第3,4节(二极管)

单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,泉州师范学院理工学院 主讲人：袁放成,多媒体教学课件,模拟电子技术基础,（第四版）,Fundamentals of Analog Electronics,华成英 童诗白,主编,模拟电子技术课程,教材,常用半导体器件,3.PN,结的电流方程,4.,PN,结的伏安特性,图,1.1.8,PN,结的伏安特性,(,P16),反向击穿区,击穿原因：,PN,结内大量共价键被破坏而生成大量的自由电子,三,PN,结,续1.1,半导体基础知识,常用半导体器件,什么是,N,型半导体？什么是,P,型半导体？当两种半导体制作在一起时会产生什么现象？,为什么采用半导体材料制作电子器件？,空穴是一种载流子吗？空穴导电时电子运动吗？,PN,结上所加端电压与电流符合欧姆定律？,问题讨论,5.PN,结的,电容效应,势垒电容,C,b,利用反偏电容特性可制成变容二极管,图,1.1.9,PN,结的势垒电容(,P17),常用半导体器件,扩散电容,C,d,总电容,C,j,=,C,b,+,C,d,一般情况下结电容较小约为几个,pF,常用半导体器件,常用半导体器件,1.2,半导体二极管,一,半导体二极管的几种常见结构,图,1.2.2,二极管的几种常见结构,（,P18）,常用半导体器件,二 二极管的伏安特性,注意,1正向存在两个区，存在开启电压,U,on,2.反向也存在两个区,材料,开启电压,U,on,/V,导通电压,U,/V,反向饱和电流,I,S,/,A,硅(,Si),0.5,0.60.8,0,i,D,0,正向导通，导通电压即二极管端电压,U,D,=0V。,uU,on,i,D,0,正向导通，导通电压即二极管端电压恒,U,D,=0.7V(,硅管)。,uU,on,i,D,0,正向导通，导通电压与正向电流有关，伏安特性近似为线性特性，二极管的正向电阻为,r,D,。,u0，i,D,=0，,反向截止，二极管呈高阻状态。,等效电路符号:,常用半导体器件,例1 理想二极管电路如下图所示，试判别电路中的二极管是导通还是截止，并求输出电压,U,O,。,D,2,D,1,4,V,2,V,R,U,O,+,_,D,1,D,2,U,O,+,_,12,k,6,k,6,k,6,V,-6,V,A,(a),(,b),常用半导体器件,解：,常用半导体器件,例2 试分析如下二极管开关电路。,解：,(,a),与门电路,(,b),或门电路,作业,习题：1.2,1.3,预习:,1.3,双极型晶体管,