熔体和玻璃体的相变解析ppt课件

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成核生长机理,五、分相的原因,1,.结晶化学因素,(1)阳离子对氧的争夺,M,或,I,的配位结构与,F,不同,高场强离子较多时易分相。,(,2)阳离子场强,Z/r1.4,液相线以上有分相(Mg Ca Sr),1.01.4,液相线呈倒,S,形,液相线下有分相(,Ba Li Na),0,稳定边界(亚稳极限曲线),(,2,G/,C,2,),P、T,=0,不稳定状态,S,区,(,2,G/,C,2,),P、T,0,2.热力学因素,分相的热力学前提是GM为正2.热力学因素,3 含,RO(,除,BaO),的二元系统中,分相在液相线以上。,4 二价阳离子氧化物与硼、硅的二元系统,随离子半径而不同。(,Fe Zn Cd,似,RO,Pb,似,R,2,O,但,分相倾向大),5,第,七主族元素加入会扩大分相区。,6,P,2,O,5,能促进,Na,2,O-SiO,2,分相,大量,B,2,O,3,也助分相。,7,Al,2,O,3,ZrO,2,PbO,可抑制,Na-Si,分相,少量,B,2,O,3,也可。,8,Al,2,O,3,有抑制,BaO-SiO,2,分相作用。,9 分相现象是普遍的。,六、分相与玻璃成分的一般规律,1 单一,F,的玻璃无分相,2 含,R,2,O,的硼或硅酸盐二元系统通常看不到分相。,3 含RO(除BaO)的二元系统中,分相在液相线以上。六、分,(1),区特点,A.,不混溶等温线呈椭圆形,最高会溶点T,c=755,C。,B.,处于该区的组成经热处理后分为富硅和富硼两相,且体积分数符合杠杆规则。,1,A,A2,富硼相富硅相,=,1,2,3,4,500,C,600,C,SiO,2,B,2,O,3,A,连线随温度升高而顺时旋转。,七、玻璃分相的研究成果及应用,1,Na,2,O-B,2,O,3,-SiO,2,系统玻璃分相,三个不混溶区,(1)区特点1A富硼相富硅相=1234500C600,常规熔制,热处理(600,C,),使之分相,退火后用酸处理(酸沥滤),得多孔高硅玻璃,1200,C,烧结得,vycor(,体积收缩约2040%),性能,=810,7,/,C,短时,使用,T=,1200,C,长时,使用,T=,900,C,化稳、机械强度等可与石英玻璃媲美。成本低。,(2)应用,A.,高硅氧玻璃(,vycor),原理:利用分相玻璃中不同相对水、酸、碱的抗蚀程度不同而制得。,工艺过程,常规熔制 热处理(600C)使之分相 退火后用酸处理(,组成,SiO,2,B,2,O,3,Al,2,O,3,Na,2,O CaO,美国,80.5 12.6 2.1 4.5 0.1 中国,80.7 12.5 2.2 4.0 0.6,B.pyrex,玻璃,1915年美国康宁公司发明。,用途,代替石英玻璃作耐热仪器,高压水银灯管。,多孔玻璃可作吸湿剂、催化剂载体、细菌过滤器。,组成B.pyrex玻璃用途,Al,2,O,3,可缩小不混溶区;,MgO,代,CaO,可,显著降低不混溶温度。,2.,Na,2,O-CaO-SiO,2,系统的分相,不混溶区位于高硅一角的广大区域。,性质,=3045,10,7,/,C,热稳,T=260,C,软化点高、化稳性好。,用途,耐热仪器、化工管道,烤盘、壶等日用品。,Al2O3可缩小不混溶区;MgO代CaO可显著降低不,贫铁,贫铁,二次分相,富铁,实例:铁红釉,多次分相是由于降温过程中扩散受到阻碍,微相组分未达平衡的结果。,多次不混溶机理由动力学决定,继续到何程度视熔体冷却时粘度与温度的变化情况而定。,3.多次分相,1958年首次发现三种相。,在,BaO-,B,2,O,3,-,SiO,2,系统中发现8种微相。,M,1,M,2,Tr,4,Tr,5,Tr,1,Tr,2,Tr,3,Tr,6,Tr,7,T,贫铁贫铁二次分相富铁实例:铁红釉 多次分相是由于降温过程中,八、分相对玻璃性质的影响,1.与迁移有关的性质,受影响较大,如:化稳性、电导等。,分相形貌及各相成分,有决定作用。,2.与迁移无关的性质,对分相不敏感,如:,d,N,等。,3.分相对析晶的影响,分相利于析晶。,乌尔曼观点:,液相分离为成核提供推动力。,分相形成的界面为成核提供成核位。,八、分相对玻璃性质的影响3.分相对析晶的影响,分相后总有一相比母相的原子迁移率大,利于均匀成核。,分相可使成核剂富集,起晶核作用,然后晶体在其上生长。,(二)玻璃的析晶(,crystallization),一、概述,1.过冷液体冷却到液相线以下而不发生析晶的液体。,2.晶化由液体的无规则结构转变为晶体的点阵结构。,3.晶化过程,(1)晶核形成表征新相的产生,非均匀成核(常见),均匀成核,(2)晶体生长新相进一步扩展。,分相后总有一相比母相的原子迁移率大,利于均匀成核。(二)玻,二、玻璃中的成核与晶体生长,1.成核过程,(1)均匀成核,定义:在宏观均匀的玻璃体中,在基质内部而与相界、缺陷等无关的成核过程。(自发成核、本征成核),热力学条件,G,0,时,因,H0,(,放热),所以,G,0,,0,D,H,T,M Te,r*,核半径,r,自由能,G,临界半径,r*,r=r*,时,d(,G)/dr=0,r*=,2,M Te,n D,H,T,r*,是形成稳定晶核所必需达到的核半径,其值,越小越易,形成。,G=n ,(2)非均匀成核,定义:依靠相界、晶界或基质的结构缺陷等不均匀部位而成核的过程。,特点:由成核剂或二液相的界面可使界面能,降低,从而影响,G,和,r*,G=,当180时,非均匀成核比均匀成核容易。,16,3,4,(2+,cos,)(1-cos),2,3(,G,),2,(2)非均匀成核16 34(2+cos)(1-cos,*,分类,表面非均匀成核,内部非均匀成核,表面组成与内部差异,表面杂质,表面微裂纹,内部缺陷,相界(晶核剂提供),表面析晶 烧结法制微晶玻璃,整体析晶 熔融法制微晶玻璃,*分类表面组成与内部差异内部缺陷表面析晶 烧结法,2.晶体生长,u=,a,0,1exp(),G,KT,三、玻璃的析晶,1.析晶的原因,发生析晶要经成核和生长两过程。,冷却过程:,ab,无晶核,不会析晶。,a b c d,u,Ir,T,生长速度由物质扩散到晶核表面的速度和加入晶体结构的速度。,过冷度,T,很小时,,GKT,推动力小,,Tu,成直线关系。,过冷度增大,,GKT,ua,0,质点迁移难,Tu,出现,极值。,2.晶体生长GKT三、玻璃的析晶a b,bc,既成核又长大,会析晶。,cd,只成核不长大 不析晶,所以快速冷却迅速通过,bc,段就不会析晶。,*,析晶适宜温度是,=10,3,10,5,Pa,S,*,玻璃重热到,ac,段可能析晶。(灯工加工),2.析晶的危害,(1)使透光率下降,损害光学图象。,(2)晶体较大则发生乳浊。,(3)晶体与基质差大将产生强大应力使玻璃破裂。,bc既成核又长大,会析晶。2.析晶的危害,(2)结构因素,网络外体越多,结构越松弛,易析晶。,断网严重时加入中间体氧化物可降低析晶倾向。,R,2,O,少时,高场强,M,会使析晶倾向大。若加入,Al,2,O,3、,B,2,O,3,等形成,AlO,4,BO,4,又降低析晶倾向。,(3)分相的作用,有利于分相的因素都利于析晶。,3.影响析晶的因素,(1)玻璃成分(内因),组成越简单越易析晶,因组分碰撞形成晶格的几率大。,(2)结构因素(3)分相的作用3.影响析晶的因素,(4)工艺因素,原料成分的波动、混料不匀、窑炉死角、耐火材料,四、受控析晶,1.受控析晶的判断,在整个玻璃体内均匀地具有极高的成核速率,晶体大小均一,晶粒尺寸很小(微米级以下),(4)工艺因素四、受控析晶在整个玻璃体内均匀地具有极高的成,2.微晶玻璃的成核剂,(1)成核剂要求,高温与玻璃形成均一熔体,低温溶解度减小从玻璃中析出。,扩散活化能小,核胚可长到一定尺寸。,与玻璃液面间界面张力小,利于晶化。,成核剂晶格常数与晶相的相差小,1015%,(2)贵金属盐类,Au、Ag、Cu、Pt、Rh,等的盐类引入,高温以离子状态存在,低温分解为原子态。热处理后形成高度分散的晶体颗粒,促成“诱导析晶”。,颗粒要足够大。,2.微晶玻璃的成核剂(2)贵金属盐类,(3)氧化物,TiO,2,成核机理不清,但适用于很多系统,用量较大,一般为1015%。,P,2,O,5,加速分相而促进核化。用量0.66%,ZrO,2,先析出富锆氧的结晶,进而诱导母相成核。,溶解度小,(3%),加入,P,2,O,5,后可增大。,Cr,2,O,3,其积聚作用(六价)起成核剂作用,用量为0.11%但因其又是着色剂而受限。,Fe,2,O,3,Fe,3+,利于核化,铁进入晶相使玻璃颜色变浅。氧化条件使,Fe,3+,/,Fe,2+,增大。,(3)氧化物Cr2O3 其积聚作用(六价),(4)氟化物,利用氟化物乳浊机理使玻璃成核,成核中心为氟化物微晶。,用量大于24%,氟化物可在冷却时析出。,常用,CaF,2,、,冰晶石(,Na,3,AlF,6,)、Na,2,SiF,6,、MgF,2,等。,以氟作核化剂,组成中至少有,Al,2,O,3,或,MgO,的一种。若无则晶体会长到34,mm,。(520,m,好),加入量:,至少加氟的20%。,(4)氟化物,(5)复合晶核剂,几种混合使用,比单独用一种用量少。,A,总浓度相同时混合物可造成更高的成核位。,B,对热处理制度敏感性小。,3.玻璃类型的选择,基础玻璃要求:,(1)易熔。,(2)熔制成型时过程时不易析晶。,(3)有晶化特性,(4)有一定的晶化速率,(5)复合晶核剂3.玻璃类型的选择,4.微晶玻璃的热处理工艺,a,b,c,d,e,f,T,(1)阶梯式热处理制度,a b,室温,核化温度,升温速率不可过大,一般,25,C/,min。,低的10,C/,min,b c,核化阶段,核化温度,TgTg+50,C,=10,
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