为,施主杂质。,N型半导体的结构示意图如图01.04所示。,图01.04 N型半导体结构示意图,(1）N型半导体 在本征半导体中掺入五价,11,(2)P型半导体,本征半导体中掺入三价杂质元素，如硼、镓、铟等形成,P,型半导体,，,也称为,空穴型半导体,。,因三价杂质原子与硅原子形成共价键时，缺少一个价电子而在共价键中留下一个空穴。,P型半导体中,空穴是多数载流子，,主要由掺杂形成；,电子是少数载流子，,由热激发形成。,空穴很容易俘获电子，使杂质原子成为负离子。三价杂质 因而也称为,受主杂质,。,P型半导体的结构示意图如图01.05所示。,图,01.05 P,型半导体的结构示意图,图01.05,P,型半导体的结构示意图,(2)P型半导体 本征半导体中掺入三价杂质,12,1.1.3 杂质对半导体导电性的影响,掺入杂 质对本征半导体的导电性有很大,的影响，一些典型的数据如下:,T,=300 K,室温下,本征硅的电子和空穴浓度:,n,=,p,=1.410,10,/cm,3,1,本征硅的原子浓度:,4.9610,22,/cm,3,3,以上三个浓度基本上依次相差10,6,/cm,3,。,2,掺杂后 N 型半导体中的自由电子浓度:,n=,510,16,/cm,3,1.1.3 杂质对半导体导电性的影响 掺入,13,杂质半导体简化模型,杂质半导体简化模型,14,1.2 PN结,1.2.1 PN结的形成,1.2.2 PN结的单向导电性,1.2.3 PN结的电容效应,1.2 PN结1.2.1 PN结的形成1.2.2 P,15,1.2.1,PN,结的形成,在一块本征半导体两侧通过扩散不同的杂质,分别形成,N,型半导体和,P,型半导体。此时将在,N,型半导体和,P,型半导体的结合面上形成如下物理过程:,因浓度差,多子的扩散运动,由,杂质离子,形成空间电荷区,空间电荷区,形成,内电场,内电场促使少子漂移,内电场阻止多子扩散,1.2.1 PN结的形成 在一块本征半导体,16,最后多子,扩散,和少子的,漂移,达到,动态平衡,。对于P型半导体和N型半导体结合面，离子薄层形成的,空间电荷区,称为,P N 结,在空间,电荷区，由于缺,少多子，所以也,称,耗尽层,。,图01.06 PN结的形成过程,（,动画1-3,）,PN 结形成的过程可参阅图01.06。,最后多子扩散和少子的漂移达到动态平衡。对于,17,1.2.2,PN,结的单向导电性,如果外加电压使,PN,结中：,P,区的电位高于,N,区的电位，称为加,正向电压，,简称,正偏；,PN,结具有单向导电性，,若外加电压使电流从,P,区流到,N,区，,PN,结呈低阻性，所以电流大；反之是高阻性，电流小。,P,区的电位低于,N,区的电位，称为加,反向电压，,简称,反偏。,1.2.2 PN结的单向导电性 如果外加电压使PN结中,18,(1)PN,结加正向电压时的导电情况,外加的正向电压有一部分降落在,PN,结区，方向与,PN,结内电场方向相反，削弱了内电场。内电场对多子扩散运动的阻碍减弱，扩散电流加大。扩散电流远大于漂移电流，可忽略漂移电流的影响,PN,结呈现低阻性,。,PN,结加正向电压时的导电情况如图,01.07,（,动画1-4,）,图01.07,PN,结加正向电压,时的导电情况,(1)PN结加正向电压时的导电情况 外加的正向电,19,(2)PN,结加反向电压时的导电情况,外加的反向电压有一部分降落在PN结区，方向与PN结内电场方向相同，加强了内电场。内电场对多子扩散运动的阻碍增强，扩散电流大大减小。此时PN结区的少子在内电场的作用,下形成的漂移电流大于扩,散电流，可忽略扩散电流,，由于漂移电流本身就很,小，PN结呈现高阻性。,在一定温度条件下，,由本征激发决定的少子浓,度是一定的，故少子形成,的漂移电流是恒定的，基,本上与所加反向电压的大,小无关,，,这个电流也称为,反向饱和电流,。,PN结加反向电压时的导电情况如图01.08所示。,图 01.08 PN 结加反向电压时的,导电情况,(2)PN结加反向电压时的导电情况,20,PN结外加正向电压时，呈现低电阻，具有较大的正向扩散电流；,PN结加反向电压时，呈现高电阻，具有很小的反向漂移电流。,由此可以得出结论：PN结具有单向导电性。,（,动画1-5,）,图 01.08 PN结加反向电压时的导电情况,PN结外加正向电压时，呈现低电阻，具有较大的正向扩散,21,1.,在杂质半导体中多子的数量与,（,a,.掺杂浓度、,b.,温度）有关。,2.,在杂质半导体中少子的数量与 。,（,a,.掺杂浓度、,b,.温度）有关。,3.,当温度升高时，少子的数量 。,（,a,.减少、,b,.不变、,c,.增多）,a,b,c,4.,在外加电压的作用下，P 型半导体中的电流主要是 ，N 型半导体中的电流主要是 。,（,a,.电子电流、,b,.空穴电流）,b,a,思考题：,1.在杂质半导体中多子的数量与 2.,22,1.2.3 PN结的电容效应,PN结具有一定的电容效应，它由两方面的因素决定。,一是势垒电容,C,B,二是扩散电容,C,D,1.2.3 PN结的电容效应 PN结具有一,23,(1)势垒电容,C,B,势垒电容是由空间电荷区离子薄层形成的。当外加电压使PN结上压降发生变化时，离子薄层的厚度也相应地随之改变，这相当PN结中存储的电荷量也随之变化，犹如电容的充放电。势垒电容的示意图见图01.09。,图 01.09 势垒电容示意图,(1)势垒电容CB 势垒电容是由空间电,24,扩散电容是由多子扩散后，在PN结的另一侧面积累而形成的。因 PN 结正偏时，由N区扩散到 P 区的电子，与外电源提供的空穴相复合，形成正向,电流,。刚扩散过来的电子就堆积在 P 区内紧靠PN结的附近，形成一定的多子浓度梯度分布曲线。,(2)扩散电容,C,D,反之，由P区扩散到N区的空穴，在N区内也形成类似的浓度梯度分布曲线。扩散电容的示意图如图01.10所示。,扩散电容是由多子扩散后，在PN结的另一侧面,25,精品课件,！,精品课件！,26,精品课件,！,精品课件！,27,图 01.10 扩散电容示意图,当外加正向电压不同时，扩散电流即外电路电流的大小也就不同。所以,PN,结两侧堆积的多子的浓度梯度分布也不相同，这就相当电容的充放电过程。势垒电容和扩散电容均是非线性电容。,图 01.10 扩散电容示意图 当外加正向电,28,