黄光制程工艺流程

单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,*,Fangxing,Confidential and Proprietary Information,黄 光 制 程,总,流程,图,BM,制程,ITO1,制程,OC1,制程,ITO2,制程,MAM,制程,OC2,制程,Glass,2,黄光制程：,通过对涂覆在玻璃表面的光敏性物质,(,又称为光刻胶或光阻,),，,经曝光、显影后留下的部分对底层起保护作用，然后进行蚀刻脱膜并最终获得永久性图形的过程。,3,制程,流程,Clean,IR/UV/CP,CT,Pre-bake,Expo,Dev,Glass,Post-bake,Etch,Strip,Sputter,Clean,4,素玻璃经过清洗、烘烤后进入真空室进行溅镀,ITO/MAM,。,Glass,Glass,5,Clean,Glass Cleaning,：,去除玻璃表面的脏污、油污等，使玻璃表面清洁，以保证后续光阻的涂布效果及结合力。,主要控制参数：,清洗液浓度，清洗速度，脱脂毛刷压入量。,Cleaning,6,Clean,成膜前清洗流程：入料液切洗涤剂喷淋洗涤剂刷洗液切冲洗纯水刷洗高压喷淋中压喷淋,二流体喷淋末端,DI,水喷淋风刀吹干,出料,Cleaning,7,Sputter,溅镀原理：,靶材接阴极，玻璃接正极或接地，导入氩气。电子在电场的作用下加速飞向玻璃的过程中与,Ar,原子发生碰撞，电离出大量的,Ar,+,和,e,-,，形成等离子体,(,电浆,),。,Ar,+,在电场的作用下加速轰击靶材，溅射出大量的靶材原子，呈中性的靶原子,(,或分子,),玻璃沉积成膜。,ITO(Indium Tin Oxide):,是一种,N,类型的宽能隙的半导体，具有高透光率及导电性，因此相当符合应用于同样需高透光率及导电性的显示屏等相关产品材料上。,ITO,能吸收空气中的,CO,2,和,H,2,O,而发生,“,霉变,”,，需防潮。,ITO,层在活性正价离子溶液中易产生离子置换反应，形成其它导电和透过率不佳的反应物质，所以在加工过程中，应尽量避免长时间放在活性正价离子溶液中,。,主要参考参数：,镀膜厚度，膜层附着力。,Sputter,8,Clean,Glass Cleaning,：,去除玻璃表面的脏污、油污等，使玻璃表面清洁，以保证后续光阻的涂布效果及结合力。,主要控制参数：,清洗液浓度，清洗速度，脱脂毛刷压入量。,Cleaning,9,Clean,清洗流程：入料液切洗涤剂喷淋洗涤剂刷洗液切冲洗纯水刷洗高压喷淋中压喷淋,二流体喷淋末端,DI,水喷淋风刀吹干,出料,Cleaning,10,IR/UV/CP,IR,UV,CP,IR,：,高温,烘干玻璃表面水分。,UV,：,去除玻璃的表面的有机物，使玻璃被进一步清洁。,CP,：,将玻璃温度冷却至室温。,主要控制参数：,IR,温度，传导速度。,11,CT,Coating,：,在玻璃正面均匀的涂上一层感光物质,光阻。,光阻,(Photo resist,，简称,PR),：,光阻是利用材料光化学反应进行图形转移的媒体，有正性光阻和负性光阻之分。正性光阻经过紫外曝光后，被曝光的区域发生光分解或降解反应，使性质发生变化优先溶于正性显影液，未曝光的部分则被保留形成正型图形。负性光阻的性质正好与之相反，是未被曝光的部分溶于负性显影液中。,主要控制参数：,Roller,的前挤量及下压量，涂布速度，抽泵频率，抽泵强度。,主要参考参数：,膜层厚度,(,属过渡光阻,膜厚,1.42.3um),，膜层均匀性。,主要品质异常：,涂布针孔、涂布箭影。,Coating,12,CT,Coating,Coater,一般分为,Roll Coater,，,Slit Coater,，,Spin Coater,。我们公司用的是,Roller,。我们公司的,BM&OC1,用的是,Inkjet,印刷，而,OC2,用的是,APR,凸版印刷。,13,Pre-bake,Pre-Bake,：,也叫,soft bake,。将光阻中的大部分有机溶剂烘烤到,4%7%,，使原本液态的光阻固化。,主要控制参数,:,烘烤时间，烘烤温度，烘烤热板,Pin,高度。,主要品质异常：,玻璃受热不均，使光阻局部过烤或烘烤不足，造成后续的显影不净或显影过显。,Pre-Bake,14,EXPO,Exposure,：,此步骤是黄光制程中的关键所在，通过曝光，使受到光照的部分光阻溶解于显影液的速度异于未曝光的那部分光阻，从而达到转移光罩上图形的过程。曝光方式有三种：接触式、接近式和投影式。其中投影式又分,scan,和,step,。我们公司采用的曝光方式为接近式，曝光,GAP,值 一般为,100250m,。,主要控制参数,：,曝光能量，曝光,GAP,，曝光机,plate stage,温度。,主要品质异常：,曝光偏移，固定光阻残留异常，过曝。,A,A,Exposure,15,EXPO,曝光波长：,i,线（,365nm,），,h,线（,405nm,），,g,线（,436nm,）。,Mask,：也叫掩膜板。电路图即是通过曝光从,Mask,上转移到玻璃上。,高压汞灯发光原理：,在真空的石英管中加入定量的高纯汞，通过对两端电极提供高电压差，产生高热，将汞汽化，汞蒸气在高电位差下，受激发而,放,电，从而产生紫外线辐射。,内部的卤素元素，就有催化及保护的功用。,A,A,Exposure,16,DEV,Developing,：,将,(,正性,),光阻中的被曝光的那部分光阻溶解快速显影液中,(,负性光阻正好与之相反,是未曝光的部分溶于显影液中,),未曝光的那部分光阻溶解速度缓慢，从而通过控制显影时间，可以显现出光罩上的图形。,主要控制参数：,显影时间，显影液浓度，显影温度，显影喷压。,主要品质异常：,显影不净，显影过显，光阻回黏。,A,Developing,17,DEV,显影液：,TMAH(,Tetramethyl,Ammonium Hydroxide,),，四甲基氢氧化铵，分子式,(CH,3,),4,NOH,是一种有机弱碱，浓度为,2.38%,（,ITO1&ITO2&MAM),或者,0.4%,（,BM&OC1),。我们公司用的是,KOH,。,A,Developing,18,Post-bake,Post Bake,：,也叫,Hard bake,。,使经显影后的光阻固化，从而使其图形稳定。,主要控制参数：,烘烤温度，烘烤时间。,Post Bake,A,19,ADI,After Developing I,nspection,：,检查玻璃品质。,A,ADI,20,CDC,Critical Dimension,：,关键尺寸，线宽。,Overlay,：套合度。,Total Pitch,：第一层的套合度。,A,CDC,21,SR,Resist Thickness,：光阻的厚度测量。,SR,22,Etch,Etching,：,用强酸,将玻璃中未受光阻保护的那部分,ITO,腐蚀，留下所需图形的过程。,主要控制参数：,蚀刻液浓度，蚀刻液温度，蚀刻时间，喷淋压力。,主要品质异常：,蚀刻不净，,ITO,过蚀，以及由涂布异常而引起的蚀刻异常。,A,A,Etching,23,Etch,蚀刻液：,ITO,我们用,HNO,3,与,HCl,的混酸。,MAM,我们用,HNO,3,，,H,3,PO,4,和,HAc,的混酸。,A,A,Etching,24,Strip,Stripping,：,有机溶液将玻璃上面的光阻除去的过程。,主要控制参数：,剥膜时间，剥膜液浓度。,主要参考参数：,剥膜不净，光阻回黏，剥膜药液残留。,A,Stripping,25,AEI,After Etching I,nspection,：,检查玻璃品质。,A,AEI,26,谢谢,27,