晶硅组件工艺常见问题及处理方法（含答案）课件

晶硅组件工艺常见问题及处理方法晶硅组件工艺常见问题及处理方法技术部组件2010-01-18晶硅组件工艺常见问题及处理方法技术部组件备料备料1.焊接不良：原因：助焊剂使用次数超期措施：如期更换助焊剂并做好记录侦测：电池片拉力测试2.备料尺寸不良：原因：未按技术要求备料措施：查看作业指导书或图纸侦测：对裁剪好的材料进行首检3.组件内有异物：原因：玻璃、EVA、背板上有异物措施：确保备料台面清洁，使用气枪吹玻璃毛面侦测：抽查备料台架是否清洁、玻璃是否使用气枪吹干净备料焊接不良：单串焊单串焊1.裂片：原因：电池片来料不良措施：追溯电池片来源是否正常侦测：来料不良率异常、工程碎片率异常原因：互联条异常措施：控制原材料侦测：检查互联条厂家、硬度、厚度、规格是否正常原因：焊接设备温度异常措施：定期抽查焊接设备温度点检记录侦测：点检电烙铁及焊接台面温度是否正常单串焊裂片：单串焊单串焊2.虚焊：原因：助焊剂问题措施：互联条备料严格按工艺文件要求操作侦测：批量性出现虚焊，抽检电池片拉力原因：焊接规范性措施：加强员工焊接的规范性侦测：查看员工操作手法是否正确原因：焊接设备温度异常措施：定期抽查焊接设备温度点检记录侦测：检查烙铁及焊接台面温度单串焊虚焊：单串焊单串焊3.崩边：原因：来料不良措施：加强焊接前电池片的检查侦测：抽检电池片来料原因：操作不当措施：拿捏电池片轻拿轻放侦测：查找崩边发生工序4.色差：原因：来料不良措施：加强焊接前电池片的检查侦测：抽检电池片来料单串焊崩边：单串焊单串焊5.电池串歪斜：原因：电池片尺寸不良措施：加强焊接前电池片的检查侦测：抽检电池片来料尺寸原因：操作不当措施：串焊时电池片在模具内放到位后再焊接侦测：量测片间距和单边线性单串焊电池串歪斜：半成品测试半成品测试1.曲线异常：原因：电池串间Isc不匹配措施：确保电池片分选正确不混档侦测：测量每串电池I-V，查看Isc是否匹配原因：混片、裂片措施：加强电池片来料及分选的管控侦测：EL测试查看是否存在不良电池片原因：组件正面有遮挡物措施：保持测试仪台面清洁侦测：检查测试仪台面原因：设备异常措施：防止测试仪的玻璃和膜面划伤，设备定期保养侦测：检测测试仪的光强均匀性半成品测试曲线异常：半成品测试半成品测试2.功率偏低：原因：组件内部分电池片排反措施：加强串焊敷设工序的操作规范性侦测：测试每串电池功率，查看电池排列方式是否正确原因：组件存在不良片措施：加强电池片来料及分选的管控侦测：EL测试半成品测试功率偏低：层压层压1.汇流带旁气泡：原因：真空轻微不良措施：定期保养真空泵、密封圈、层压布、充气管道阀门等侦测：真空底压漏率是否正常，层压布是否脏污，密封圈是否脱落原因：温度偏高措施：定期点检层压机温度侦测：检测层压温度，查看温度设定是否正确原因：加压时间过长措施：定期清理充气管道阀门侦测：查看加压时间与设定值是否有差异（NPC上尤为明显）层压汇流带旁气泡：层压层压2.组件边缘气泡：原因：真空不良措施：定期保养真空泵、密封圈、层压布、充气管道阀门等侦测：真空底压漏率是否正常，层压布是否脏污，密封圈是否脱落3.焊带气泡：原因：助焊剂不匹配（如Etimex EVA配Kester助焊剂）措施：对特殊的EVA需用指定的助焊剂侦测：查看助焊剂使用是否正确，助焊剂是否过期层压组件边缘气泡：层压层压4.大面积气泡：原因：层皮破损措施：定期保养更换层压皮侦测：检查层压皮是否有破损原因：密封圈破损措施：定期保养更换密封圈侦测：检查密封圈是否有破损原因：真空阀不良措施：定期保养更换真空阀密封圈侦测：层压过程是否出现真空度低或真空报警层压大面积气泡：层压层压5.EVA空洞：原因：温度偏高措施：定期点检层压机温度侦测：检测层压温度，查看温度设定是否正确原因：EVA不良措施：选用合格的EVA侦测：测试EVA收缩率层压EVA空洞：装框装框1.外观尺寸不合格：原因：边框来料不良措施：加强进料检验及过程抽检侦测：测量边框外形尺寸是否与设计图纸相符原因：装框设备异常措施：定期保养装框机侦测：边框尺寸合格，设备调试装框外观尺寸不合格：装框装框2.边框表面不良：原因：来料不良措施：加强进料检验及过程抽检侦测：现场抽查原因：人为损坏措施：加强员工操作规范侦测：现场跟踪装框边框表面不良：装框装框3.接线盒不良：原因：安装移位措施：加强员工操作规范侦测：现场测量距边框距离原因：规格使用错误措施：严格控制物料领用发放侦测：核对使用的接线盒是否与工单物料一致原因：来料不良措施：加强进料检验及过程抽检侦测：安装前对接线盒进行抽检装框接线盒不良：终测终测1.曲线异常：原因：电池串间Isc不匹配措施：确保电池片分选正确不混档，追查半成品测试结果侦测：测量每串电池I-V，查看Isc是否匹配原因：混片、裂片措施：加强电池片来料及分选的管控，追查半成品测试结果侦测：EL测试查看是否存在不良电池片原因：设备异常措施：设备定期保养侦测：查看接线转接头是否正常，检测测试仪的光强均匀性终测曲线异常：终测终测2.功率偏低：原因：接线盒二极管击穿措施：避免手及带静电物直接接触二极管，加强来料二极管抽查侦测：使用万用表测量接线盒二极管是否已双向导通原因：电池片混档措施：加强电池片来料及分选的管控，追查半成品测试结果侦测：查看EL测试照片原因：组件内电池片排反措施：加强串焊敷设工序的操作规范性，追查半成品测试结果侦测：测试每串电池功率，查看EL测试照片原因：校准有误措施：测试人员校准时严格按照校准规范作业侦测：查看校准数据及跟踪板数据终测功率偏低：终测终测原因：测量环境不合格措施：严格控制环境温度、光强侦测：查看测试组件温度及环境温度是否合格，光照强度是否达标原因：转接头损坏措施：对接触不良的转接头定期更换侦测：查看转接头接插是否良好，金属片是否有脱落原因：设备异常措施：设备定期保养，确保光强及均匀性合格侦测：光强波动较大，检测光强均匀性终测原因：测量环境不合格终测终测3.功率偏高：原因：校准有误措施：测试人员校准时严格按照校准规范作业侦测：查看校准数据及跟踪板数据原因：设备异常措施：设备定期保养，确保光强及均匀性合格侦测：光强波动较大，检测光强均匀性终测功率偏高：判断题判断题1.Etimex EVA使用的助焊剂为Tamura.()2.小料背板的作用是绝缘汇流条与电池片防止短路.()3.新开封的玻璃有保护纸，不再需要用气枪吹.()4.开封的EVA使用纸包裹后可以存放24小时以上.()5.每泡300KG或使用72小时更换一次助焊剂.()6.单串焊的焊接温度为3505.()7.导致虚焊的可能因素有：助焊剂不良、焊接手法不当、焊接温度偏低等.()8.在单焊处可以将尺寸一致的电池片一并放置.()9.焊接强度要求：拉力3.8N10.串焊时只需确保电池片间距20.5mm()判断题Etimex EVA使用的助焊剂为T判断题判断题11.单焊时每焊5片电池片清洗一次烙铁头()12.敷设时各串间最大测量电压差值0.3V可正常放行.()13.半成品测试时用橡皮垫于电池片下方以便拿组件.()14.电池串间Isc不匹配容易造成曲线异常.()15.只要漏率合格，层压布的脏污不影响层压效果.()16.博硕层压进料前确认层压腔内传送布位于热板上.()17.层压出料6分钟后直接将层压布卷起放至下炉使用()18.交联度制样时样本按前中后方式放于层压机边缘.()19.层压过程出现真空报警，手动消除后继续层压.()20.层压背板有凹坑，检查层压布上是否有残余EVA.()判断题单焊时每焊5片电池片清洗一次烙铁头()判断题判断题21.密封圈脱落可能出现层压气泡.()22.层压进料前需确保组件在进料台的位置无误.()23.组件长宽及对角线方向的公差为+1.5mm/-1mm.()24.调试装框机，确认第一块尺寸正常后可正常生产.()25.装框生产时，每5块抽检一次测量并填写关键尺寸()26.边框打胶前查看边框外观并抖落边框内的铝屑.()27.装框时角健插入长边框两端的内腔.()28.装接线盒前在引出线开口处用硅胶密封.()29.接线盒端子间距相同的可以通用.()30.清洁发现接线盒二极管松动，用剪刀撬起后重插.()判断题密封圈脱落可能出现层压气泡判断题判断题31.对于边角溢胶多的组件，可以用酒精浸泡几分钟.()32.对于组件背板上的硅胶可以使用刀片轻轻刮除.()33.可以测出数据，说明接线转接头是完好的.()34.若实测功率只有目标值2/3左右，接线盒二极管坏的可能性较大.()35.环境温度25.2下可以测试温度为20的组件.()36.环境温度为25.0，光强1000W/M2下校准NPC.()37.环境温度为25.0，光强1000W/M2下校准DKSK.()38.终测校准平均功率波动小于0.2W为合格()39.终测功率校准每4小时进行一次.()40.用校准板校准好后即进行组件测试.()判断题对于边角溢胶多的组件，可以用酒精浸泡几分钟.()答案答案1.：Etimex EVA指定使用Kester，常规的使用Tamura；2.；3.：会有干燥剂及纸屑等异物；4.：EVA存储方式为真空避光保存；5.；6.：单焊3305，串焊3505；7.；8.：会造成色差及电流档不匹配；9.：电池片碎拉力3.8N，电池片未碎拉力7N；10.：还需确保单边线性，即靠边对齐；11.：每焊接1片清洗一次烙铁头；12.；13.：会遮挡电池片，造成测试不准确或曲线异常；14.；15.：漏率控制值并非好坏的分水岭，层压布脏污时存在层压不良隐患；16.：应在热板下方（NPC申科不在此列）；17.：需清理层压布上的残留EVA；18.：放于层压机中间；19.：通知设备与工艺处理；20.；答案：Etimex EVA指定使用Kester，常规的使用答案答案21.；22.；23.：对角线差3mm；24.：进行20块连续检查并记录测量值；25.；26.；27.：应为短边框两端；28.；29.：不同工单的物料不可混用；30.：避免导体接触二极管；31.：浸泡酒精会渗透硅胶内部，影响封装效果；32.：用橡皮清理背板上的硅胶；33.：接线转接头不良会影响测试准确性；34.；35.：组件温度也需在规定范围内；36.：NPC光强要求145050W/M2；37.；38.；39.；40.：还需测试跟踪板。答案；25