[精选]干膜介绍及干膜工艺详解11169

单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,*,*,单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,*,干膜介绍及干膜工艺详解,2013-01,主要内容安排：,1.,干膜介绍及发展趋势,2.,线路板图形制作工艺,(,以,SES,流程为例,),3.,基本工艺要求,4.,各工序注意事项,5.,常见缺陷图片及成因,6.,讨论,1.,干膜介绍及发展趋势,干膜,(Dry Film),的用途：,干膜是一种感光材料，是,PCB,生产中的重要物料，用于线路板图形的转移制作。近几年也开始广泛应用于选择性化金、电镀金工艺。,干膜的特性：,感光聚合、感光后耐酸不耐碱、不导电，因此可用作抗蚀层或抗电镀层。,1.,干膜介绍及发展趋势,干膜的结构,1.,干膜介绍及发展趋势,干膜的主要成分:,1.,干膜介绍及发展趋势,干膜性能的评估,解晰度,附着力,盖孔能力,填凹陷能力,其他,1.,干膜介绍及发展趋势,为了达到线路板,的多,层,和高,密度,要求,，,目前干膜一般解像度,要,达,到,线宽间距,（/）在50/50,um。,但在,半导体包装,（,BGA,CSP),上,，,线路板一般设计在,L/S,在 25-40,um。必需,要高,解像度,的,干膜（L/S=10/10 um）。为了满足客户要求,、,我们,公司,目前新型干膜的解像度可达到L/S=7.5/7.5 um。,干膜的发展趋势,1.,干膜介绍及发展趋势,解晰度测试:45/45微米,SEM:45/45微米,1.,干膜介绍及发展趋势,25um Dry Film,，,L/S=7.5/7.5um,干膜介绍及发展趋势,ASAHI干膜主要型号及特点,干膜型号,厚度,(um),特点,YQ-40SD,YQ-40PN,40,针对,SES,流程具有良好的盖孔、耐酸性、抗电镀性能等,YQ-30SD,30,适用于,DES,流程，主要用于内层制作，解析度方面较好,YQ-50SD,50,针对,SES,流程具有良好的盖孔、耐酸性、抗电镀性能、减少电镀夹膜问题等特点,AQ-4088,40,针对,DES,流程具有良好的盖孔、耐酸性、追从性等特点,也适用于电镀流程,.,SPG-152,15,适用于生产,1.5mil,的精细线路,ADV-401,40,适合于,LDI,工艺,两种镀,通孔,线路,板制作的,比较,贴膜,曝,光,电镀铜/锡或锡/铅,蚀板,去膜,碱性蚀板,脱锡或锡/铅,基铜,玻璃纤维底料,曝,光原件,干膜,Tenting,制程,SES,制程,研磨,全板电镀铜,显影,2.,线路板图形制作工艺,SES,流程基本工艺,基铜,玻璃纤维底料,全板电镀铜,贴膜,曝光,曝,光原件,显影,电镀铜锡,或铜锡/铅,去膜,碱性蚀板,脱锡或锡/铅,2.,线路板图形制作工艺,SES,工艺流程详细介绍,前处理的作用：去除铜表面的氧化,油污,清洁、粗化铜面，以增大干膜在铜面上的附着力。,前处理的种类：化学微蚀、物理磨板、喷砂处理（火山灰、氧化铝）。,典型前处理工艺流程：,除油,水洗,磨板,水洗,微蚀,水洗,酸洗,水洗,烘干,前处理：,基本工艺要求,前处理,刷轮目数,:#,500,#,800,刷轮数量,:上下,两对刷轮,（共支）,磨刷电流,:+2,转速,:1800,转,/,分钟,摇摆,:300次/,分钟,磨痕宽度 :1015mm,微蚀量 ：0.81.2um,（一般采用SPS+硫酸或硫酸+双氧水溶液，生产,板要求较高时则采用超粗化表面处理）,酸洗浓度 ：35%硫酸溶液,基本工艺要求,前处理,水洗:多,过,3,个,缸,(,循环,水),喷淋压力,：1,-3Kgf/cm2,吸干,:通常用2支,海绵,吸水,辘,烘干:热风,吹,风,量,为,4.0,9.0,m3/min,热风,的,温度为7090,其它控制项目,:,水裂点：15s,粗糙度1.5Rz20,秒；,每次变更生产板厚度时要做磨痕测试。,贴膜：,贴膜的作用：是将干膜贴在粗化的铜面上。,贴膜机将干膜通过热压辘与铜面附着，同时撕掉,PE,膜。,SES,工艺流程详细介绍,贴膜,基本工艺要求,预热段温度 ：80100,贴膜前板面温度：4060,压辘设定温度 ：110120,压膜时压辘温度：100115,贴膜压力 ：3.05.0kgf/cm,2,贴膜速度 ：1.52.5m/min,贴膜后静置时间：15min24H,工序注意事项,贴膜,贴膜压辘各处温度均匀；,定期测定贴膜压辘的温度；,贴膜上下压辘要平行；,贴膜压辘上无油污或膜碎等杂物；,清洁压辘上异物时不可用尖锐或硬的工具；,贴膜不可超出板边；,干膜不可超过有效期内。,曝光：,曝光的作用是曝光机的紫外线通过底片使干膜上部分图形感光，从而使图形转移到铜面上。,干膜,Cu,基材,底片,SES,工艺流程详细介绍,SES,工艺流程详细介绍,曝光反应机理,C,O,O,H,C,O,O,H,C,O,O,H,C,O,O,H,C,O,O,H,C,O,O,H,C,O,O,H,C,O,O,H,C,O,O,H,C,O,O,H,C,O,O,H,单体,聚合体主链,起始剂,C,O,O,H,C,O,O,H,C,O,O,H,C,O,O,H,C,O,O,H,C,O,O,H,C,O,O,H,C,O,O,H,C,O,O,H,C,O,O,H,C,O,O,H,反应核心,C,O,O,H,C,O,O,H,C,O,O,H,C,O,O,H,C,O,O,H,C,O,O,H,C,O,O,H,C,O,O,H,C,O,O,H,C,O,O,H,C,O,O,H,紫外线,聚合反应,图形原件,干膜层,Substrate,a,b,曝,光,单体,曝光,基本工艺要求,曝光能量：,40-80mj/cm,2,（以,21,级,Stoufer,格数尺,7,9,级残膜为准）,曝光后静置时间：,15min24H,工序注意事项,曝光,曝光能量均匀性,90,%,；,每,4H,测定曝光能量；,抽真空时间不能太短，防止曝光不良；,曝光台面温度太高会造成底片变形；,板面、底片或曝光台面不能有脏点；,干膜、底片小心操作，防止划伤；,曝光机空气过滤芯定期清洁或更换。,显影：,SES,工艺流程详细介绍,显影的作用：,将未曝光部分的干膜去掉，留下感光的部分。,显影的原理：,未曝光部分的感光材料没有发生聚合反应，遇弱碱,Na,2,CO,3,（,0.8-1.2%),或,K,2,CO,3,溶解。而聚合的感光材料则留在板面上，保护下面的铜面不被蚀刻药水溶解。,SES,工艺流程详细介绍,显影,C,O,O,H,C,O,O,H,C,O,O,H,C,O,O,H,C,O,O,H,C,O,O,H,C,O,O,H,C,O,O,H,C,O,O,H,C,O,O,H,C,O,O,H,N,a,2,C,O,3,H,2,O,(,乳化,),单体,聚合体主链,起始剂,N,a,+,N,a,+,N,a,+,N,a,+,N,a,+,N,a,+,N,a,+,C,O,O,-,C,O,O,-,C,O,O,-,C,O,O,-,C,O,O,-,C,O,O,-,C,O,O,-,显影,C,O,O,H,N,a,2,C,O,3,C,O,O,-,N,a,+,N,a,H,C,O,3,H,2,O,H,2,O,显影反应机理,显影,基本工艺要求,Na,2,CO,3,浓度 ：0.81.2%,显影液温度 ：2832,显影压力 ：1.02.0kgf/cm,2,显影点 ：5060,工序注意事项,显影,各段喷嘴不能堵塞；,显影液要定期更换，需要有自动添加，保证不能超过药水负载量；,各段滚轮上不能有油污等杂物；,烘干后板子表面、孔内无水渍。,电镀铜锡,/,锡铅,:,SES,工艺流程详细介绍,电镀的作用：,将我们所需要的图形处的铜层进行加厚，并且在铜面上镀上一层抗蚀刻层（即锡或锡铅）。,基本工艺要求,电镀铜锡或锡铅,以电镀供应商工艺要求为准。,去膜：,SES,工艺流程详细介绍,去膜的作用：,通过强碱溶液（一般为,NaOH,溶液，浓度为,2-3%,）将覆盖在铜面上抗电镀的干膜去掉。,SES,工艺流程详细介绍,去膜：,去膜的原理：,C,O,O,H,C,O,O,H,C,O,O,H,C,O,O,H,C,O,O,H,C,O,O,H,C,O,O,H,C,O,O,H,C,O,O,H,C,O,O,H,C,O,O,H,C,O,O,C,O,O,C,O,O,C,O,O,C,O,O,C,O,O,C,O,O,C,O,O,H,C,O,O,C,O,O,C,O,O,N,a,N,a,N,a,N,a,N,a,N,a,N,a,N,a,N,a,N,a,N,a,去膜,N,a,O,H,/,H,2,O,R,e,l,a,x,a,t,i,o,n,去膜,基本工艺要求,去膜液浓度 ：2.03.0%（NaOH浓度）,去膜液温度 ：4555,去膜压力 ：2.03.0kgf/cm,2,水洗压力 ：1.03.0,kgf/cm,2,去膜点 ：5060,SES,工艺流程详细介绍,蚀刻：,蚀刻的作用：,用蚀刻液将非线路图形部分的铜面蚀刻掉，而在锡或锡铅下的铜则不能被蚀刻。,SES,工艺流程详细介绍,去锡,/,锡铅：,去锡,/,锡铅的作用：,用去锡,/,锡铅药液将锡,/,锡铅去掉，露出需要的线路。,基本工艺要求,蚀刻、去锡,/,锡铅,以蚀刻药水和去锡药水供应商工艺要求为准。,工序注意事项,去膜,各段喷嘴不能堵塞；,去膜液浓度不可超出控制范围；,去膜液要定期更换，需要有自动添加，保证不能超过药水负载量；,去膜段干膜过滤系统工作良好，并定期清理膜碎；,去膜后水洗干净，板子表面不能有残膜；,吹干段不能有大量水带入蚀刻段。,5.,常见缺陷图片及成因,短路,(,划伤造成,),短路,(,去膜不净,),短路,(,銅渣造成,),短路,(,銅渣造成,短路,(,銅渣造成,),短路,(,膜下雜物,),短路,(,膜下銅渣,),短路,(,銅渣造成,),短路,(,滲鍍,),5.,常见缺陷图片及成因,開路,(,膜碎造成,),開路,(,膜碎造成,),開路,(,膜碎造成,),開路,(,膜碎造成,),劃傷,蝕刻後,劃傷,蝕刻後,凸起,雜物造成,缺口,膜碎造成,6.,讨论,谢 谢 大 家！,9,、静夜四无邻，荒居旧业贫。,10月-24,10月-24,Wednesday,October 2,2024,10,、雨中黄叶树，灯下白头人。,03:16:26,03:16:26,03:16,10/2/2024 3:16:26 AM,11,、以我独沈久，愧君相见频。,10月-24,03:16:26,03:16,Oct-24,02-Oct-24,12,、故人江海别，几度隔山川。,03:16:26,03:16:26,03:16,Wednesday,October 2,2024,13,、乍见翻疑梦，相悲各问年。,10月-24,10月-24,03:16:26,03:16:26,October 2,2024,14,、他乡生白发，旧国见青山。,02 十月 2024,3:16:26 上午,03:16:26,10月-24,15,、比不了得就不比，得不到的就不要。,。,十月 24,3:16 上午,10月-24,03:16,October 2,2024,16,、行动出成果，工作出财富。,2024/10/2 3:16:26,03:16:26,02 October 2024,17,、做前，能够环视四周；做时，你只能或者最好沿着以脚为起点的射线向前。,3:16:26 上午,3:16 上午,03:16:26,10月-24,9,、没有失败，只有暂时停止成功！。,10月-24,10月-24,Wednesday,October 2,2024,10,、很多事情努力了未必有结果，但是不努力却什么改变也没有。,03:16:26,03:16:26,03:16,10/2/2024 3:16:26 AM,11,、成功就是日复一日那一点点小小努力的积累。,10月-24,03:16:26,03:16,Oct-24,02-Oct-24,12,、世间成事，不求其绝对圆满，留一份不足，可得无限完美。,03:16:26,03:16:26,03:16,W