TFT制程简介课件

TFT制程简介说明For:NBLCM F.A.TeamAuthor:Jessica _ LinDate:2009/1/81.TFT制程简介说明For:NBLCM F.A.Team目录:TFT制作流程图TFT制作过程说明TFT五层制程说明TFT的制作类型TFT的工作原理补充说明:1.实际显微镜下的比对2.TFT-LCD的工作说明其它2.目录:TFT制作流程图2.TFT制作流程图:PreCleanThin Film Deposition1.Macro-Inspection2.MonitorPR coatingExposureDeveloping1.ADI2.CD measurement3.AOIDry or Wet EtchingResist stripping1.AEI2.CD measurement3.Etch rate monitor4.AOIPreClean1.Test key2.Function test3.Laser repairPhoto ProcessThin Film ProcessEtching ProcessFinal testing3.TFT制作流程图:PreCleanThin Film DepTFT制程区域划分:薄膜区薄膜区-各层之薄膜成长黄光区黄光区-曝光.显影蚀蚀刻区刻区-图案成形及去光阻测试测试区区-array及外部电路之检查Equipment:Plasma CVD,Sputter-薄膜薄膜Nikon stepper,Canon scaner-黄光黄光Dry,Wet Etching-蚀蚀刻刻4.TFT制程区域划分:薄膜区-各层之薄膜成长EquipmenTFT制作流程说明:黄黄 光光 前前 洗洗 净PR Coating曝曝 光光显显 影影蚀蚀 刻刻去去 除除 光光 阻阻检检 查查薄薄 膜膜 沉沉 积积循循环环制程制程只有只有单一一层次次说明明:5.TFT制作流程说明:黄 光 前 洗 净PR Coating曝TFT Substrate1)Gate Metal (AlNd MoN)镀上MoN(氮化钼),Al+3%Nd(GATE)2)G I N (SiNx a-Si n+a-Si)G:Gate SiNx(氮硅化合物,绝缘层)I:a-Si(非结晶硅,通道层)N:N+(高浓度磷(PH3)的硅)降低界面电位差,使成为奥姆接触(Omic contact)3)S/D Metal (Mo AlMo)镀上镀上MoN(氮化钼),pure Al(source,drain)4)Passivation (SiNx)镀上保护层(把金属部份盖住)5)ITO (Indium-Tin-Oxide)镀上ITO(铟锑氧化物,画素电极)6.TFT Substrate1)Gate Metal TFT Layers 五层结构图GateGlass Substratea-SiGate metalLayer-1Insulator(G-SiNx)Layer-2n+a-SiS/D metalLayer-3S/D metalLayer-3PassivationLayer-4ITOLayer-5PassivationLayer-4SourceDrain7.TFT Layers 五层结构图GateGlass SubsTFT制作流程图:Initial clean初始清洗初始清洗Metal 1 DepositionGate薄膜沈薄膜沈积积Pre-Dep clean沈沈积前清洗前清洗Pre-Photo clean光阻被覆光阻被覆/曝光曝光/显影影Metal 1 photoLayer 1黄光制黄光制程程Wet etchLayer 1蚀蚀刻刻PR strip去除光阻去除光阻Pre-dep clean沈沈积前前预洗洗G-I-N DepositionG-I-N 薄膜沈薄膜沈积积ADI CD显影后影后CD量量测CD Loss蚀刻后刻后CD Loss量量测Marco Inspection强强光光检查检查IN photoIN黄光制程黄光制程ADI CD显影后影后CD量量测IN etchIN 蚀蚀刻刻Marco Inspection强强光光检查检查Layer-1Layer-28.TFT制作流程图:Initial cleanMetal 1 TFT制作流程图:PR strip去除光阻去除光阻Marco Inspection强强光光检查检查Pre-Dep clean沈沈积前前预洗洗S/D sputterS/D薄膜沈薄膜沈积积Marco Inspection强强光光检查检查S/D photoS/D黄光黄光ADI CD显影后影后CD量量测S/D etchS/D蚀蚀刻刻BAKE蚀刻前烘烤刻前烘烤N+etchchannel蚀蚀刻刻PR strip去除光阻去除光阻Surface conditionS/D CD Loss量量测测Pass.CVD护层护层沈沈积积Marco Inspection强强光光检查检查Pass.photo护层护层黄光黄光ADI CD显影后影后CD量量测Layer-2Layer-3Layer-49.TFT制作流程图:PR stripMarco InspecTFT制作流程图:Pass.etch护层蚀护层蚀刻刻PR strip去除光阻去除光阻ITO SputterITO薄膜沈薄膜沈积Marco Inspection强强光光检查检查ITO.photoITO黄光黄光ADI CD显影后影后CD量量测ITO.etchITO蚀蚀刻刻PR strip去除光阻去除光阻ITO space CD LossITO CD Loss量量测测Final Anneal回火回火TEG电电性量性量测测Array testArray测试测试Laser Repair雷射修雷射修护护Layer-4Layer-5Test10.TFT制作流程图:Pass.etchPR stripITO 说明 Cs on gateCst金属不透光区金属不透光区BM遮遮进来的区域来的区域ITO电电极区极区 能能够控制液晶分子排列的区域控制液晶分子排列的区域A.R.=65%显微微镜下的下的DOT等效等效电路路图:11.说明 Cs on gateCst金属不透光区BM遮进来的区域说明Cs on commonBM遮遮进来的区域来的区域ITO电电极区极区 能能够控制液晶分子排列的区域控制液晶分子排列的区域Cst金属不透光区金属不透光区A.R.=61%等效等效电路路图:显微微镜下的下的DOT12.说明Cs on commonBM遮进来的区域ITO电极区CsTFT Device 原件动作原理:视为一个开关一个开关组件件GDSGDSGDSONOFFi)在在闸极极给予适当之予适当之电压:Vgs Vth使信道感使信道感应出出电子子,由源极由源极(S)导通至汲极通至汲极(D)ii)当当闸极之极之电压Vgs Vth则感感应不出不出电子子,使得信道形成断路使得信道形成断路VgsVth13.TFT Device 原件动作原理:视为一个开关组件GDSGTFT-LCD剖面图14.TFT-LCD剖面图14.整块Panel的动作说明:ITO透明导电极CS 储存电容Gate-Bus-LineData-Bus-Line15.整块Panel的动作说明:ITOCS 储存电容Gate-BPanel外观说明:PCBA-XPCBA-YS-TABG-TABSDataLineG Scan Line DOT显示区域Fornt-RepairLineBack-RepairLine16.Panel外观说明:PCBA-XPS-TABG-TABSG Panel显微镜下比对:上半部S-TABS-OLB-LeadS-Data-Line17.Panel显微镜下比对:上半部S-TABS-OLB-LeadPanel显微镜下比对:下半部F-R.L.F-ESD-ProtectDOT AREAB-ESD-ProtectB-R.L.R.L.18.Panel显微镜下比对:下半部F-R.L.F-ESD-Pro其它:MTSP:Metal Sputter(金属金属层溅镀层溅镀)CVDA:AKT CVD(绝缘层镀绝缘层镀膜膜)CVDB:BPS CVD(绝缘层镀膜膜)ITSP:ITO Sputter(ITO层溅镀层溅镀)薄膜薄膜设备代代码:TLCD:Tel Coater/Develop(光阻被覆光阻被覆/显显影影)NIKN:Nikon exposure(曝光曝光)黄光黄光设备代代码:CANO:Canon exposure(曝光曝光)WETX:Wet etch(湿式湿式蚀蚀刻刻)STRP:Stripper(光阻去除光阻去除)蚀刻刻设备代代码:DRYT:Tel Dry etch(干式干式蚀蚀刻刻)DRYP:PSC Dry etch(干式干式蚀蚀刻刻)AOIH:Auto Optical Inspection High ResolutionSUFS:Surface Scan检验设备代代码:AOIL:Auto Optical Inspection Low ResolutionADSI:After Develop/Strip inspectionSUFP:Surface ProfileNANO:NANO meterELIP:Ellipsometer19.其它:MTSP:Metal Sputter(金属层溅镀THE EDNTHANKS FOR YOUR ATTENDANCE20.THE EDNTHANKS FOR20.