《汽车电工电子技术基础 》万捷主编第5章

总目录总目录上页上页章目录章目录下页下页返回返回第第5 5章章 半导体器件及应用半导体器件及应用5.15.1 半导体基础知识半导体基础知识半导体基础知识半导体基础知识5.25.2 二极管二极管二极管二极管5.35.3 三极管三极管三极管三极管5.45.4 三极管基本放大电路三极管基本放大电路三极管基本放大电路三极管基本放大电路5.55.5 其他半导体器件其他半导体器件其他半导体器件其他半导体器件5.65.6 集成运算放大器集成运算放大器集成运算放大器集成运算放大器总目录总目录上页上页章目录章目录下页下页返回返回第第5 5章章 半导体器件及应用半导体器件及应用理解半导体的导电特性，理解半导体的导电特性，理解半导体的导电特性，理解半导体的导电特性，PNPNPNPN结的概念及特性；结的概念及特性；结的概念及特性；结的概念及特性；掌握二极管的单向导电性、检测方法及在汽车电子电掌握二极管的单向导电性、检测方法及在汽车电子电掌握二极管的单向导电性、检测方法及在汽车电子电掌握二极管的单向导电性、检测方法及在汽车电子电路中的典型应用；路中的典型应用；路中的典型应用；路中的典型应用；掌握三极管的伏安特性及管脚的识别，了解其构成的掌握三极管的伏安特性及管脚的识别，了解其构成的掌握三极管的伏安特性及管脚的识别，了解其构成的掌握三极管的伏安特性及管脚的识别，了解其构成的各类放大电路的特点及在汽车中的应用；各类放大电路的特点及在汽车中的应用；各类放大电路的特点及在汽车中的应用；各类放大电路的特点及在汽车中的应用；了解其他特种半导体器件的特点及在汽车中的应用。了解其他特种半导体器件的特点及在汽车中的应用。了解其他特种半导体器件的特点及在汽车中的应用。了解其他特种半导体器件的特点及在汽车中的应用。掌握集成运放电路的分析方法，了解其在汽车中应用。掌握集成运放电路的分析方法，了解其在汽车中应用。掌握集成运放电路的分析方法，了解其在汽车中应用。掌握集成运放电路的分析方法，了解其在汽车中应用。本章要求本章要求本章要求本章要求:总目录总目录上页上页章目录章目录下页下页返回返回5.1 半导体基础知识半导体基础知识5.1.1 半导体半导体半导体：半导体：半导体：半导体：介于导体和绝缘体之间的物质。介于导体和绝缘体之间的物质。介于导体和绝缘体之间的物质。介于导体和绝缘体之间的物质。如硅、锗、硒等如硅、锗、硒等如硅、锗、硒等如硅、锗、硒等掺杂性：掺杂性：掺杂性：掺杂性：往纯净的半导体中掺入某些杂质，导电能力明显改往纯净的半导体中掺入某些杂质，导电能力明显改往纯净的半导体中掺入某些杂质，导电能力明显改往纯净的半导体中掺入某些杂质，导电能力明显改变变变变(可做成各种不同用途的半导体器件，如二极管、可做成各种不同用途的半导体器件，如二极管、可做成各种不同用途的半导体器件，如二极管、可做成各种不同用途的半导体器件，如二极管、三极管和晶闸管等）。三极管和晶闸管等）。三极管和晶闸管等）。三极管和晶闸管等）。光敏性：光敏性：光敏性：光敏性：当受到光照时，导电能力明显变化当受到光照时，导电能力明显变化当受到光照时，导电能力明显变化当受到光照时，导电能力明显变化 (可做成各种可做成各种可做成各种可做成各种光敏元件，如光敏电阻、光敏二极管、光敏三光敏元件，如光敏电阻、光敏二极管、光敏三光敏元件，如光敏电阻、光敏二极管、光敏三光敏元件，如光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管等极管等极管等极管等)。热敏性：热敏性：热敏性：热敏性：当环境温度升高时，导电能力显著增强当环境温度升高时，导电能力显著增强当环境温度升高时，导电能力显著增强当环境温度升高时，导电能力显著增强(可做成可做成可做成可做成 温度敏感元件，如热敏电阻温度敏感元件，如热敏电阻温度敏感元件，如热敏电阻温度敏感元件，如热敏电阻)。总目录总目录上页上页章目录章目录下页下页返回返回1.1.本征半导体本征半导体本征半导体本征半导体 完全纯净的、具有晶体结构的半导体，称为完全纯净的、具有晶体结构的半导体，称为完全纯净的、具有晶体结构的半导体，称为完全纯净的、具有晶体结构的半导体，称为本征半导体。本征半导体。本征半导体。本征半导体。本征硅的晶体结构图本征硅的晶体结构图本征硅的晶体结构图本征硅的晶体结构图 共价健共价健+4+4+4+4+4+4+4+4价电子价电子本征硅的结构平面图本征硅的结构平面图本征硅的结构平面图本征硅的结构平面图共有价电子所形成的束缚作用称为共有价电子所形成的束缚作用称为共有价电子所形成的束缚作用称为共有价电子所形成的束缚作用称为共价键共价键共价键共价键总目录总目录上页上页章目录章目录下页下页返回返回+4+4+4+4+4+4+4+4价电子价电子空穴空穴自由电子自由电子 共价键中的少量价电子在温共价键中的少量价电子在温共价键中的少量价电子在温共价键中的少量价电子在温度升高或受光照后，会获得足度升高或受光照后，会获得足度升高或受光照后，会获得足度升高或受光照后，会获得足够的动能，将挣脱原子核的束够的动能，将挣脱原子核的束够的动能，将挣脱原子核的束够的动能，将挣脱原子核的束缚，成为缚，成为缚，成为缚，成为自由电子自由电子自由电子自由电子（带负电），（带负电），（带负电），（带负电），同时共价键中留下一个空位，同时共价键中留下一个空位，同时共价键中留下一个空位，同时共价键中留下一个空位，称为称为称为称为空穴空穴空穴空穴（带正电）（带正电）（带正电）（带正电）。这一现象称为本征激发这一现象称为本征激发这一现象称为本征激发这一现象称为本征激发。在外电场的作用下，空穴吸引相邻原子的价电子移动过来在外电场的作用下，空穴吸引相邻原子的价电子移动过来在外电场的作用下，空穴吸引相邻原子的价电子移动过来在外电场的作用下，空穴吸引相邻原子的价电子移动过来填补，而在该原子中出现一个空穴。如此继续下去，形成了填补，而在该原子中出现一个空穴。如此继续下去，形成了填补，而在该原子中出现一个空穴。如此继续下去，形成了填补，而在该原子中出现一个空穴。如此继续下去，形成了空穴运动。空穴运动。空穴运动。空穴运动。总目录总目录上页上页章目录章目录下页下页返回返回 当半导体两端加上外电压时，在半导体中将出现两部分电当半导体两端加上外电压时，在半导体中将出现两部分电当半导体两端加上外电压时，在半导体中将出现两部分电当半导体两端加上外电压时，在半导体中将出现两部分电流：流：流：流：电子电流电子电流电子电流电子电流和和和和空穴电流空穴电流空穴电流空穴电流 自由电子和自由电子和自由电子和自由电子和空穴都称为载流子空穴都称为载流子空穴都称为载流子空穴都称为载流子。本征半导体中有两种载流子（自由电子和空穴）同时参与本征半导体中有两种载流子（自由电子和空穴）同时参与本征半导体中有两种载流子（自由电子和空穴）同时参与本征半导体中有两种载流子（自由电子和空穴）同时参与导电，导电，导电，导电，这是本征半导体区别于金属导体的一个重要特性，此这是本征半导体区别于金属导体的一个重要特性，此这是本征半导体区别于金属导体的一个重要特性，此这是本征半导体区别于金属导体的一个重要特性，此特性称为它的特性称为它的特性称为它的特性称为它的导电机理导电机理导电机理导电机理。注意：注意：注意：注意：在常温下，本征半导体中载流子很少，其导电性能很差。在常温下，本征半导体中载流子很少，其导电性能很差。在常温下，本征半导体中载流子很少，其导电性能很差。在常温下，本征半导体中载流子很少，其导电性能很差。为了提高其导电性能，通常将其制成杂质半导体。为了提高其导电性能，通常将其制成杂质半导体。为了提高其导电性能，通常将其制成杂质半导体。为了提高其导电性能，通常将其制成杂质半导体。总目录总目录上页上页章目录章目录下页下页返回返回2.2.杂质半导体杂质半导体杂质半导体杂质半导体 在本征半导体中掺入微量的有用杂质形成的半导体。在本征半导体中掺入微量的有用杂质形成的半导体。在本征半导体中掺入微量的有用杂质形成的半导体。在本征半导体中掺入微量的有用杂质形成的半导体。（1 1）P P型半导体型半导体型半导体型半导体 掺入三价元素掺入三价元素掺入三价元素掺入三价元素+4+4+4+4+4+4+4+4空穴空穴+3+3硼原子硼原子接受一个电接受一个电接受一个电接受一个电子变为负离子变为负离子变为负离子变为负离子子子子空穴是多数载流子，空穴是多数载流子，空穴是多数载流子，空穴是多数载流子，自由电子是少数载流子。自由电子是少数载流子。自由电子是少数载流子。自由电子是少数载流子。空穴导电成为这种半导体的空穴导电成为这种半导体的空穴导电成为这种半导体的空穴导电成为这种半导体的主要导电方式，也称为空穴主要导电方式，也称为空穴主要导电方式，也称为空穴主要导电方式，也称为空穴型半导体。型半导体。型半导体。型半导体。自由电子空穴对自由电子空穴对自由电子空穴对自由电子空穴对总目录总目录上页上页章目录章目录下页下页返回返回+4+4+4+4+4+4+4+4+5+5多余多余电子电子磷原子磷原子在常温下即可变在常温下即可变为自由电子为自由电子失去一个电失去一个电子变为正离子变为正离子子自由电子导电成为这种半导体的自由电子导电成为这种半导体的自由电子导电成为这种半导体的自由电子导电成为这种半导体的主要导电方式，称为电子型半导主要导电方式，称为电子型半导主要导电方式，称为电子型半导主要导电方式，称为电子型半导体。体。体。体。掺入五价元素掺入五价元素掺入五价元素掺入五价元素自由电子是多数载流子，自由电子是多数载流子，自由电子是多数载流子，自由电子是多数载流子，空穴是少数载流子。空穴是少数载流子。空穴是少数载流子。空穴是少数载流子。（2 2）N N型半导体型半导体型半导体型半导体 自由电子空穴对自由电子空穴对自由电子空穴对自由电子空穴对总目录总目录上页上页章目录章目录下页下页返回返回 综综上所述，无上所述，无上所述，无上所述，无论论是是是是P P型型型型还还是是是是N N型半导体，其中型半导体，其中型半导体，其中型半导体，其中多数载流子多数载流子多数载流子多数载流子都是都是都是都是掺入杂质造成掺入杂质造成掺入杂质造成掺入杂质造成的，尽管杂质含量微乎其微，却的，尽管杂质含量微乎其微，却的，尽管杂质含量微乎其微，却的，尽管杂质含量微乎其微，却能使其能使其能使其能使其导电性能大大改善导电性能大大改善导电性能大大改善导电性能大大改善。而它们的。而它们的。而它们的。而它们的少数载流子，少数载流子，少数载流子，少数载流子，都是由于都是由于都是由于都是由于热激热激热激热激发产生的发产生的发产生的发产生的。虽然少子浓度很低，但。虽然少子浓度很低，但。虽然少子浓度很低，但。虽然少子浓度很低，但对温度非常敏感对温度非常敏感对温度非常敏感对温度非常敏感，其浓，其浓，其浓，其浓度随温度的升高而增大，因此度随温度的升高而增大，因此度随温度的升高而增大，因此度随温度的升高而增大，因此温度是影响半导体性能的一温度是影响半导体性能的一温度是影响半导体性能的一温度是影响半导体性能的一个重要因素个重要因素个重要因素个重要因素。由于杂质半导体具有良好的导电性，在实际中常用来生由于杂质半导体具有良好的导电性，在实际中常用来生由于杂质半导体具有良好的导电性，在实际中常用来生由于杂质半导体具有良好的导电性，在实际中常用来生成成成成PNPN结。结。结。结。PNPN结具有单一型半导体结具有单一型半导体结具有单一型半导体结具有单一型半导体（P P型或型或型或型或N N型）型）型）型）所不具备所不具备所不具备所不具备的新特性，利用此特性制造出了各种半导体器件，推动了的新特性，利用此特性制造出了各种半导体器件，推动了的新特性，利用此特性制造出了各种半导体器件，推动了的新特性，利用此特性制造出了各种半导体器件，推动了电子技术的发展。电子技术的发展。电子技术的发展。电子技术的发展。总目录总目录上页上页章目录章目录下页下页返回返回5.1.2 PN结结P P 型半导体型半导体型半导体型半导体N N 型半导体型半导体型半导体型半导体+空穴空穴自由电子自由电子负离子负离子正离子正离子PNPN结结结结自由电子自由电子空穴空穴在杂质半导体在杂质半导体在杂质半导体在杂质半导体P P和和和和N N的结合面的结合面的结合面的结合面附近存在着的特殊薄层称为附近存在着的特殊薄层称为附近存在着的特殊薄层称为附近存在着的特殊薄层称为PNPN结结结结。在在在在PNPN结结中空穴和自由中空穴和自由中空穴和自由中空穴和自由电电子都基本上耗尽了，故子都基本上耗尽了，故子都基本上耗尽了，故子都基本上耗尽了，故PNPN结结结结又称为又称为又称为又称为耗尽层耗尽层耗尽层耗尽层，耗尽层中有一个内电场，方向如上图所示。，耗尽层中有一个内电场，方向如上图所示。，耗尽层中有一个内电场，方向如上图所示。，耗尽层中有一个内电场，方向如上图所示。内电场内电场总目录总目录上页上页章目录章目录下页下页返回返回1.1.PNPN结加正向电压结加正向电压结加正向电压结加正向电压（正向偏置）（正向偏置）（正向偏置）（正向偏置）PN 结变窄结变窄 P接正、接正、N接负接负 外电场外电场IF PN PN 结处于导通状态结处于导通状态结处于导通状态结处于导通状态内电场内电场PN+内电场被内电场被内电场被内电场被削弱，多子削弱，多子削弱，多子削弱，多子的扩散加强，的扩散加强，的扩散加强，的扩散加强，形成较大的形成较大的形成较大的形成较大的扩散电流。扩散电流。扩散电流。扩散电流。总目录总目录上页上页章目录章目录下页下页返回返回2.2.PN PN 结加反向电压结加反向电压结加反向电压结加反向电压（反向偏置）（反向偏置）（反向偏置）（反向偏置）外电场外电场外电场外电场内电场内电场内电场内电场P PN N+P P接负、接负、接负、接负、N N接正接正接正接正 总目录总目录上页上页章目录章目录下页下页返回返回PN PN 结变宽结变宽结变宽结变宽2.PN2.PN结加反向电压结加反向电压结加反向电压结加反向电压（反向偏置）（反向偏置）（反向偏置）（反向偏置）外电场外电场外电场外电场 内电场被加内电场被加强，少子的漂强，少子的漂移加强，由于移加强，由于少子数量很少，少子数量很少，形成很小的反形成很小的反向电流。向电流。IR P P接负、接负、接负、接负、N N接正接正接正接正 +PN PN 结处于截止状态。结处于截止状态。结处于截止状态。结处于截止状态。内电场内电场内电场内电场P PN N+PNPN结结结结正向导通正向导通正向导通正向导通、反向截止反向截止反向截止反向截止的特性称为其的特性称为其的特性称为其的特性称为其单向导电性单向导电性单向导电性单向导电性总目录总目录上页上页章目录章目录下页下页返回返回3.PN3.PN结的结电容结的结电容结的结电容结的结电容PNPN结的结构类似平板电容器结的结构类似平板电容器结的结构类似平板电容器结的结构类似平板电容器相当于相当于导体导体相当于相当于导体导体相当于相当于介质介质相当于相当于介质介质相当于相当于存储电荷存储电荷结电结电容数容数容数容数值值很小，在低很小，在低很小，在低很小，在低频电频电路中，相当于开路，不用考路中，相当于开路，不用考路中，相当于开路，不用考路中，相当于开路，不用考虑虑其影响，但在高其影响，但在高其影响，但在高其影响，但在高频电频电路中，容抗很小，路中，容抗很小，路中，容抗很小，路中，容抗很小，对对PNPN结结的的的的电电流有影响，流有影响，流有影响，流有影响，必必必必须须加以考加以考加以考加以考虑虑。P P 型半导体型半导体型半导体型半导体+PNPN结结结结N N 型半导体型半导体型半导体型半导体总目录总目录上页上页章目录章目录下页下页返回返回5.2 二极管二极管5.2.1 结构和分类结构和分类负极负极正极正极符号符号VDPN正极正极负极负极外壳外壳PN结结二极管的结构示意图二极管的结构示意图分类分类分类分类结构结构结构结构（1 1）点接触型、面接触型、平面型）点接触型、面接触型、平面型）点接触型、面接触型、平面型）点接触型、面接触型、平面型（2 2）硅管和锗管）硅管和锗管）硅管和锗管）硅管和锗管（3 3）普通管和特殊管）普通管和特殊管）普通管和特殊管）普通管和特殊管下页下页总目录总目录上页上页章目录章目录下页下页返回返回负极引线负极引线正极引线正极引线二氧化硅保护层二氧化硅保护层P型硅型硅N型硅型硅(c)平面型平面型金属触丝金属触丝正极引线正极引线N型锗片型锗片负极引线负极引线外壳外壳(a )点接触型点接触型铝合金小球铝合金小球N型硅型硅正极引线正极引线PN结结金锑合金金锑合金底座底座负极引线负极引线(b )面接触型面接触型二极管的结构示意图二极管的结构示意图二极管的结构示意图二极管的结构示意图 用于集成电路制作工艺用于集成电路制作工艺用于集成电路制作工艺用于集成电路制作工艺中。中。中。中。PNPN结结面积可大可小，结结面积可大可小，结结面积可大可小，结结面积可大可小，用于高频整流和开关电路用于高频整流和开关电路用于高频整流和开关电路用于高频整流和开关电路中。中。中。中。总目录总目录上页上页章目录章目录下页下页返回返回硅硅硅硅U Uthth=0.5V,0.5V,锗锗锗锗U Uthth=0 0.1V.1V。反向击穿反向击穿电压电压U(BR)管压降管压降管压降管压降 外加电压大于死区电外加电压大于死区电外加电压大于死区电外加电压大于死区电压二极管才能导通。压二极管才能导通。压二极管才能导通。压二极管才能导通。外加电压大于反向击穿电外加电压大于反向击穿电外加电压大于反向击穿电外加电压大于反向击穿电压二极管被击穿，失去单向压二极管被击穿，失去单向压二极管被击穿，失去单向压二极管被击穿，失去单向导电性导电性导电性导电性。正向特性正向特性正向特性正向特性反向特性反向特性特点：非线性特点：非线性特点：非线性特点：非线性UI死区电压死区电压死区电压死区电压PN+PN+硅硅硅硅0 0 0 0.60.8V.60.8V锗锗锗锗0 0.2.20.3V0.3V5.2.2 二极管的伏安特性二极管的伏安特性总目录总目录上页上页章目录章目录下页下页返回返回1.1.最大整流电流最大整流电流最大整流电流最大整流电流 I IFMFM二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。2.2.最高反向工作电压最高反向工作电压最高反向工作电压最高反向工作电压U URMRM3.3.最大反向电流最大反向电流最大反向电流最大反向电流I IRMRM保证二极管不被击穿而制定的最高反向电压，一般是二极保证二极管不被击穿而制定的最高反向电压，一般是二极保证二极管不被击穿而制定的最高反向电压，一般是二极保证二极管不被击穿而制定的最高反向电压，一般是二极管反向击穿电压管反向击穿电压管反向击穿电压管反向击穿电压U UBRBR的一半或三分之二。二极管击穿后单向导的一半或三分之二。二极管击穿后单向导的一半或三分之二。二极管击穿后单向导的一半或三分之二。二极管击穿后单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。电性被破坏，甚至过热而烧坏。电性被破坏，甚至过热而烧坏。电性被破坏，甚至过热而烧坏。指二极管加最高反向工作电压时的反向电流值。反向电指二极管加最高反向工作电压时的反向电流值。反向电指二极管加最高反向工作电压时的反向电流值。反向电指二极管加最高反向工作电压时的反向电流值。反向电流值越小，管子的单向导电性能越好。其值随着温度的上流值越小，管子的单向导电性能越好。其值随着温度的上流值越小，管子的单向导电性能越好。其值随着温度的上流值越小，管子的单向导电性能越好。其值随着温度的上升而显著增加，因此温度会影响二极管的性能。升而显著增加，因此温度会影响二极管的性能。升而显著增加，因此温度会影响二极管的性能。升而显著增加，因此温度会影响二极管的性能。4.4.最高工作频率最高工作频率最高工作频率最高工作频率f fMM5.2.3 主要参数主要参数总目录总目录上页上页章目录章目录下页下页返回返回 是指保证二极管具有单向导电作用的最高工作频率。当工是指保证二极管具有单向导电作用的最高工作频率。当工是指保证二极管具有单向导电作用的最高工作频率。当工是指保证二极管具有单向导电作用的最高工作频率。当工作频率过高时，二极管的单向导电性能就会变差，甚至失去作频率过高时，二极管的单向导电性能就会变差，甚至失去作频率过高时，二极管的单向导电性能就会变差，甚至失去作频率过高时，二极管的单向导电性能就会变差，甚至失去单向导电性。点接触型锗管其最高工作频率可达几百兆赫，单向导电性。点接触型锗管其最高工作频率可达几百兆赫，单向导电性。点接触型锗管其最高工作频率可达几百兆赫，单向导电性。点接触型锗管其最高工作频率可达几百兆赫，而面接触型硅整流管，其最高工作频率只有三千赫。而面接触型硅整流管，其最高工作频率只有三千赫。而面接触型硅整流管，其最高工作频率只有三千赫。而面接触型硅整流管，其最高工作频率只有三千赫。1.1.二极管极性的识别二极管极性的识别二极管极性的识别二极管极性的识别（1 1）一般情况下，可通过管壳上的标记确定一般情况下，可通过管壳上的标记确定一般情况下，可通过管壳上的标记确定一般情况下，可通过管壳上的标记确定。有色环的二有色环的二有色环的二有色环的二极管，色环所在的一端为负极；带色点的二极管，色点所在极管，色环所在的一端为负极；带色点的二极管，色点所在极管，色环所在的一端为负极；带色点的二极管，色点所在极管，色环所在的一端为负极；带色点的二极管，色点所在的一端为正极。的一端为正极。的一端为正极。的一端为正极。（2 2）无标记的二极管，可通过万用表来判断正负极）无标记的二极管，可通过万用表来判断正负极）无标记的二极管，可通过万用表来判断正负极）无标记的二极管，可通过万用表来判断正负极。正负极的确定是利用了二极管正向电阻小、反向电阻大的正负极的确定是利用了二极管正向电阻小、反向电阻大的正负极的确定是利用了二极管正向电阻小、反向电阻大的正负极的确定是利用了二极管正向电阻小、反向电阻大的特点。特点。特点。特点。将万用表拨到将万用表拨到将万用表拨到将万用表拨到R1kR1k档，用表笔分别接触二极管的两档，用表笔分别接触二极管的两档，用表笔分别接触二极管的两档，用表笔分别接触二极管的两极，测出两个电阻值。在所测得阻值较小的一次，与极，测出两个电阻值。在所测得阻值较小的一次，与极，测出两个电阻值。在所测得阻值较小的一次，与极，测出两个电阻值。在所测得阻值较小的一次，与5.2.4 二极管的检测二极管的检测总目录总目录上页上页章目录章目录下页下页返回返回黑表笔相接的一端为黑表笔相接的一端为黑表笔相接的一端为黑表笔相接的一端为正极。同理，在所测得阻值较大的一次，正极。同理，在所测得阻值较大的一次，正极。同理，在所测得阻值较大的一次，正极。同理，在所测得阻值较大的一次，与黑表笔相接的一端为负极，如图所示。与黑表笔相接的一端为负极，如图所示。与黑表笔相接的一端为负极，如图所示。与黑表笔相接的一端为负极，如图所示。上述检测使用的是指针式万用表，实际上也可使用数字万用上述检测使用的是指针式万用表，实际上也可使用数字万用上述检测使用的是指针式万用表，实际上也可使用数字万用上述检测使用的是指针式万用表，实际上也可使用数字万用表。如果用数字万用表，表笔情况正好相反，即在所测得阻表。如果用数字万用表，表笔情况正好相反，即在所测得阻表。如果用数字万用表，表笔情况正好相反，即在所测得阻表。如果用数字万用表，表笔情况正好相反，即在所测得阻值较小的一次，与黑表笔相接的一端为二极管负极。同理，值较小的一次，与黑表笔相接的一端为二极管负极。同理，值较小的一次，与黑表笔相接的一端为二极管负极。同理，值较小的一次，与黑表笔相接的一端为二极管负极。同理，在所测得电阻值较大的一次，与黑表笔相接的是二极管正极。在所测得电阻值较大的一次，与黑表笔相接的是二极管正极。在所测得电阻值较大的一次，与黑表笔相接的是二极管正极。在所测得电阻值较大的一次，与黑表笔相接的是二极管正极。总目录总目录上页上页章目录章目录下页下页返回返回 利用万用表还可以判断二极管的好坏。如果测得的正、反利用万用表还可以判断二极管的好坏。如果测得的正、反利用万用表还可以判断二极管的好坏。如果测得的正、反利用万用表还可以判断二极管的好坏。如果测得的正、反向电阻值均很小，说明二极管内部短路；若正、反向电阻值向电阻值均很小，说明二极管内部短路；若正、反向电阻值向电阻值均很小，说明二极管内部短路；若正、反向电阻值向电阻值均很小，说明二极管内部短路；若正、反向电阻值均很大，说明二极管内部开路，这两种情况下，二极管就不均很大，说明二极管内部开路，这两种情况下，二极管就不均很大，说明二极管内部开路，这两种情况下，二极管就不均很大，说明二极管内部开路，这两种情况下，二极管就不能使用了。能使用了。能使用了。能使用了。2.2.二极管好坏的识别二极管好坏的识别二极管好坏的识别二极管好坏的识别 以上是普通二极管的检测方法，汽车交流发电机上的整流以上是普通二极管的检测方法，汽车交流发电机上的整流以上是普通二极管的检测方法，汽车交流发电机上的整流以上是普通二极管的检测方法，汽车交流发电机上的整流二极管就可以按照上述方法进行检测。二极管就可以按照上述方法进行检测。二极管就可以按照上述方法进行检测。二极管就可以按照上述方法进行检测。操作：操作：用万用表检测汽车交流发电机整流板上的正极管用万用表检测汽车交流发电机整流板上的正极管用万用表检测汽车交流发电机整流板上的正极管用万用表检测汽车交流发电机整流板上的正极管、负极管负极管负极管负极管。总目录总目录上页上页章目录章目录下页下页返回返回1.1.整流电路整流电路整流电路整流电路由三只正极管和三只负极管组成由三只正极管和三只负极管组成由三只正极管和三只负极管组成由三只正极管和三只负极管组成。正极管的导通条件是：正极管的导通条件是：正极管的导通条件是：正极管的导通条件是：在某一瞬间，与三相绕组中电位最高在某一瞬间，与三相绕组中电位最高在某一瞬间，与三相绕组中电位最高在某一瞬间，与三相绕组中电位最高相连接的正极管导通。相连接的正极管导通。相连接的正极管导通。相连接的正极管导通。负极管的导通条件是：负极管的导通条件是：负极管的导通条件是：负极管的导通条件是：在某一瞬间，与三相绕组中电位最低在某一瞬间，与三相绕组中电位最低在某一瞬间，与三相绕组中电位最低在某一瞬间，与三相绕组中电位最低相连接的负极管导通。相连接的负极管导通。相连接的负极管导通。相连接的负极管导通。三相桥式三相桥式三相桥式三相桥式整流电路整流电路整流电路整流电路5.2.5 二极管在汽车电子电路中的应用二极管在汽车电子电路中的应用总目录总目录上页上页章目录章目录下页下页返回返回设三相绕组输出的电压设三相绕组输出的电压设三相绕组输出的电压设三相绕组输出的电压为三相对称电压，波形为三相对称电压，波形为三相对称电压，波形为三相对称电压，波形如图所示。如图所示。如图所示。如图所示。为便于分析，现将一个为便于分析，现将一个为便于分析，现将一个为便于分析，现将一个周期等分成周期等分成周期等分成周期等分成6 6个小区间个小区间个小区间个小区间加以说明。加以说明。加以说明。加以说明。在在在在t t1 1 t t2 2内，内，VD1、VD5导通，通，U1V1间电压加到加到负载上。上。在在在在t t2 2 t t3 3内，内，VD1、VD6导通，通，U1W1间电压加到加到负载上。上。总目录总目录上页上页章目录章目录下页下页返回返回在在在在t t4 4 t t5 5内，内，VD2、VD4导通，通，V1U1间电压加到加到负载上。上。在在在在t t3 3 t t4 4内，内，VD2、VD6导通，通，V1W1间电压加到加到负载上。上。按照正极管按照正极管按照正极管按照正极管VDVD1 1VDVD2 2VDVD3 3、负极管、负极管、负极管、负极管VDVD5 5VDVD6 6VDVD4 4的的的的顺序轮流导通，在负载端便得到一个较平稳的直流电压。电顺序轮流导通，在负载端便得到一个较平稳的直流电压。电顺序轮流导通，在负载端便得到一个较平稳的直流电压。电顺序轮流导通，在负载端便得到一个较平稳的直流电压。电压波形如图所示。压波形如图所示。压波形如图所示。压波形如图所示。总目录总目录上页上页章目录章目录下页下页返回返回2.2.保护电路保护电路保护电路保护电路在电路中，在电路中，在电路中，在电路中，VD4起保护作用。当励磁线圈断电时，所产生起保护作用。当励磁线圈断电时，所产生的感应电动势通过的感应电动势通过VD4释放，避免了反电动势叠加在电源释放，避免了反电动势叠加在电源电压上对电压上对VT2、VT3的电压冲击，保证了它们的安全。的电压冲击，保证了它们的安全。总目录总目录上页上页章目录章目录下页下页返回返回1.1.稳压管稳压管稳压管稳压管符号符号符号符号 伏安特性伏安特性伏安特性伏安特性 稳压管正常工作时加稳压管正常工作时加稳压管正常工作时加稳压管正常工作时加反向电压反向电压反向电压反向电压使用时要加限流电阻使用时要加限流电阻使用时要加限流电阻使用时要加限流电阻 稳压管反向击穿后，稳压管反向击穿后，稳压管反向击穿后，稳压管反向击穿后，电流变化很大，但其两电流变化很大，但其两电流变化很大，但其两电流变化很大，但其两端电压变化很小，利用端电压变化很小，利用端电压变化很小，利用端电压变化很小，利用该特性，稳压管在电路该特性，稳压管在电路该特性，稳压管在电路该特性，稳压管在电路中可起稳压作用。中可起稳压作用。中可起稳压作用。中可起稳压作用。UIOUZIZIZM UZ IZ（1 1）稳压管的特性）稳压管的特性）稳压管的特性）稳压管的特性5.2.65.2.6 特殊二极管及在汽车电子电路中的应用特殊二极管及在汽车电子电路中的应用特殊二极管及在汽车电子电路中的应用特殊二极管及在汽车电子电路中的应用总目录总目录上页上页章目录章目录下页下页返回返回稳定电压稳定电压稳定电压稳定电压U UZ Z 稳压管正常工作稳压管正常工作稳压管正常工作稳压管正常工作(反向击穿反向击穿反向击穿反向击穿)时管子两端的电压。时管子两端的电压。时管子两端的电压。时管子两端的电压。稳定电流稳定电流稳定电流稳定电流I IZ Z 、最大稳定电流、最大稳定电流、最大稳定电流、最大稳定电流 I IZMZM 稳定电流是指稳压管的稳定电压所对应的电流值稳定电流是指稳压管的稳定电压所对应的电流值稳定电流是指稳压管的稳定电压所对应的电流值稳定电流是指稳压管的稳定电压所对应的电流值 最大稳定电流是指稳压管反向击穿后允许流过的最大稳定电流是指稳压管反向击穿后允许流过的最大稳定电流是指稳压管反向击穿后允许流过的最大稳定电流是指稳压管反向击穿后允许流过的最大电流值。使用时要加限流电阻。最大电流值。使用时要加限流电阻。最大电流值。使用时要加限流电阻。最大电流值。使用时要加限流电阻。动态电阻动态电阻动态电阻动态电阻r rZ Z愈小，曲线愈陡，稳压性能愈好。愈小，曲线愈陡，稳压性能愈好。愈小，曲线愈陡，稳压性能愈好。愈小，曲线愈陡，稳压性能愈好。（2 2 2 2）主要参数）主要参数）主要参数）主要参数总目录总目录上页上页章目录章目录下页下页返回返回稳压电路稳压电路稳压电路稳压电路汽车仪表电路的稳压电路汽车仪表电路的稳压电路汽车仪表电路的稳压电路汽车仪表电路的稳压电路 由稳压管和限流电阻串联由稳压管和限流电阻串联由稳压管和限流电阻串联由稳压管和限流电阻串联组成。组成。组成。组成。其中稳压管与负载其中稳压管与负载其中稳压管与负载其中稳压管与负载电路并联，以便发挥稳压电路并联，以便发挥稳压电路并联，以便发挥稳压电路并联，以便发挥稳压作用。作用。作用。作用。稳压电路的稳压原理是：稳压电路的稳压原理是：稳压电路的稳压原理是：稳压电路的稳压原理是：当蓄电池电压上升时，稳压管的当蓄电池电压上升时，稳压管的反向电压略有增大，根据反向击穿特性可知，其反向电流反向电压略有增大，根据反向击穿特性可知，其反向电流大大增加。这将引起限流电阻的电流和电压增加，若电阻大大增加。这将引起限流电阻的电流和电压增加，若电阻选择合适，则其电压的增量将抵消掉蓄电池电压的增量，选择合适，则其电压的增量将抵消掉蓄电池电压的增量，使仪表上的电压基本不变。相反，当蓄电池电压减小时，使仪表上的电压基本不变。相反，当蓄电池电压减小时，限流电阻上的电压减小，保证了仪表上的电压基本不变。限流电阻上的电压减小，保证了仪表上的电压基本不变。（3 3 3 3）稳压管在汽车电子电路中的应用）稳压管在汽车电子电路中的应用）稳压管在汽车电子电路中的应用）稳压管在汽车电子电路中的应用总目录总目录上页上页章目录章目录下页下页返回返回限幅电路限幅电路限幅电路限幅电路在在在在图图中，中，中，中，稳压稳压管管管管VZVZ2 2为为限幅二极管，在限幅二极管，在限幅二极管，在限幅二极管，在电电路中起限制路中起限制路中起限制路中起限制电压电压幅幅幅幅度的作用。其工作原理是：当度的作用。其工作原理是：当度的作用。其工作原理是：当度的作用。其工作原理是：当电电路开关路开关路开关路开关S S接通时，在电压调接通时，在电压调接通时，在电压调接通时，在电压调节器两端会产生瞬间高压，稳压管反向击穿导通，将电压节器两端会产生瞬间高压，稳压管反向击穿导通，将电压节器两端会产生瞬间高压，稳压管反向击穿导通，将电压节器两端会产生瞬间高压，稳压管反向击穿导通，将电压限制在一定范围内，避免了瞬间高压损坏电压调节器。限制在一定范围内，避免了瞬间高压损坏电压调节器。限制在一定范围内，避免了瞬间高压损坏电压调节器。限制在一定范围内，避免了瞬间高压损坏电压调节器。总目录总目录上页上页章目录章目录下页下页返回返回2.2.发光二极管发光二极管发光二极管发光二极管发光二极管的外形和符号发光二极管的外形和符号发光二极管的外形和符号发光二极管的外形和符号有正向电流流过时，发出有正向电流流过时，发出有正向电流流过时，发出有正向电流流过时，发出一定波长范围的光，一定波长范围的光，一定波长范围的光，一定波长范围的光，目前的发目前的发目前的发目前的发光管可以发出从红外到可见波光管可以发出从红外到可见波光管可以发出从红外到可见波光管可以发出从红外到可见波段的光，它的电特性与一般二段的光，它的电特性与一般二段的光，它的电特性与一般二段的光，它的电特性与一般二极管类似，但正向电压较一般极管类似，但正向电压较一般极管类似，但正向电压较一般极管类似，但正向电压较一般二极管高为二极管高为二极管高为二极管高为1.53V1.53V，电流较小，电流较小，电流较小，电流较小为几为几为几为几 十几十几十几十几mAmA发光二极管具有体积小、反应快、光度强、寿命长等优点，发光二极管具有体积小、反应快、光度强、寿命长等优点，发光二极管具有体积小、反应快、光度强、寿命长等优点，发光二极管具有体积小、反应快、光度强、寿命长等优点，在汽车电路中得到广泛应用。如安装在汽车组合仪表盘上在汽车电路中得到广泛应用。如安装在汽车组合仪表盘上在汽车电路中得到广泛应用。如安装在汽车组合仪表盘上在汽车电路中得到广泛应用。如安装在汽车组合仪表盘上各种指示灯、报警灯都是发光二极管组成的。各种指示灯、报警灯都是发光二极管组成的。各种指示灯、报警灯都是发光二极管组成的。各种指示灯、报警灯都是发光二极管组成的。总目录总目录上页上页章目录章目录下页下页返回返回汽车上的液面检测报警电路汽车上的液面检测报警电路汽车上的液面检测报警电路汽车上的液面检测报警电路报警灯报警灯报警灯报警灯液位传感器液位传感器液位传感器液位传感器永久磁铁是浮子永久磁铁是浮子舌簧管是静止的舌簧管是静止的 在液位正常时，舌簧管触点断开，报警灯不发光。当液在液位正常时，舌簧管触点断开，报警灯不发光。当液在液位正常时，舌簧管触点断开，报警灯不发光。当液在液位正常时，舌簧管触点断开，报警灯不发光。当液位低于规定值时，磁铁浮子下移到舌簧管中部，在磁场作位低于规定值时，磁铁浮子下移到舌簧管中部，在磁场作位低于规定值时，磁铁浮子下移到舌簧管中部，在磁场作位低于规定值时，磁铁浮子下移到舌簧管中部，在磁场作用下触点闭合，报警灯电路接通而发光报警。用下触点闭合，报警灯电路接通而发光报警。用下触点闭合，报警灯电路接通而发光报警。用下触点闭合，报警灯电路接通而发光报警。总目录总目录上页上页章目录章目录下页下页返回返回3.3.光电二极管光电二极管光电二极管光电二极管 利用这一特性可以将许多光电二极管组成光电板，作为电利用这一特性可以将许多光电二极管组成光电板，作为电利用这一特性可以将许多光电二极管组成光电板，作为电利用这一特性可以将许多光电二极管组成光电板，作为电源使用，称为太阳能电池。另外，光电二极管在汽车上作为源使用，称为太阳能电池。另外，光电二极管在汽车上作为源使用，称为太阳能电池。另外，光电二极管在汽车上作为源使用，称为太阳能电池。另外，光电二极管在汽车上作为光信号检测元件得到了广泛的应用。光信号检测元件得到了广泛的应用。光信号检测元件得到了广泛的应用。光信号检测元件得到了广泛的应用。反向电流的数值随着光照的增强而上升。反向电流的数值随着光照的增强而上升。反向电流的数值随着光照的增强而上升。反向电流的数值随着光照的增强而上升。无光照时，反无光照时，反无光照时，反无光照时，反向电流很小；有光照时，反向电流急剧增加，且光照的越向电流很小；有光照时，反向电流急剧增加，且光照的越向电流很小；有光照时，反向电流急剧增加，且光照的越向电流很小；有光照时，反向电流急剧增加，且光照的越强，反向电流越大。强，反向电流越大。强，反向电流越大。强，反向电流越大。总目录总目录上页上页章目录章目录下页下页返回返回汽车空调用日照强度传感器等效电路汽车空调用日照强度传感器等效电路汽车空调用日照强度传感器等效电路汽车空调用日照强度传感器等效电路 日照强度传感器在空调日照强度传感器在空调日照强度传感器在空调日照强度传感器在空调自动控制系统中是一个日照自动控制系统中是一个日照自动控制系统中是一个日照自动控制系统中是一个日照强度检测元件，它通过光电强度检测元件，它通过光电强度检测元件，它通过光电强度检测元件，它通过光电二极管检测日光照射量的变二极管检测日光照射量的变二极管检测日光照射量的变二极管检测日光照射量的变化，并把这种变化转换成电化，并把这种变化转换成电化，并把这种变化转换成电化，并把这种变化转换成电流值输出。车内空调计算机流值输出。车内空调计算机流值输出。车内空调计算机流值输出。车内空调计算机对这种变化进行检测，并根对这种变化进行检测，并根对这种变化进行检测，并根对这种变化进行检测，并根据电流的变化情况控制执行据电流的变化情况控制执行据电流的变化情况控制执行据电流的变化情况控制执行机构调节排风口的风量和温机构调节排风口的风量和温机构调节排风口的风量和温机构调节排风口的风量和温度，达到调节车内温度的目度，达到调节车内温度的目度，达到调节车内温度的目度，达到调节车内温度的目的。的。的。的。总目录总目录上页上页章目录章目录下页下页返回返回汽车光电式点火信号发生器原理图汽车光电式点火信号发生器原理图汽车光电式点火信号发生器原理图汽车光电式点火信号发生器原理图 主要由主要由主要由主要由发发光二极管、光光二极管、光光二极管、光光二极管、光电电二极管和遮光二极管和遮光二极管和遮光二极管和遮光转转子子子子组组成。成。成。成。发发光二极光二极光二极光二极管通入管通入管通入管通入电电流后流后流后流后产产生光源，光生光源，光生光源，光生光源，光电电二极管受光后二极管受光后二极管受光后二极管受光后产产生生生生电压电压，遮光，遮光，遮光，遮光转转子有与气缸数相子有与气缸数相子有与气缸数相子有与气缸数相对应对应的缺口，光源照射到光的缺口，光源照射到光的缺口，光源照射到光的缺口，光源照射到光电电二极管的光二极管的光二极管的光二极管的光线线受受受受转动转动的遮光的遮光的遮光的遮光转转子控制。子控制。子控制。子控制。当遮光当遮光当遮光当遮光转转子随分子随分子随分子随分电电器器器器轴转动时轴转动时，遮光，遮光，遮光，遮光转转子缺口周期性地通子缺口周期性地通子缺口周期性地通子缺口周期性地通过过光光光光线线，使光，使光，使光，使光电电二极管周期性受光，光二极管周期性受光，光二极管周期性受光，光二极管周期性受光，光电电二极管便二极管便二极管便二极管便产产生了与生了与生了与生了与曲曲曲曲轴轴位置相位置相位置相位置相对应对应的的的的电压电压脉冲，即点火触脉冲，即点火触脉冲，即点火触脉冲，即点火触发发信号。信号。信号。信号。总目录总目录上页上页章目录章目录下页下页返回返回5.3 三极管三极管5.3.1 结构与符号结构与符号NNP基极基极基极基极发射极发射极发射极发射极集电极集电极集电极集电极NPNNPN型型型型BECB BE EC CPNPPNP型型型型P PP PN N基极基极基极基极发射极发射极发射极发射极集电极集电极集电极集电极符号：符号：符号：符号：BECIBIEICBECIBIEICNPNNPN型型型型PNPPNP型型型型总目录总目录上页上页章目录章目录下页下页返回返回基区：最薄，基区：最薄，基区：最薄，基区：最薄，掺杂浓度最低掺杂浓度最低掺杂浓度最低掺杂浓度最低发射区：掺发射区：掺发射区：掺发射区：掺杂浓度最高杂浓度最高杂浓度最高杂浓度最高发射结发射结发射结发射结集电结集电结集电结集电结B B B BE E E EC C C CN N N NN N N NP P P P基极基极基极基极发射极发射极发射极发射极集电极集电极集电极集电极结构特点结构特点结构特点结构特点：集电区：集电区：面积最大面积最大总目录总目录上页上页章目录章目录下页下页返回返回5.3.2 电流分配与放大原理电流分配与放大原理ICUBBmA ARBIBUCC+mAIERPVTVT发射结正偏、集电结反偏发射结正偏、集电结反偏发射结正偏、集电结反偏发射结正偏、集电结反偏实验线路实验线路实验线路实验线路1.1.1.1.三极管放大的外部条件三极管放大的外部条件三极管放大的外部条件三极管放大的外部条件总目录总目录上页上页章目录章目录下页下页返回返回I IB B(mA(mA)I IC C(mA(mA)I IE E(mA(mA)0 00.020.020.040.040.060.060.080.080.100.100.0010.0010.700.701.501.502.302.303.103.103.953.950.001 u 时，时，uo=+Uo(sat)u+u 时，时，uo=+Uo(sat)u+u u 时，时，时，时，u uo o =+=+U Uo o (sat)(sat)u u+u u 时，时，时，时，u uo o =U Uo o (sat)(sat)i i+=i=i 0 0总目录总目录上页上页章目录章目录下页下页返回返回电压传输特性电压传输特性电压传输特性电压传输特性 U Uo o(sat(sat)+U Uo o(sat(sat)u ui iu uo oO Ououi+门限电平门限电平Uth：输出跳变所对应的输入电压。：输出跳变所对应的输入电压。u ui i 0 0 时，时，时，时，u uo o =U Uo o (sat)(sat)u ui i =0 0 时，时，时，时，u uo o发生跳变发生跳变发生跳变发生跳变门限电平门限电平Uth=0因为输入因为输入ui每次过零时输出都跳变，因此称为过零比较器。每次过零时输出都跳变，因此称为过零比较器。1.1.1.1.过零电压比较器过零电压比较器过零电压比较器过零电压比较器总目录总目录上页上页章目录章目录下页下页返回返回 假假假假设稳压设稳压管管管管VZVZ截止，截止，截止，截止，则则则则运放工作在开环状态运放工作在开环状态运放工作在开环状态运放工作在开环状态，其输出为其输出为其输出为其输出为 U Uo(sato(sat)，所以所以双双双双向稳压管中总有一个工向稳压管中总有一个工向稳压管中总有一个工向稳压管中总有一个工作在稳压状态，一个工作在稳压状态，一个工作在稳压状态，一个工作在稳压状态，一个工作在正向导通状态，作在正向导通状态，作在正向导通状态，作在正向导通状态，因此因此因此因此u uo o=(U UZ Z+U UD D)U UZ Z稳定电压；稳定电压；稳定电压；稳定电压；U UD D正向导通压降。正向导通压降。正向导通压降。正向导通压降。利用电压比较器利用电压比较器利用电压比较器利用电压比较器将正弦波变为方波将正弦波变为方波将正弦波变为方波将正弦波变为方波tuiO Otuo+Uo(sat)Uo(sat)O O输出带限幅的输出带限幅的输出带限幅的输出带限幅的过零电压比较器过零电压比较器过零电压比较器过零电压比较器总目录总目录上页上页章目录章目录下页下页返回返回2.2.2.2.任意电压比较器任意电压比较器任意电压比较器任意电压比较器 U Uo o(sat(sat)+U Uo o(sat(sat)uiuoOUR uiUR 时，时，uo=Uo(sat)ui=UR 时，时，uo发生跳变发生跳变输出电压输出电压 uo 发生跃变时的输入电压叫门限电平，发生跃变时的输入电压叫门限电平，所以任意电压比较器的所以任意电压比较器的门限电平门限电平Uth=UR 参考电压参考电压URuouiR2+R1因只有一个门限电压，因只有一个门限电压，故又称单限电压比较器故又称单限电压比较器 电压传输特性电压传输特性总目录总目录上页上页章目录章目录下页下页返回返回uitOUROuot+Uo(sat)Uo(sat)单限电压比较器：单限电压比较器：单限电压比较器：单限电压比较器：当当 ui 单方向变化时，单方向变化时，uo 只变化一次。只变化一次。电压传输特性电压传输特性 U Uo o(sat(sat)+U Uo o(sat(sat)uiuoOURURuouiR2+R1t1t2总目录总目录上页上页章目录章目录下页下页返回返回电路引入正反馈，电路引入正反馈，电路引入正反馈，电路引入正反馈，运放工作于非线性区运放工作于非线性区运放工作于非线性区运放工作于非线性区3.3.3.3.滞回电压比较器滞回电压比较器滞回电压比较器滞回电压比较器Rfuoui+R1R2当当 uo=+Uo(sat)，则则 当当 uo=Uo(sat)，则则电压传输特性电压传输特性uiuoO Uo(sat)+Uo(sat)总目录总目录上页上页章目录章目录下页下页返回返回回差电压：回差电压：回差电压：回差电压：uiuoO Uo(sat)+Uo(sat)电压传输特性电压传输特性上上限限电电压压下下限限电电压压优点：优点：优点：优点：回差电压的存在，也回差电压的存在，也提高了电提高了电路的抗干扰能力路的抗干扰能力。只要干扰量。只要干扰量不超过回差电压，则输出电压不超过回差电压，则输出电压的状态就不会改变。的状态就不会改变。用途：用途：用途：用途：波形变换波形变换如果输出带有限幅电路，如果输出带有限幅电路，也可用于模拟电路和数字电也可用于模拟电路和数字电路的路的接口元件接口元件 总目录总目录上页上页章目录章目录下页下页返回返回解：解：解：解：上限电压上限电压上限电压上限电压 下限电压下限电压下限电压下限电压例：例：例：例：电路如图所示，电路如图所示，电路如图所示，电路如图所示，R R1 1=1=10k0k ，R R2 2 =R Rf f =2=20k0k ，R R3 3=2=2k k 输入波形为三角波，双向稳压管的稳压值输入波形为三角波，双向稳压管的稳压值输入波形为三角波，双向稳压管的稳压值输入波形为三角波，双向稳压管的稳压值U UZ Z=8V=8V，求求求求:画出电压传输特性；画出电压传输特性；画出电压传输特性；画出电压传输特性；画出输出波形画出输出波形画出输出波形画出输出波形。总目录总目录上页上页章目录章目录下页下页返回返回4.4.4.4.电压比