光电检测器件的类型复习课件

单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,光电检测器件的类型复习优秀课件,*,光电检测器件的类型,光电检测器件是利用物质的光电效应把光信号转换成电信号的器件.,光电检测器件分为两大类:,光子(光电子)检测器件,热电检测器件,光电检测器件的类型复习优秀课件,探测器件,热电探测元件,光子探测元件,外光电效应,内光电效应,非放大型,放 大 型,光电导探测器,光磁电探测器,光生伏特探测器,本征型,掺杂型,非放大,放大型,真空光电管,充气光电管,光电倍增管,变像管,摄像管,像增强器,光敏电阻,红外探测器,光电池,光电二极管,光电三极管,光电场效应管,雪崩型光电二极管,光电检测器件的类型复习优秀课件,光电器件分类及特点,光子探测器,探测器,响应波长有选择性，一般有截止波长，超过该波长，器件无响应。,无波长选择性，对可见光到远红外的各种波长的辐射同样敏感,响应快，吸收辐射产生信号需要的时间短， 一般为纳秒到几百微秒,响应慢，一般为几毫秒,光电检测器件的类型复习优秀课件,4.1 光电器件的性能参数,响应特性,噪声特性,量子效率,光电检测器件的类型复习优秀课件,一、响应特性,响应度（或称灵敏度）：,是光电探测器输出电信号与输入光信号之间关系的度量。描述的是光电探测器件的光电转换效率。,响应度是随入射光波长变化而变化的,响应度分电压响应率和电流响应率,光电检测器件的类型复习优秀课件,响应时间,：响应时间,是描述光电探测器对入射光响应快慢的一个参数（如图）。,脉冲响应特性,上升时间t,r,：入射光照射到光电探测器后，光电探测器输出上升到稳定值所需要的时间。10%90%,下降时间t,f,：入射光遮断后，光电探测器输出下降到稳定值所需要的时间。 90%10%,光电检测器件的类型复习优秀课件,、信噪比,信噪比是判定噪声大小的参数。,是负载电阻上信号功率与噪声功率之比,若用分贝（dB）表示，为,光电检测器件的类型复习优秀课件,、噪声等效功率(NEP),定义：光电器件输出的信号电压有效值等与噪声方均根电压值时的入射光功率,这时，投射到探测器上的辐射功率所产生的输出电压（或电流）等于探测器本身的噪声电压（或电流）,一般一个良好的探测器件的NEP约为10,-11,W。,NEP越小，噪声越小，器件的性能越好。,光电检测器件的类型复习优秀课件,第二节 光电发射器件,光电发射效应：,物体吸收了光能后转换为该物体中某些电子的能量，从而产生的电效应。光电传感器的工作原理基于光电效应。分为外光电效应和内光电效应。,光电检测器件的类型复习优秀课件,一、光电效应及元件,用光照射某一物体，可以看作物体受到一连串具有能量（每个光子能量的大小等于普朗克常数h乘以光的频率，即E=h）的光子的轰击，组成这物体的材料吸收光子能量而发生相应电效应的物理现象称为光电效应。,分类：,外光电效应,光导效应,光生伏特效应,光电检测器件的类型复习优秀课件,（一）,外光电效应,外光电效应：在光线的作用下能使,电子逸出物体表面的现象,称为外光电效应。,元件：紫外光电管、光电倍增管、光电摄像管等。,光电检测器件的类型复习优秀课件,E=h=m,2,/2 +A,1光电子能否产生，取决于光子的能量是否大于该物体的表面逸出功。每种物体都有相对应的光频阈值，称为,红限频率,，用,0,表示。,0,=A/h,若入射光的频率小于红限频率，光子的能量不足以使物体内的电子逸出，因此小于红限频率的入射光，光再强也不会产生光电效应。反之，若入射光的频率高于红限频率，即使光强微弱，也会使照射的物体有光电子发射出来。,光电检测器件的类型复习优秀课件,E=h=m,2,/2 +A,2当入射光的频谱成分不变时，,产生的光电流与光强度成正比,。光愈强，意味着入射的光子数目越多，逸出的光电子数也就越多。,3光电子逸出物体表面时的初动能决定于入射光的频率。对于一定的物质，电子逸出功A是一定的，所以光子的能量,h,越大，则电子的初动能越大。,光电检测器件的类型复习优秀课件,光电倍增管及其基本特性,由,光阴极、,次阴极(,倍增电极,)以及,阳极,三部分组成。光阴极是由半导体光电材料锑铯做成；次阴极是在镍或铜,-,铍的衬底上涂上锑铯材料而形成的，次阴极多的可达30级；阳极是最后用来收集电子l;k,入射光,光电阴极,第一倍增极,阳极,第三倍增极,的，收集到的电子数是阴极发射电子数的10,5,10,6,倍。即光电倍增管的放大倍数可达几万倍到几百万倍。光电倍增管的灵敏度就比普通光电管高几万倍到几百万倍。因此在很微弱的光照时，它就能产生很大的光电流。,光电检测器件的类型复习优秀课件,光电倍增管(PMT),光电倍增管是利用外光电效应制成的一种光电探测器件。其光电转换分为,光电发射,和,电子倍增,两个过程。,把微弱的光输入转化为光电子，并使光电子,获得倍增,的一种光电探测器件。,光电检测器件的类型复习优秀课件,光电倍增管使用注意要点,不宜用强光，容易引起疲劳,额定电压和电流内工作,入射光斑尺寸和管子的有效阴极面尺寸向对应,电场屏蔽和磁屏蔽,测交变光时，负载电阻不宜过大,光电检测器件的类型复习优秀课件,光电导效应,定义：光照变化引起半导体材料电导变化的现象。,内光电效应,内光电效应产生的自由电子停留在物体内部，不发生电子逸出。,器件：,光敏电阻,、由光敏电阻制作的,光导管,。,分类：,本征光电导,效应与,杂质光电导,效应,光电检测器件的类型复习优秀课件,光敏电阻,利用半导体光电导效应制成的器件称为光电导器件，也称光敏电阻。,光敏电阻材料：主要是硅、锗和化合物半导体，例如：硫化镉（CdS），锑化铟（InSb）等。,光电检测器件的类型复习优秀课件,工作机理：,当入射光子使半导体中的电子由价带跃迁到导带时，导带中的电子和价带中的空穴均参与导电，其阻值急剧减小，电导增加。,光电检测器件的类型复习优秀课件,光敏电阻分类,价带,导带,电子,空穴,Eg,价带,导带,电子,空穴,施主,本征型用于可见光长波段,杂质型用于红外波段。,本征型：当入射光子的能量等于或大于半导体材料的禁带宽度,Eg,时，激发一个电子空穴对，在外电场的作用下，形成光电流。,杂质型：对于型半导体，当入射光子的能量等于或大于杂质电离能,时，将施主能级上的电子激发到导带而成为导电电子，在外电场的作用下，形成光电流。,光电检测器件的类型复习优秀课件,7、暗电阻和暗电流：,光敏电阻在黑暗时的阻值称为暗电阻，一般情况下，暗电阻都大于10兆，受光照时的阻值称为亮阻。暗阻与亮阻的比值也可作为衡量灵敏度的高低，比值越大，灵敏度越高。,8、前历效应：,光电检测器件的类型复习优秀课件,光敏电阻的应用,基本功能：根据自然光的情况决定是否开灯。,基本结构：整流滤波电路；光敏电阻及继电器控制；触电开关执行电路,基本原理：光暗时，光敏电阻阻值很高，继电器关，灯亮；光亮时，光敏电阻阻值降低，继电器工作，灯关。,照明灯自动控制电路,K,220V,灯,常闭,CdS,光电检测器件的类型复习优秀课件,三种主要的热电效应,温差电效应：温差产生电动势,热电偶和热电堆,电阻温度效应：辐射引起电阻率变化,测辐射热计(Bolometer),热释电效应,：辐射变化引起表面电荷变化,热释电探测器,光电检测器件的类型复习优秀课件,原理：,基于光辐射与物质相互作用的热电效应制作的器件。,入射辐射-器件温升-材料参量变化。,优点：,大部分,不需制冷,、在很宽的光谱波段有平坦的响应两大持点。,缺点：,探测率较低和时间常数较大。要同时获得灵敏度高、响应快的性能是困难的。新型热电探测器,热释电探测器,的出现及其近年来的发展，逐步解决了这一矛盾。,二、热电探测器的特点,光电检测器件的类型复习优秀课件,起源：1826年 红外探测器件。,应用：高、低温的温度探测领域。,基本原理：基于温差电第一效应塞贝克效应。两种不同材料或材料相同而逸出功不同的物体，当它们构成回路时，如果两个接触点的温度不同，回路中就会产生温差电动势。只要两触点间的温差不变，温差电动势将得到保持。,许多个热电偶串联起来即成为热电堆。,4.6,.2,温差电偶,光电检测器件的类型复习优秀课件,三、热电偶的基本参数,1. 温差电势率M,当冷端开路时，开路电压U,OC,与入射辐射产生的温升T的关系为,通常半导体材料构成的热电偶比金属材料的温差电势率高（铋和锑温差电势率为100V/C，而半导体热电偶可达500V/C ）,式中，,M,为,塞贝克常量,，也称,温差电势率,，单位为V/,光电检测器件的类型复习优秀课件,原理：,吸收辐射,，产生温升，从而引起材料电阻的变化。,主要材料类型：金属、半导体和超导体。,共同点：都敏感于辐射，,光谱响应基本上与入射辐射的波长无关,。,吸收辐射温升-电阻变化,热敏电阻,在电子电路中的符号,光电检测器件的类型复习优秀课件,光电成像器件,（Photoelectronic Imaging Devices）,定义：一类能够输出图像信息（图像或视频信号）的功能器件，也称为光电图像传感器 。,分类：直视型、摄像型。,直视型光电成像器件,具有图像的转换、增强、显示等功能部件和高真空管壳，通常简称为像管。,摄像型光电成像器件,将二维空间的光强分布（光学图像）转换为一维时序电信号，不直接输出图像（只有对时序电信号进行再处理后才可获得目标图像）。,光电检测器件的类型复习优秀课件,光电成像器件的分类,变像管,直视型： 像管,像增强器,光电发射型,光电成像器件 电真空摄像管 光电导式,热释电摄像guan,摄像型：,电荷耦合器件,固体摄像器件 CMOS图像传感器,红外焦平面阵列器件,光电检测器件的类型复习优秀课件,像管,变像管像增强管,一、典型结构与工作原理,物镜,目镜,阴极,阳极,荧光屏,目标物所发出某波长范围的辐射通过物镜在半透明光电阴极上形成目标的像，引起光电发射。阴极面每一点发射的电子束密度正比于该点的辐照度。这样，光阴极将光学图像转变成电子束密度图像。通过阳极的电子透镜作用，使阴极发出的光电子聚焦成像在荧光屏上。荧光屏在一定速度的电子轰击下发出可见的荧光，最终，在荧光屏上便可得到目标物的可见图像。,变像管：光阴极面上的材料红外或紫外光线敏感；,像增强管,光阴极面上的材料,微弱可见光敏感。,光电检测器件的类型复习优秀课件,像管成像物理过程,1.辐射图像的光电转换:利用外光电效应.光敏面采用光电发射型材料.发射的电子流分布正比于人射的辐射通量分布.由此完成辐射图像转换为电子图像的过程.,2.电子图像增强:电场加速 或微通道板中二次电子发射.,3电子图像的发光显示高能电子轰击荧光屏,发出可见光.,光电检测器件的类型复习优秀课件,摄像管,电视摄像过程是将两维空间分布的光学图像转换为一维时间变化的视频电信号。,步骤：,摄像管的光敏元件接受输入图像的辐照进行光电转换，将两维空间分布的光强转变为两维空间分布的电量；,摄像管的电荷存贮元件在一帧的周期内连续积累由光敏元件产生的电量，并保持电荷量在空间的分布。这一存贮电荷的元件称之为靶；,摄像管的电子枪产生空间两维扫描的电子束，在一帧的周期内完成全靶面的扫描。逐点扫描的电子束到达靶面的电荷量与靶面贮存的电荷量相关，因此扫描电子束的电流被靶面电荷量所制，从而在输出电路上即可得到视频信号。,光电检测器件的类型复习优秀课件,一般摄像管应具有的结构,它主要由两大部分组成,光电变换与存贮部分,信号阅读部分。,光电检测器件的类型复习优秀课件,1光电变换与存贮部分,(1) 光电变换部分,构成：光敏元件。,根据材料分类：,光电发射体,光电导体视像管。,(2)电荷存贮与积累部分,帧周期内要求信号不能漏走存贮元件具有足够的绝缘能力。,2信号阅读部分,阅读部分扫描电子枪系统,光电检测器件的类型复习优秀课件,莫尔条纹测长仪,两块光栅：一块为指示光栅与工作台固定一块为长光栅工作台前后移动的距离由两块光栅形成的莫尔条纹进行计数得到指示光栅相对移动一个节距，莫尔条纹变化一周指示光栅移动的距离为：,：指示光栅移动距离中包含的光栅线对数，,：小于个光栅节距的小数,简单光栅读数头,：灯，：聚光镜，：指示光栅，：长光栅，：光电探测器,光电检测器件的类型复习优秀课件,莫尔条纹测长仪,光电探测器接收到的明暗变化的光信号转换成电信号；,通过对莫尔条纹的直接测量，可以测的光栅的位移量；,在较宽的莫尔条纹间隔内安放细分装置进行细分，可读取位移的分数，提高测量的灵敏度和精度,光栅输出信号波形,光电检测器件的类型复习优秀课件,