光刻胶涂布与曝光

,单击此处编辑母版标题样式,2013-10-25,#,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,光刻胶涂布,与,曝光,正光阻,负光阻,分辨率高,分辨率低,黏结能力差,黏结能力好,与,mask,暗场图形一致,与,mask,亮场图形一致,成本高,成本低,光刻胶分类,E&H GF2,结构采用正性干膜光刻胶,莱宝,GG,结构采用正性湿膜光刻胶,曝光机理,UV,光,光罩,光阻,显影后,負光阻(,BM、R、G、B、 PS layer),(見光留),正光阻,(,MVA、TFT layer),(見光死),Cr,膜,玻璃基板,石英,GF2,结构使用干膜光刻胶，采用双面热压,roller,形式上胶。,膜厚在线不可调控，膜厚由,DFR,决定，,E&H 1,st,DFR,厚度,15um,，,2,nd,DFR,厚度,30um,，不易产生针孔，分辨率低，,工艺制程,简单,。,GG,使用湿膜光刻胶，采用单面压辊或刮刀涂布方式上胶。,膜厚在线可通过走速,/,抽泵强度调控，厚度,1.4um2.3um,易产生针孔，分辨率高，工艺制程复杂，涂布后需软烘烤后才能曝光。,涂布方式,GF2,结构,主要控制参数：压辊温度，压辊压力,主要品质问题：气泡，异物，附着不良,GG,结构,主要控制参数：涂布速度，抽泵频率，压辊压力,主要品质问题：膜厚不均，针孔，异物,主要控制参数及品质,GF2,结构,1,st,exposure:,双面接近式曝光，分辨率低，不易造成产品缺陷及,mask,划伤，,6,个对位镜头，双面同时对位,2,nd,exposure:,双面接触式曝光，分辨率低，易造成产品缺陷及,mask,划伤，,4,个对位镜头，双面同时对位,GG,结构,单面接近式曝光,，分辨率低，不易,造成产品缺陷,及,mask,划伤，,2,个对位镜头，单面对位,曝光方式,GG,对位方式,（,Glass stage,校准）,mask,glass,铬版,mask,（石英基板）,对,320-450nm,波长有很好的透过率，变形尺寸小，精度高,5um,成本高,干版,mask,（钠钙玻璃基板）,对,320-450nm,波长,有较好的,透过率，变形尺寸小，,精度较高,20um,菲,林,对,320-450nm,波长,有的透过率低，,变形,尺寸大,，,精度较高,30um,Mask,分类,E&H GF2,结构：,1,st,exposure,支持玻璃,mask,及菲林，,2,nd,exposure,只支持菲林,莱,宝,GG,结构：使用铬版,mask,主要控制参数及品质,主要控制参数：曝光强度，曝光,gap,曝光时间,主要品质问题：曝光不均，异物，过曝光，曝光不足,Mask cleaner & (Mask repair),光强测试仪,附属设备,The End,