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单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,下课,模 拟 电 子 线 路,主讲： 李贤志 副教授,办公室：,A201,电 话：,3306878(O) 3387761(H),Email:Lixzhi,第,3,章 场效应管,返回,3.,1,MOS,场,效应管,3.,2,结型场,效应管,3.,3,场效应管应用原理,3.,1,MOS,场,效应管,返回,图,3-1-1 N,沟道,EMOS,管的结构示意图和电路符号,图,3-1-2 N,沟道,EMOS,管中沟道受,V,GS,、,V,DS,的变化,图,3-1-3 V,GS,一定，,I,D,随,V,DS,变化的特性,图,3-1-4 N,沟道,EMOS,管的伏安特性,下一页,图,3-1-5,原点附近的输出特性曲线族,图,3-1-6 MOS,管看作压控电流源,图,3-1-7,亚阈区转移特性,图,3-1-8,栅极保护二极管,图,3-1-9,不同,VUS,对特性曲线的影响,图,3-1-10 P,沟道,EMOS,管,3.,1,MOS,场,效应管,返回,图,3-1-11 EMOS,集成工艺,图,3-1-12 DMOS,管结构与电路符号,图,3-1-13 N,沟道,DMOS,管伏安特曲线,图,3-1-14 MOS,管的小信号电路模型,例题,图,3-1-15,高频小信号模型,图,3-1-16,例题,1,的电路,图,3-1-17,例题,2,的电路,图,3-1-1 N,沟道,EMOS,管的,结构示意图和电路符号,返回,图,3-1-2 N,沟,EMOS,管中沟道受,V,GS,、,V,DS,的,变化,返回,图,3-1-3 V,GS,一定，,I,D,随,V,DS,变化的特性,返回,图,3-1-4 N,沟道,EMOS,管的,伏安特性,返回,图,3-1-5,原点附近的输出特性曲线族,返回,图,3-1-6 MOS,管,看作压控电流源,返回,图,3-1-7,亚阈区转移特性,返回,图,3-1-8,栅极保护二极管,返回,图,3-1-9,不同,V,US,对,特性曲线的影响,返回,图,3-1-10 P,沟道,EMOS,管,返回,图,3-1-11 EMOS,集成工艺,返回,图,3-1-12 DMOS,管,结构与电路符号,返回,图,3-1-13 N,沟道,DMOS,管,伏安特性曲线,返回,图,3-1-14 MOS,管的小,信号电路模型,返回,图,3-1-15,高频小信号电路模型,返回,图,3-1-16,例题,1,的电路,返回,图,3-1-17,例题,2,的电路,返回,例题,返回,例题,1,例题,2,例题,1,返回,在图,3116,所示,N,沟道,EMOS,管电路中，已知,R,G1,=1.2M, R,G2,=0.8M,R,S,=4k , R,D,=10k,V,DD,=20V,，,管子参数,n,C,ox,W/(2l)=0.25mA/V,2,V,GS(th),=2V,试求,I,D,。,例题,2,返回,图,3117,所示为双电源供电的,N,沟道,EMOS,管电路，已知，,R,G,=1M,R,S,=4k , R,D,=5k,V,DD,=,V,SS,=10V,，,管子参数,n,C,ox,W/(2l)=0.25mA/V,2,V,GS(th),=2V,求,I,D,。,3.2,结型场效应管,返回,图,3-2-1 N,沟道,JFET,的结构示意图和电路符号,图,3-2-2 P,沟道,JFET,的结构示意图和电路符号,图,3-2-3 N,沟道,JFET,中当,V,DS,=0,时,V,GS,对沟道宽度的影响,图,3-2-4 N,沟道,JFET,中,V,GS,一定时,V,DS,对沟道宽度的影响,图,3-2-5 N,沟道,JFET,的共源极输出特性曲线簇,图,3-2-6 JFET,看作压控电流源,图,3-2-1 N,沟道,JFET,的结构示意图和电路符号,返回,图,3-2-2 P,沟道,JFET,的结构示意图和电路符号,返回,图,3-2-3 N,沟道,JFET,中当,V,DS,=0,时,V,GS,对沟道宽度的影响,返回,图,3-2-4 N,沟道,JFET,中,V,GS,一定时,V,DS,对沟道宽度的影响,返回,图,3-2-5 N,沟道,JFET,的共源极输出特性曲线簇,返回,图,3-2-6 JFET,看作压控电流源,返回,3.3,场效应管应用原理,返回,图,3-3-1 N,沟道,EMOS,管接成的有源电阻,图,3-3-2 N,沟道,DMOS,管接成的有源电阻,图,3-3-3,用有源电阻接成的分压器,图,3-3-4,开关示意图,(a),及其理想伏安特性,图,3-3-5,模拟开关,图,3-3-6,分解成两个电路等效,图,3-3-7,工作在非饱和区时,R,on,随,v,I,变化特性,图,3-3-8 CMOS,模拟开关,图,3-3-9,用两个等效,CMOS,的模拟开关,图,3-3-10 CMOS,开关导通电阻随,vI,变化特性,图,3-3-11,开关电容电路等效为电阻,图,3-3-1 N,沟道,EMOS,管接成的有源电阻,返回,图,3-3-2 N,沟道,DMOS,管接成的有源电阻,返回,图,3-3-3,用有源电阻接成的分压器,返回,图,3-3-4,开关示意图,(a),及其理想伏安特性,返回,图,3-3-5,模拟开关,返回,图,3-3-6,分解成两个电路等效,返回,图,3-3-7,工作在非饱和区时,R,on,随,v,I,变化特性,返回,图,3-3-8 CMOS,模拟开关,返回,图,3-3-9,用两个等效,CMOS,的模拟开关,返回,图,3-3-10 CMOS,开关导通电阻随,vI,变化特性,返回,图,3-3-11,开关电容电路等效为电阻,返回,3.4,晶体三极管的伏安特性曲线,返回,图,3-4-1,共发射极连接时端电流和端电压,图,3-4-2,共发射极输入特性曲线族,图,3-4-3,基区宽度调制效应,图,3-4-4,共发射极输出特性曲线,图,3-4-5,厄尔利电压,图,3-4-6 ,与,I,C,的关系,图,3-4-7,共发射极反向工作区,图,3-4-8,晶体三极管的安全工作区,
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