半导体器件物理第三章PN结作业

单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,*,*,第三章作业题,2.,硅突变结二极管的掺杂浓度为,N,D,=10,15,cm,-3,，,N,A,4,10,20,cm,-3,，在室温下计算,：（,1,）内建电势差；（,2,）,零偏压时的耗尽区宽度,;(3),零偏压下的最大内建电场。,1.,推导,PN,结空间电荷区内建电势差公式：,3.,推导加偏压的,PN,结空间电荷区边缘非平衡少子浓度值公式：,4.,推导杂质分布公式：,5.,长,PN,结二极管处于反偏压状态，求解下列问题：,（,1,）解扩散方程求少子分布,n,p,（,x,）和,p,n,（,x,），并画出他们的分布示意图。,（,2,）计算扩散区内少子存储电荷。,6.,把一个硅二极管用做变容二极管，在结的两边的掺杂浓度分别为,N,D,=10,15,cm,-3,，,N,A,10,19,cm,-3,，求在反偏电压为,1V,和,5V,时的二极管势垒电容,（忽略二极管截面积的影响）,。,7.,一理想硅,p-n,结二极管，,N,A,=,10,16,cm,-3,，,N,D,=,10,18,cm,-3,，,p0,=,n0,=,10,-6,s,，,n,i,=9.65,10,9,cm,-3,，,D,n,=30,cm,2,/s,，,D,p,=2,cm,2,/s,，,器件面积为,2,10,-4,cm,2,，计算室温下饱和电流的理论值及,0.7V,时的正向和反向电流值。,8.,采用载流子扩散与漂移的观点分析,PN,结空间电荷区的形成。,9.,采用载流子扩散与漂移的观点分析,PN,结的单向导电性。,第二章作业答案,n,超量载流子注入一厚度为,W,的薄,n,型硅晶的一个表面上，并于另一个表面上取出，而其,p,n,(W,)=,p,no,在,0 xW,的区域里没有电场。,