内存基础知识简介课件

,单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,DIMM Introduce,DIMM Introduce,知名,DIMM,的,LOGO,smart,忆宝,_,香港,威刚,天堂,英飞凌,现代,宇瞻,金士顿,美光,三 星,知名DIMM的LOGOsmart 忆宝_香港 威刚天堂 英飞,适用类型,台式机内存,笔记本内存,服务器内存,适用类型 台式机内存 笔记本内存 服务器内存,内存接口类型,/,内存插槽类型,内存接口,:,笔记本,:,采用,144Pin,、,200Pin,接口,台式机使用,168Pin,和,184Pin,接口,内存插槽类型,SIMM:,Single Inline Memory Module,单内联内存模块,(8/16bit,用,30pin;32bit,用,72pin),DIMM:,Dual Inline Memory,双内联内存模块,(SDRAM168pin/DDR184pin),RIMM:,Rambus DRAM,内存接口类型/内存插槽类型 内存接口:,内存容量,内存,容量是指该内存条的存储容量，是内存条的关键性参数,.,内存容量以,MB,作为单位,.,内存的容量一般都是,2,的整次方倍,.,系统对内存的识别是以,Byte,（字节）为单位,1Byte=8bit.,内存容量的上限一般由主板芯片组和内存插槽决定,比如,Inlel,的,810,和,815,系列芯片组最高支持,512MB,内存,.,目前多数芯片组可以支持到,2GB,以上的内存，主流的可以支持到,4GB,，更高的可以到,16GB,内存容量 内存容量是指该内存条的存储容量，是内存条的关键性参,内存带宽的计算,公式：,内存总线宽度,x,数据传输速度,=,最大带宽,内存带宽,=,内存等效工作频率*,8,（,MB/s,）,每个,DIMM,模块的总线宽度為,64bit=8bytes.,比如,:,以,DDR400,来计算就是,:,8 x 400=3200MB/s,，也就是,3.2GB/s,内存带宽的计算公式：,工作频率和等效频率,DDR,内存和,DDR2,内存的频率可以用,工作频率,和,等效频率,两种方式表示,.,工作频率,是内存颗粒实际的工作频率,.,DDR,内存的传输数据的等效频率是工作频率的两倍,DDR2,内存的传输数据的等效频率是工作频率的四倍,例如,:,DDR 200/266/333/400,的,工作频率,分别是,100/133/166/200MHz,，而,等效频率,分别是,200/266/333/400MHz,；,DDR2 400/533/667/800,的,工作频率,分别是,100/133/166/200MHz,，而,等效频率,分别是,400/533/667/800MHz,。,工作频率和等效频率DDR内存和DDR2内存的频率可以用工作频,主频,内存,主频和,CPU,主频一样，习惯上被用来表示内存的速度，它代表着该内存所能达到的最高工作频率。单位是,MHz(,兆赫,).,内存主频越高代表着内存所能达到的速度越快,.,主流的内存频率,DDR:,333MHz,400MHz,DDR2 533MHz,和,667MHz,的内存,主频内存主频和CPU主频一样，习惯上被用来表示内存的速度，它,内存电压,SDRAM,内存一般工作电压都在,3.3,伏左右，上下浮动额度不超过,0.3,伏；,DDR SDRAM,内存一般工作电压都在,2.5,伏左右，上下浮动额度不超过,0.2,伏；,DDR2SDRAM,内存的工作电压一般在,1.8V,左右,.,DDR3,SDRAM,内存的工作电压一般在,1.5V,左右,内存电压 SDRAM内存一般工作电压都在3.3伏左右，上下浮,传输标准,内存传输标准有,:,SDRAM,的,PC100,、,PC133,；,DDR SDRAM,的,PC1600,、,PC2100,、,PC2700,、,PC3200,、,PC3500,、,PC3700,；,RDRAM,的,PC600,、,PC800,和,PC1066,等,传输标准内存传输标准有:,ECC,校验,ECC,内存,即纠错内存,.,是,Error Checking and Correcting,”,的简写,，,中文名称是,“,错误检查和纠正,”,ECC,是一种能够实现,“,错误检查和纠正,”,的技术,一般多应用在服务器及图形工作站上,ECC校验ECC内存即纠错内存.是Error Checki,颗粒封装,封装就是将内存芯片包裹起来,以避免芯片与外界接触，防止外界对芯片的损害,.,有,DIP,、,POFP,、,TSOP,、,BGA,、,QFP,、,CSP,等等,.,DIP,封装,TSOP,封装,BGA,封装,CSP,封装,颗粒封装封装就是将内存芯片包裹起来,以避免芯片与外界接触，防,DIP,封装,70,年代,DIP,（,Dual ln-line Package,，双列直插式封装）封装,.,其芯片面积和封装面积之比为,1,：,1.86,DIP封装70年代,DIP（Dual ln-line Pa,TSOP,封装,80,年代,内存,第二代的封装技术,TSOP.TSOP,是,“,Thin Small Outline Package,”,的缩写，意思是薄型小尺寸封装,.,TSOP,内存是在芯片的周围做出引脚，采用,SMT,技术（表面安装技术）直接附着在,PC,B,板的表面,.,优点,:TSOP,封装外形尺寸时，寄生参数,(,电流大幅度变化时，引起输出电压扰动,),减小，适合高频应用，操作比较方便，可靠性也比较高,封装成品率高，价格便宜,.,TSOP封装80年代,内存第二代的封装技术TSOP.TSO,TSOP,封装,缺点,:,焊点和,PCB,板的接触面积较小，使得芯片向,PCB,办传热就相对困难。而且,TSOP,封装方式的内存在超过,150MHz,后，会产生较大的信号干扰和电磁干扰,.,TSOP封装缺点:焊点和PCB板的接触面积较小，使得芯片向P,BGA,封装,90,年代,芯片集成度不断提高,.,对集成电路封装的要求也更加严格,.,BGA,是英文,Ball Grid Array Package,的缩写，即球栅阵列封装,.,BGA,与,TSOP,相比,:,1.,内存在体积不变的情况下内存容量提高两到三倍,.,2.,具有更小的体积，更好的散热性能和电性能,.,3.,体积只有,TSOP,封装的三分之一,芯片面积与封装面积之比不小于,1:1.14,BGA封装90年代,芯片集成度不断提高.对集成电路封装的要求,BGA,封装,寄生参数减小，信号传输延迟小，使用频率大大提高；组装可用共面焊接，可靠性高,.,BGA封装寄生参数减小，信号传输延迟小，使用频率大大提高；组,CSP,封装,CSP,(,Chip Scale Package,),是芯片级封装,.,CSP,封装最新一代的内存芯片封装技术,.,CSP,封装可以让芯片面积与封装面积之比超过,1:1.14,，已经相当接近,1:1,的理想情况，绝对尺寸也仅有,32,平方毫米，约为普通的,BGA,的,1/3,，仅仅相当于,TSOP,内存芯片面积的,1/6.,CSP封装 CSP(Chip Scale Package),CSP,封装,CSP,封装内存不但体积小，同时也更薄，其金属基板到散热体的最有效散热路径仅有,0.2,毫米，大大提高了内存芯片在长时间运行后的可靠性，线路阻抗显著减小，芯片速度也随之得到大幅度提高,.,CSP,封装内存芯片的中心引脚形式有效地缩短了信号的传导距离，其衰减随之减少，芯片的抗干扰、抗噪性能也能得到大幅提升，这也使得,CSP,的存取时间比,BGA,改善,15%,20%,。,CSP封装CSP封装内存不但体积小，同时也更薄，其金属基板到,DDR,内存芯片的编号,HY XX,X,XX XX XX,X,X,X,X,X-XX,1,2,3,4,5,6,7,8,9,10,11 1,：代表,HY,的厂标,2,：为内存芯片类型,5D,：,DDR SDRAMS 3,：工艺与工作电压,V,：,CMOS,，,3.3V,；,U:CMOS,，,2.5V 4,：芯片容量和刷新速率,64:64MB,，,4kref,；,66:64MB,，,2kref,；,28:128MB,，,4kref,；,56:256MB,，,8kref,；,12:512MB,，,8kref 5:,芯片结构,(,数据宽度,),4,：,X4(,数据宽度,4bit),；,8:x8,；,16:x16,；,32:x32 6,：,BANK,数量,1:2BANKs,；,2:4BANKs 7,：,I/O,界面,1:SSTL_3,；,2:SSTL_2 8,：芯片内核版本,空白,:,第一代；,A:,第二代；,B:,第三代；,C:,第四代,9,：能量等级,空白,:,普通；,L:,低能耗,10,：封装形式,T:TSOP,；,Q:TQFP,；,L:CSP(LF-CSP),；,F:FBGA 11,：工作速度,33:300MHz,；,4:250MHz,；,43:233MHz,；,45:222MHz,；,5:200MHz,；,55:183MHz,；,K:DDR266A,；,H:DDR266B,；,L:DDR200,DDR内存芯片的编号 HY XX X XX XX XX,传输类型,传输类型指,内存,所采用的内存类型,.,不同类型的内存传输率、工作频率、工作方式、工作电压等方面都有不同,.,目前市场中主要的内存类型,:,SDRAM,、,RDRAM,、,DDR,DDR2,DDR3,EPP,传输类型传输类型指内存所采用的内存类型.不同类型的内存传输率,SDRAM,SDRAM,，即,Synchronous DRAM(,同步动态随机存储器,).,SDRAM,内存又分为,PC66,、,PC100,、,PC133,等不同规格,.,数字,就代表着该内存最大所能正常工作系统总线速度,.,SDRAM,采用,3.3,伏工作电压，,168Pin,的,DIMM,接口，宽,度,为,64,位。,SDRAM,不仅应用在内存上，在显存上也较为常见,.,SDRAM SDRAM，即Synchronous DRAM(,RDRAM,RDRAM,（,Rambus DRAM,）是美国的,RAMBUS,公司开发的一种内存,.,它采用了串行的数据传输模式,.,RDRAM,的数据存储位宽是,16,位,;,频率可以达到,400MHz,内存带宽能达到,1.6Gbyte/s.,RDRAMRDRAM（Rambus DRAM）是美国的RAM,DDR,DDR,应该叫,DDR SDRAM(Double Data Rate SDRAM).,SDRAM,、,DDRAM,内存条的区别（外观）,DDRDDR应该叫DDR SDRAM(Double Dat,SDRAM,、,DDRAM,内存条的区别,外形体积上,DDR,与,SDRAM,相比差别并不大,DDR,为,184,针脚,比,SDRAM,多出了,16,个针脚，主要包含了新的控制、时钟、电源和接地等信号,.,DDR,内存采用的是支持,2.5V,电压的,SSTL2,标准，而不是,SDRAM,使用的,3.3V,电压的,LVTTL,标准,。,Low Voltage TTL,(,逻辑电平,).,SDRAM、DDRAM内存条的区别外形体积上DDR与SDRA,DDR,内存的频率,DDR内存的频率,DDR2,DDR2,（,Double Data Rate 2,）,SDRAM,DDR2,内存的频率,DDR2DDR2（Double Data Rate 2）SD,DDR2,与,DDR,的区别,1,、延迟问题,:,也就是说,DDR2,的延迟要高于,DDR,2,、封装和发热量,:DDR2,内存采用,1.8V,电压，相对于,DDR,标准的,2.5V,DDR2与DDR的区别 1、延迟问题:也就是说DDR2的延迟,DDR2,采用的新技术,DDR2,还引入了三项新的技术,分別,是