开关电源EMC总汇EMC重要-精选课件

,单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,开关电源,EMC,总汇,*,EMC,重要性,*,EMC,的内容,*开关电源,EMI,探讨,*拓扑,EMI,分析举例,-,以,flyback,为例,*国际认证体系简介,Santak R&D,刘鹏,开关电源 EMC 总汇,EMC,重要性,早在上个世纪八十年代初，美国新泽西州一家医院产科病房区的婴儿死亡率相当高。深夜，监视婴儿的监视器上的警示灯总是无缘无故地熄灭。对此，护士们很恼火，于是她们将监视器关闭，来回逐一巡视。,经过一番初步调查后，教授查明了这件事情的真相，原来附近一电视台的发射机得到美国通信委员会的许可，在大约午夜后可将其输出功率提高得相当高，但必须在早上六点前，或其它指定的时间，恢复到原来的水平。护士站与每个婴儿的监视器间的连接电缆在这些干扰频率处发生谐振，感应的电压而使监视器警示灯熄灭。医院在发现这个问题之前，已有差不多六名小孩死亡。,EMC 重要性早在上个世纪八十年代初，美国新泽西州一家医院产,EMC,重要性,再有一个例子：,有这样的一个客户投诉反应，当在机房内开启一台开关电源时,，,该公司的100,M,速度的局域网出现速度下降并停止的现象，而10,M,速度的网络却没有受影响。关掉电源，网络恢复正常。,后经实验发现，该开关电源的高频干扰信号藕合到网络线上，使网络出现故障。,EMC 重要性再有一个例子：有这样的一个客户投诉反应，,EMC,重要性,EMC,发展的历史：,EMC,其实是伴随着近代电子产业的飞速发展而诞生的。到上个世纪末，随着电子、电气设备的急剧增加。,EMC,已经扩展到众多的领域，可以毫不夸张的说：哪里有电子产品，哪里就有,EMC,问题。西方国家对此的要求也越来越苛刻，,EMC,已成为发展中国家电子产品进入西方市场的贸易壁垒之一。,对企业来讲，不同的,EMC,设计概念，会导致不同的成本和时间上的浪费。,电路,结构封装,屏蔽,滤波,软件,成本,措施,概念 设计 产品 市场,阶段,EMC 重要性EMC 发展的历史：EMC 其实是伴随着近代电,EMC,内容,基本概念：,EMC(,电磁兼容性)：,Electromagnetic Compatibility,EMI(,电磁干扰):,Electromagnetic Interference,EMS(,电磁抗扰性)：,ElectromagneticSusceptibility,ESD（,静电）：,Electrostatic Discharges,RS（,辐射抗干扰）：,Radiated Susceptibility,EFT(,电快速瞬变脉冲群)：,Electronic fast transients,SURGE(,雷击浪涌),CS(,传导抗干扰)：,Conducted Susceptibility,EMC 内容基本概念：,EMC,的内容,EMC=EMI+EMS,EMI=Conduction（Harmonic）+Radiation,EMI,三要素：下为系统级的，请大家想想,PCB,级的。,EMC 的内容EMC=EMI+EMS,开关电源,EMI,探讨,EMI,产生的根源：,第一、开关电源的最大缺点是因切换动作（,TURN-ON,或,TURN OFF）,产生杂讯电压为其杂讯源。因切换动作的波形为方波，而方波含有很多高次谐波。（,dv/dt）,第二、由于开关电晶体的非线性及二极体的反向恢复特性，电流作快速的非线性变化引起杂讯。（,di/dt）,T,1/,d,1/,T,r,谐波幅度,（电压或电流）,频率（对数）,-20,dB/dec,-40,dB/dec,A,d,Tr,开关电源 EMI 探讨EMI 产生的根源：T1/d1/T,开关电源,EMI,探讨,EMI,的传播方式和途径：,EMI,干扰信号按其特性可分为共模信号（,COMMON MODE）,和差模信号（,DIFFERENTIAL MODE）。,共模信号：干扰信号电流的在两条回路的导线上的电流方向相对大地是相同的信号，称为共模信号，见左下图；,差模信号：干扰信号电流的在两条回路的导线上的电流方向相对大地是相反的信号，称为差模信号，见右下图。,开关电源 EMI 探讨EMI的传播方式和途径：,开关电源,EMI,探讨,常用低通滤波结构的划分,思考：对开关电源，采用哪种滤波器结构会比较好？,C,T,L,反,开关电源 EMI 探讨常用低通滤波结构的划分CTL反,开关电源,EMI,探讨,电源输入滤波器的设计：,共模差模分开设计（以,型为例）,差模电容,共模电容,共模扼流圈,开关电源 EMI 探讨电源输入滤波器的设计：差模电容共模电容,开关电源,EMI,探讨,滤波器共模部分设计,思考：共模部分为什么不使用,型滤波器？,开关电源 EMI 探讨滤波器共模部分设计,开关电源,EMI,探讨,滤波器差模部分设计,开关电源 EMI 探讨滤波器差模部分设计,开关电源,EMI,探讨,滤波器的安装：,板上滤波器,无屏蔽的场合,滤波器靠近被滤波导线的靠近器件或线路板一端。,有屏蔽的场合：在屏蔽界面上,开关电源 EMI 探讨滤波器的安装：板上滤波器无屏蔽的场合滤,开关电源,EMI,探讨,插入,Filter,前后,Noise,对比,蓝色为插入,Filter,前的,Noise,紫色为插入,Filter,后的,Noise,开关电源 EMI 探讨插入 Filter前后 Noise对比,开关电源,EMI,探讨,共模电感的绕制 磁珠阻抗,共模扼流圈中的负载电流产生的磁场相互抵销，因此磁芯不会饱和。,Z=j,L+R,R,Z,L,1,MHz 10MHz 100MHz 1000MHz,Common choke,Bead,需要测量温升!,开关电源 EMI 探讨共模电感的绕制,拓扑,EMI,分析举例,控制芯片,+12,V,拓扑EMI 分析举例控制芯片+12V,Flyback,架构,EMI,分析,Cds：MOSFET,的寄生等效电容，,Cj：,二极管的节电容,Cj，,Cm：Mosfet D,极对散热片杂散电容，,Cd：,输出二极管负极对散热片的杂散电容,Les：,变压器副边对其他绕组的漏感，,Lep：,变压器原边对其他绕组的漏感,Ctx：,变压器原边与副边之间的杂散电容，,Ce：,散热片对地的电容,Flyback,架构的高频等效模型,Flyback 架构EMI 分析Cds：MOSFET的寄生等,Flyback,架构,EMI,分析,Noise,源：大的,di/dt,和,dv/dt,产生的地方，对,Flyback,架构,来说，会产生这些变化的主要有：,变压器,TX1；,MOSFET Q1,；,输出二极管,D1,；,芯片的,RC,振荡；,驱动信号线；,Flyback 架构EMI 分析 Noise 源：大的,Flyback,架构,EMI,分析,此处发生振荡,2,此处发生振荡,1,Q1,上,Vds,的波形,MOSFET,动作时产生的,Noise：,如 上图所示，主要来自三个方面：,Mosfet,开通、关断时，具有很宽的频谱含量，开关频率的谐波本身,就是较强的干扰源。,关断时的振荡 1产生较强的干扰。,关断时的振荡 2产生较强的干扰。,Flyback 架构EMI 分析此处发生振荡2此处发生振荡,Flyback,架构,EMI,分析,开关管,Q1,关断，副边二极管,D1,导通时（带载），原边的励磁电感被钳制，,原边漏感,Lep,的能量通过,Q1,的寄生电容,Cds,进行放电，主放电回路为,LepCdsRsC1Lep，,此时产生振荡振荡的频率为：,在,Lep,上的振荡电压,Vlep,迭加在,2,Vc1,上，致使,Vds=2Vc1+Vlep,。,振荡的强弱，将决定我们选取的管子的耐压值、电路的稳定性。,量测,Lep=6.1uH,Q1,为2611查规格书可得,Coss=190pF（Coss,近似等于,Cds）,而此充电板为两个管子并联，所以,Cds=380pF。,由上式可求得,f=3.3 MHz,，,和右图中的振荡频率吻合。,从图中可看出 此振荡是一衰减的振荡波，其初始的振荡峰值决定于振荡电路的,Q,值：,Q,值越大，峰值就越大。,Q,值小，则峰值小。为了减小峰值，可减小变压器的漏感,Lep,加大,Cds,和电路的阻抗,R。,而加入,Snubber,电路是 极有效之方法。,Flyback 架构EMI 分析开关管 Q1关断，副边二极管,Flyback,架构,EMI,分析,振荡2发生在,Mosfet Q1,关断，副边二极管由通转向关断，原边励磁电感被释放,(,这时,Cds,被充至,2,Vc1),，,Cds,和原边线圈的杂散电容,Clp,为并联状态，再和原边电感,Lp,（,励磁电感和漏感之和）发生振荡。放电回路同振荡,1,。振荡频率为：,Q1,上,Vds,在,Lp,上的振荡电压,Vlp,迭加在,Vc1,上，致使,Vds=Vc1+Vlp,。,量测,Lp=0.4mH,；,Q1,为,2611,，查规格书可得,Coss=190pF,（,Coss,近似等于,Cds,）,而此充电板为两个管子并联，所以,Cds=380pF,；,Clp,在,200,KHz,时测得为,Clp=1.6nF,。,由上式可求得：,f=178.6KHz,，,和,右图,中,190.5,K,吻合。,思考：此振荡对辐射影响大吗？,Flyback 架构EMI 分析 振荡2发生在Mos,Flyback,架构,EMI,分析,我们可实行的改善措施有两个：,1,、减小,Noise,的大小；,2,、切断或改善传播途径。,1.减小,Noise,的大小：,首先考虑以下三个方面：,Mosfet、Diode,动作时，具有很宽的频谱含量，开关频率的谐波本身就是较强的干扰源,。,措施,：在满足所要求的效率、温升条件下，我们可尽量选开关较平缓的管子。而通过调节驱动电阻也可达到这一目的。,红色：47欧姆的驱动电阻,兰色：62欧姆的驱动电阻,可看出：在低频段效果不明显；而在高频段（8,MHz)，62,欧姆的驱动电阻明显好于47欧姆的驱动电阻。,这是因为：62欧姆的驱动电阻将减缓驱动信号的上升/下降沿。这样能限制信号的带宽。,Flyback 架构EMI 分析我们可实行的改善措施有两个：,Flyback,架构,EMI,分析,Q1、D1,的振荡 1会产生较强的干扰。,措施,：,*,对寄生电容,Cds、Cj,的处理：,在,Q1,的,ds,极、二极管的两端各并上一681小电容，来降低电路的,Q,值，从而降低振荡的振幅,A，,同时能降低振荡频率,f。,需注意的是：此电容的能量1/2,Cu,2,将全部消耗在,Q1,上，所以管子温升是个问题。解决的办法是使用,RC snubber,让能量 消耗在,R,上。同时,R,能起到减小振幅的作用。,*对变压器的漏感,Le,的处理,：,1。变压器采用 三明治 绕法，以减小漏感。,2。在变压器的绕组上加吸收电路。,3。减小,Q1 D,极到变压器的引线长度。（此引线电感和漏感相迭加）,采取上述 措施降低振荡 1的影响之后，,得右图。,Flyback 架构EMI 分析 Q1、D1 的,Flyback,架构,EMI,分析,：,Q1 D1,上的振荡 2 会产生较强干扰。,分析方法和,相同，但此时 电感已变得很大了（主要为为励磁电感），因此漏感和引线电感对,的影响相对较小。,Flyback 架构EMI 分析 ：Q1 D,Flyback,架构,EMI,分析,同样从上节的分析中，可看出,Nosie,的传播途径主要是通过变压器的杂散电容,Ctx,；,Mosfet/Diode,到散热片的杂散电容,Cm/Cd,；,及散热片到地的杂散电容,Ce,等途径而耦合到,LISN,被取样电阻所俘获。,措施一：在,Rs,的地端和,C2,的地间接一个,Y,电容（）。,原理分析：它的作用是双重的，一是为,Mosfet,动作产生且串到变压器副边的,noise,电流（如,I4,）,提供一个低阻抗的回路，减小到地的电流。二是为二次侧,Diode,产生的且串到变压器原边的,noise,电流提供低阻抗回路，从而减小