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单击此处编辑母版标题样式,*,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,2.5.1,电力晶体管及其工作原理,2.5.2,电力晶体管的特性与主要参数,2.5、,电力晶体管,2.5.1,电力晶体管及其工作原理,与普通的双极结型晶体管基本原理是一样的。,主要特性是耐压高、电流大、开关特性好。,通常采用至少由两个晶体管按达林顿接法组成的单元,结构。,采用集成电路工,艺将许多这种单元并联而成。,图,2.5.2 GTR,的结构、电气图形符号和内部载流子的流动,a),内部结构断面示意图,b),电气图形符号,c),内部载流子的流动,产品说明书中通常给直流电流增益h,FE,在直流工作情况下集电极电流与基极电流之比。一般可认为,h,FE,。,单管GTR的,值比小功率的晶体管小得多,通常为10左右,采用达林顿接法可有效增大电流增益。,2.5.1,电力晶体管及其工作原理,(),I,C,=I,B,+I,CEO,在应用中,,GTR,一般采用共发射极接法。,集电极电流,I,c,与基极电流,I,b,之比为,GTR,的,电流放大系数,,,反映了基极电流对集电极电流的控制能力,当考虑到集电极和发射极间的漏电流,I,CEO,时,,I,C,和,I,B,的关系为,(),2.5、,电力晶体管,2.5.1,电力晶体管及其工作原理,2.5.2,电力晶体管的特性与主要参数,2.5.2,电力晶体管的特性与主要参数,深饱和区:U,BE,0,U,BC,0,I,B,变化时I,C,不再改变,管压降U,CES,很小,类似于开关的通态。,图共发射极接法,时,GTR,的输出特性,1,、,GTR,共射电路输出特性,输出特性:,截止区,(,又叫阻断区,),、,线性放大区、准饱和区和深饱和,区四个区域。,截止区:,I,B,0(,或,I,B,=0),,,U,BE,0,,,U,BC,0,,,GTR,承受高电压,且有很小的穿透电流流过,,类似于开关的断态,;,线性放大区:,U,BE,0,,,U,BC,0,,,I,C,=I,B,,,GTR,应避免工作在线,性区以防止大功耗损坏,GTR,;,准饱和区:,随着,I,B,的增大,此时,U,BE,0,,,U,BC,0,,但,I,C,与,I,B,之间不再呈线性关系,,开始下降,曲线开始弯曲;,
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