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Click to edit Master title style,Click to edit Master text styles,Second level,Third level,Fourth level,Fifth level,*,*,*,第九章 屏蔽交换局域密度近似,sX,-LDA,方法,的,关键步骤,1,DFT Implementations,2,sX,-LDA,方法的优点,sX,-LDA,方法的框架:,Generalized Kohn-Sham scheme (,包括微扰势,).,目的:通过非局域屏蔽势描述交换关联势的不连续性,从而给出较好的半导体带隙且无需任何可调参数。,优点:对比完全的准粒子计算,如,GWA,,它的计算量小得多,同时允许确定基态和激发态的性质。,3,sX,-LDA,的理论方法,包括微扰的,generalized KS,方程如下:,(9.1),其中 都是,sX,下的势函数。,(9.2),H,LDA,是,LDA Hamiltonian,,,v,sx,NL,是非局域势,Fock,交换算符,,v,sx,L,是相应的局域势算符, 是,sX,-LDA,本征矢。,对于,v,sx,,,通常采用,Thomas-Fermi,屏蔽,所以,sX,非局域势,(9.3),(9.4),4,sX,-LDA,的理论方法,-2,相应的,sX,局域势为,(9.5),(9.6),5,Screened exchange:,sX,-LDA,1,2,1. B. M.,Bylander,and L.,Kleinman, Phys. Rev. B 41, 7868 (1990),2. A.,Seidl, A.,Grling,P.Vogl, . A.,Majewski, and M. Levy, Phys. Rev. B 53,3764 (1996),6,sX,-FLAPW,1. H. J. F. Jansen and A. J. Freeman, Phys. Rev. B 30, 561 (1984),2. M. C. Huang(,黄美纯,),H. J. F.,Jansen,and,A. J. Freeman,Phys. Rev,. B37, 3489-3496 (1988),3. S.,Massidda, M.,Posternak, and A.,Baldereschi, Phys. Rev. B 48, 5058 (1993),4. S.,Massidda, A.,Continenza, M.,Posternak, and A.,Balderschi, Phys. Rev. B 55, 13494 (1997),where,7,Geometry and SCF Cycles,8,Band Gaps,sX,-FLAPW,9,Optical Absorption Spectrum of,GaAs,10,CdO,的能带结构,实线:,sX,-LDA,半导体,虚线:,LDA,半金属,Cd-5s,O-2p,11,Energy,Bandstructures,with,sX,-FLAPW,LDA,为负带隙的两个材料,12,-L Separation vs. Band Gaps,13,小结,sX,-LDA,方法的主要优点是,它既适于基态性质的计算,又适于激发态的计算。计算量较小。,主要手法是在交换关联势中考虑非局域屏蔽交换势的修正。因此可在原来,LDA,近似的基础上,比较方便地实现计算程序的更新。,非局域屏蔽交换势只作为微扰处理。,sX,波函数直接由,KS-LDA,波函数线性组合而成,所以,可以通过二次变分计算出可描写激发态的结果。,14,
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