等离子刻蚀工艺原理介绍课件

单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,等离子刻蚀工艺原理介绍,Etch/CSMC,2011.10.14,等离子刻蚀工艺原理介绍包含以下几个方面：,等离子体基本概念,等离子刻蚀基本原理,等离子刻蚀应用,概述,Plasma,就是等离子体,(,台湾一般称为电浆,),由气体电离后产生的正负带电离子以及分子,原子和原子团组成,.,只有强电场作用下雪崩电离发生时,Plasma,才会产生,.,气体从常态到等离子体的转变,也是从绝缘体到导体的转变,.,Plasma,一些例子,:,荧光灯,闪电,太阳等,.,什么是,Plasma,energy,gas,plasma,e,e,e,e,Plasma,产生激活态的粒子以及离子,.,激活态粒子（自由基）在干法刻蚀中主要用于提高化学反应速率,而离子用于各向异性腐蚀,(Anisotropic etch).,在固定,Power,输入的气体中,电离和复合处于平衡状态,.,在正负离子复合或电子从高能态向低能态跃迁的过程中发射光子,.,这些光子可用于终点控制的检测。,半导体工艺,Plasma,一般都是部分电离,常规,0.01%10%,的原子,/,分子电离,.,为什么,Plasma,运用在干法刻蚀中,各向异性刻蚀中的圆片偏压,射频功率通过隔直电容加到圆片背面，这样隔离直流而能通过射频，使圆片和基座充电为负偏压状态,(,平均,).,半导体圆片不一定是电导体,(,因为表面可能淀积一层,SiO2,或,SiN,膜,),直流偏压不能工作,因为,Plasma,很快补偿了绝缘体上的偏压,.,-,+,-,-,+,非对称的腔体中，圆片面积,控制离子浓度,/,能量。提高,Bias,功率，提高腐蚀速率。,低离子能量,-,低的碰撞速度。,离子能量影响方向性,-,高离子能量意味着离子更少偏离原来运动方向。,Bias,功率的作用,:,离子能量,Q&A,问答,