晶体管放大电路基础

第六章 晶体管放大电路基础 晶体管放大电路基础 第六章 第六章 晶体管放大电路基础 第六章 晶体管放大电路基础 6.1 放大电路的基本概念 6.2 双极型晶体三极管及其电路模型 6.3 双极型晶体三极管放大电路 6.4 场效应晶体三极管 6.5 场效应管放大电路 6.6 多级放大电路 6.7 功率放大电路 6.8 放大电路中的负反馈 第六章 晶体管放大电路基础 6.1 放大电路的基本概念 放大的对象：变化量 放大的本质：能量的控制 放大的特征：功率放大 放大的基本要求：不失真，放大的前提 判断电路能否放 大的基本出发点 第六章 晶体管放大电路基础 6.1.1 线性受控电源模型 受控电源是另一类电源模型，它的输出端具有理 想电源的特征，但其参数却受到电路中其他变量的控 制。 受控电源是为了描述电子器件的特性而提出的电 路元件模型。 按照受控电源输出端表现的电压源特性或电流源 特性，以及控制其参数的变量为电压或电流，受控电 源共分 4种： 电压控制电压源 VCVS； 电压控制电流源 VCCS； 电流控制电压源 CCVS； 电流控制电流源 CCCS。 第六章 晶体管放大电路基础 受控电源的符号与特性 电压控制电压源 VCVS 控制方程 O1UU1 U OU 电流控制电压源 CCVS 1I OU O1 U r I 为 电压传输 （ 放大 ） 系数 ， 无量纲 。 r为 转移电阻 ， 电阻量纲 。 第六章 晶体管放大电路基础 受控电源的符号与特性 电压控制电流源 VCCS 控制方程 电流控制电压源 CCVS g为 转移电导 ， 电导量纲 。 为 电流传输 （ 放大 ） 系数 ， 无量纲 。 O1I g U O1II 1I OI 1U OI 第六章 晶体管放大电路基础 6.1.2 放大电路技术指标指标 i o U UAA uuu i o I IAA iii i o I UA ui i o U IA iu 1) 放大倍数：输出量与输入量之比 电压放大倍数是最常被研究和测试的参数 信号源 信号源 内阻 输入电压 输出电压 输入电流 输出电流 任何放大电路均可看成为二端口网络。 第六章 晶体管放大电路基础 2)输入电阻和输出电阻 i i i I UR L o o L o o o o )1( RU U R U UU R 将输出等效 成有内阻的电 压源，内阻就 是输出电阻。 空载时输出 电压有效值 带 RL时的输出电 压有效值 输入电压与 输入电流有 效值之比。 从输入端看进去的 等效电阻 第六章 晶体管放大电路基础 3) 频带范围（通频带） 4)最大不失真输出电压 Uom： 交流有效值。 由于电容、电感及半导体器件 PN结的电容效应，使放大电 路在信号频率较低和较高时电压放大倍数数值下降，并产生相 移。 衡量放大电路对不同频率信号的适应能力。 下限频率 上限频率 LHbw fff 第六章 晶体管放大电路基础 6.2 双极型晶体管 三极管及其电路模型 又称半导体三极管 、 晶体三极管 ， 或简称晶体管 。 (Bipolar Junction Transistor) 三极管的外形如下图所示 。 三极管有两种类型： NPN 型和 PNP 型 。 主要以 NPN 型为例进行讨论 。 图 1.3.1 三极管的外形 小功率管 中功率 大功率 为什么有孔？ 第六章 晶体管放大电路基础 6.2.1 晶体管的结构及类型 常用的三极管的结构有硅平面管和锗合金管两种类型 。 图 1.3.2a 三极管的结构 (a)平面型 (NPN) (b)合金型 (PNP) N e c N P b 二氧化硅 b e c P N P e 发射极， b基极， c 集电极。 发射区 集电区 基区 第六章 晶体管放大电路基础 图 1.3.2(b) 三极管结构示意图和符号 NPN 型 e c b 符号 集电区 集电结 基区 发射结 发射区 集电极 c 基极 b 发射极 e N N P 第六章 晶体管放大电路基础 集电区 集电结 基区 发射结 发射区 集电极 c 发射极 e 基极 b c b e 符号 N N P P N 图 1.3.2 三极管结构示意图和符号 (b)PNP 型 第六章 晶体管放大电路基础 6.2.2 晶体管的电流分配及放大原理 以 NPN 型三极管为例讨论 c N N P e b b e c 表面看 三极管若实 现放大，必须从 三极管内部结构 和 外部所加电源 的极性 来保证。 不具备放大作用 第六章 晶体管放大电路基础 三极管内部结构要求： N N P e b c 1. 发射区高掺杂 。 2. 基区做得很薄 。 通常只有 几微米到几十微米 ， 而且 掺杂较 少 。 三极管放大的外部条件 ：外加电源的极性应使 发射 结处于正向偏置 状态 ， 而 集电结处于反向偏置 状态 。 3. 集电结面积大 。 第六章 晶体管放大电路基础 b e c Rc Rb 一、晶体管内部载流子的运动 I E IB 1. 发射结加正向电压，扩散 运动形成发射极电流 发射区的电子越过发射结扩散 到基区，基区的空穴扩散到发 射区 形成发射极电流 IE (基 区多子数目较少，空穴电流可 忽略 )。 2. 扩散到基区的自由电子与 空穴的复合运动形成基极 电流 电子到达基区 ， 少数与空穴复 合形成基极电流 Ibn， 复合掉的 空穴由 VBB 补充 。 多数电子在基区继续扩散，到达 集电结的一侧。 晶体管内部载流子的运动 第六章 晶体管放大电路基础 b e c I E I B Rc Rb 3.集电结加反向电压 ， 漂移 运动形成集电极电流 Ic 集电结反偏 ， 有利于收集基区 扩散过来的电子而形成集电极 电流 Icn。 其能量来自外接电源 VCC 。 I C 另外 ， 集电区和基区的少 子在外电场的作用下将进 行漂移运动而形成 反向 饱 和电流 ， 用 ICBO表示 。 ICBO 晶体管内部载流子的运动 第六章 晶体管放大电路基础 简要概括，载流子运动分三个过 程： 1、电子由发射区向基区的扩 散过程，形成发射极电流 IE 2、电子和空穴在基区的复合， 电源补充空穴的过程，形成 基极电流 IB 3、在外电场的作用下集电区 收集电子的过程，形成集电 极电流 IC b e c I E I B Rc Rb 第六章 晶体管放大电路基础 b e c e Rc Rb 二、晶体管的电流分配关系 IEp ICBO IC IB IEn IBn ICn IC = ICn + ICBO IE = IEn+ IEp = ICn + IBn + IEp IB=IEP+ IBN ICBO IE =IC+IB 图 1.3.4晶体管内部载流子的运动与外部电流 第六章 晶体管放大电路基础 6.2.3 晶体管的特性曲线 uCE = 0V uBE /V iB=f(uBE) UCE=const (2) 当 uCE1V时， uCB= uCE - uBE0，集电结已进入反偏状态，开始收 集电子，基区复合减少，在同样的 uBE下 IB减小，特性曲线右移。 (1) 当 uCE=0V时，相当于发射结的正向伏安特性曲线。 一 . 输入特性曲线 uCE 1V uBE /V + - b c e 共射极放大电路 UBB UCC uBE iC i B + - uCE 第六章 晶体管放大电路基础 饱和区： iC明显受 uCE控 制的区域，该区域内， 一般 uCE 0.7V(硅管 )。 此时， 发射结正偏，集 电结正偏或反偏电压很 小 。 iC=f(uCE) IB=const 二、输出特性曲线 输出特性曲线的三个区域 : 截止区： iC接近零的 区域，相当 iB=0的曲 线的下方。此时， uBE小于死区电压， 集电结反偏 。 放大区： iC平行于 uCE轴的 区域，曲线基本平行等距。 此时， 发射结正偏，集电 结反偏 。 正偏 反偏 反偏 集电结 正偏 正偏 反偏 发射结 饱和 放大 截止 + - b c e UBB UCC uBE iC i B + - uCE 第六章 晶体管放大电路基础 三极管的参数分为三大类 : 直流参数、交流参数、极限参数 一、直流参数 1.共发射极直流电流放大系数 =（ IC ICEO） /IBIC / IB vCE=const 6.2.4晶体管 的主要参数 2.共基直流电流放大系数 E C I I 3.集电极基极间反向饱和电流 ICBO 集电极发射极间的反向饱和电流 ICEO ICEO=（ 1+ ） ICBO 第六章 晶体管放大电路基础 二、交流参数 1.共发射极交流电流放大系数 =iC/iBUCE=const 2. 共基极交流电流放大系数 =iC/iE UCB=const 3.特征频率 fT 值下降到 1的信号频率 第六章 晶体管放大电路基础 1.最大集电极耗散功率 PCM PCM= iCuCE 三、 极限参数 2.最大集电极电流 ICM 3. 反向击穿电压 UCBO发射极开路时的集电结反 向击穿电压。 U EBO集电极开路时发射结的反 向击穿电压。 UCEO基极开路时集电极和发射 极间的击穿电压。 几个击穿电压有如下关系 UCBO UCEO UEBO 第六章 晶体管放大电路基础 由 PCM、 ICM和 UCEO在输出特性曲线上可以确 定过损耗区、过电流区和击穿区。 输出特性曲线上的过损耗区和击穿区 PCM= iCuCE 第六章 晶体管放大电路基础 6.3.1 共发射极放大电路 VBB、 Rb：使 UBE Uon，且有 合适的 IB。 VCC：使 UCEUon，同时作为负 载的能源。 Rc：将 iC转换成 uCE(uo) 。 )( oCEcbi c uuiiiu R 动态信号作用时： 输入电压 ui为零时，晶体管各极的电流、 b-e间的电 压、管压降称为静态工作点 Q，记作 IBQ、 ICQ（ IEQ）、 UBEQ、 UCEQ。 6.3 双极型晶体管放大电路 1.单管共发射极放大电路的组成 第六章 晶体管放大电路基础 2. 设置静态工作点的必要性 输出电压必然失真！ 设置合适的静态工作点，首先要解决失真问题，但 Q点 几乎影响着所有的动态参数！ 为什么放大的对象是动态信号，却要晶体管在信号为零 时有合适的直流电流和极间电压？ 第六章 晶体管放大电路基础 3. 基本共射放大电路的工作原理 t u CE U C E Q V CC O t u CE U C E Q V CC O 饱和失真 截止失真 底部失真 顶部失真 动态信号 驮载在静 态之上 输出和输入反相！ 要想不失真，就要在信号的整个周期内 保证晶体管始终工作 在放大区！ 波形分析 第六章 晶体管放大电路基础 4. 放大电路的组成原则 静态工作点合适：合适的直流电源、合适的电 路参数。 动态信号能够作用于晶体管的输入回路，在负 载上能够获得放大了的动态信号。 对实用放大电路的要求： 共地、直流电源种类 尽可能少、负载上无直流分量。 第六章 晶体管放大电路基础 1. 放大电路静态分析 1. 直流通路： Us=0，保留 Rs； 电容开路； 电感相当于短路（线圈电阻近似为 0）。 2. 交流通路：大容量电容相当于短路； 直流电源相当于短路（内阻为 0）。 通常，放大电路中直流电源的作用和交流信号的 作用共存，这使得电路的分析复杂化。为简化分析， 将它们分开作用，引入直流通路和交流通路的概念。 6.3.2 放大电路的基本分析方法 第六章 晶体管放大电路基础 cCQCCC E Q BQCQ b B E QBB BQ RIVU II R UV I VBB越大， UBEQ取不同的 值所引起的 IBQ 的误差越小。 一、基本共射放大电路的直流通路和交流通路 列晶体管输入、输出回路方程，将 UBEQ作为已知条件，令 I CQ IBQ，可估算出静态工作点。 第六章 晶体管放大电路基础 2. 放大电路的动态分析 半导体器件的非线性特性使放大电路的分析复杂化。 利用线性元件建立模型，来描述非线性器件的特性。 cCQC E Q BQCQ b B E QBB BQ RIVU II R UV I CC 输入回路等效为 恒压源 输出回路等效为电流控制的电流源 一、直流模型：适于 Q点的分析 理想二极管 利用估算法求解静态工作点，实质上利用了直流模型。 第六章 晶体管放大电路基础 二、 晶体管的 h参数等效模型（交流等效模型） 在交流通路中可将晶体管看成 为一个二端口网络，输入回路、 输出回路各为一个端口。 )( )( CEBC CEBBE uifi uifu ， ， 第六章 晶体管放大电路基础 在低频、小信号作用下的关系式 CE CE C B B C C CE CE BE B B BE BE ddd ddd BCE BCE u u i i i i i u u u i i u u IU IU ce22b21c ce12b11be UhIhI UhIhU 交流等效模型（按式子画模型） 电阻 无量纲 无量纲 电导 第六章 晶体管放大电路基础 h参数的物理意义 be B BE11 CE ri uh U BCE BE12 I u uh CE B C21 U i ih ceCE C22 1 B ru ih i b-e间的 动态电阻 内反馈 系数 电流放大系数 c-e间的电导 分清主次，合理近似！什么情况下 h12和 h22的作用可忽略不计？ 第六章 晶体管放大电路基础 简化的 h参数等效电路交流等效模型 EQ T b b ebb b b be be )1( I Urrr I Ur 查阅手册 基区体电阻 发射结电阻 发射区体电阻 数值小可忽略 利用 PN结的电流方程可求得 由 IEQ算出 在输入特性曲线上， Q点越高， rbe越小！ 第六章 晶体管放大电路基础 BQ bbbe CQ bbbe EQ bbbe mV26 mV26 mV26 )1( I rr I rr I rr 或者写作： 第六章 晶体管放大电路基础 三、 动态分析 )()( bebbbebii rRIrRIU cco RIU beb c i o rR R U UA u beb i i i rRI UR co RR 放大电路的 交流等效电路 第六章 晶体管放大电路基础 根据 Rb vi Rc RL iV bI cI OV bI bebi rIV bc II )/( LccO RRIV 则电压增益为 be Lc beb Lcb beb Lcc i O )/()/( )/( r RR rI RRI rI RRI V V A V 1. 求电压放大倍数 （ 电压增益） 第六章 晶体管放大电路基础 2. 求输入电阻 Rb Rc RL iV bI cI OV bI Ri iI beb i i i / rRI VR 3. 求输出电阻 Rb Rc RL iV bI cI OV bI Ro 令 0 i V 0b I 0b I Ro = Rc 所以 第六章 晶体管放大电路基础 4.当信号源有内阻时： Ui . UO . Ui . Us . 求 Ri为放大电路的 输入电阻 第六章 晶体管放大电路基础 等效电路法的步骤 (归纳 ) 1. 首先画出直流通路 ， 利用近似估算法 (基尔霍 夫定律 )确定放大电路的静态工作点 Q 。 2. 画出交流通路 。 (熟练后该步骤可以省略 ) 3. 画出放大电路的微变等效电路 。 4. 求解各个动态性能指标 。 第六章 晶体管放大电路基础 1 温度对 静态工作 点的影响 所谓 Q点稳定，是指 ICQ和 UCEQ在温度变化时基本不变， 这是靠 IBQ的变化得来的。 T（ ） ICQ Q 若温度升高时要 Q回到 Q， 则只有减小 IBQ ICEO 若 UCEQ不变 IBQ Q 6.3.3 工作点稳定电路 第六章 晶体管放大电路基础 2 静态工作点稳定的 典型电路 一 . 电路组成 直流通路？ Ce为旁路电容，在交流 通路中可视为短路 第六章 晶体管放大电路基础 CC b21b 1b BQ VRR RU e B E QBQ EQ R UUI 二 . 稳定原理 为了稳定 Q点，通常 I1 IB，即 I1 I2；因此 基本不随温度变化。 设 UBEQ UBE UBE，若 UBEQ UBE UBE，则 UEQ稳定。 第六章 晶体管放大电路基础 R e 的 作用 T( )ICUE UBE（ UB基本不变） IB IC Re起直流负反馈作用，其值越大，反馈越强， Q点越稳定。 关于反馈的一些概念： 将输出量通过一定的方式引回输入回路影响输入量的措 施称为反馈。 直流通路中的反馈称为直流反馈。 反馈的结果使输出量的变化减小的称为负反馈，反之称 为正反馈。 Re有上限值吗？ IC通过 Re转换为 UE影响 UBE 温度升高 IC增大，反馈的结果使之减小 第六章 晶体管放大电路基础 三 . Q点分析 e B E QBQ EQ CC b21b 1b BQ R UU I V RR R U 分压式电流负反馈工作点稳定电路 什么条件下成立？ )( ecEQCC eEQcCQCCC E Q RRIV RIRIVU EQ BQ II 第六章 晶体管放大电路基础 b21bb CC b21b 1b BB RRR V RR R V eBQB E QBQ eBQB E QbBQeEQB E QbBQBB )1( )1( RIUU RIURIRIURIV 利用戴维宁定理等效变换后求解 Q点 Rb上静态电压 可忽略不计！ CC b21b 1b BQbe )1( VRR RURR ，则若 第六章 晶体管放大电路基础 四 . 动态分析 be L i o r R U UA u beb2b1i rRRR co RR e e )1( )( be L ebeb Lcb i o Rr R RIrI RRI U U A u )1( ebeb2b1i RrRRR 利 ?弊 ? e L bee)1( R RArR u ，则若 无旁路电容 Ce时： 第六章 晶体管放大电路基础 6.3.4 基本共集放大电路（射极输出器） 一、 静态分析 eEQC E QCC eEQB E QbBQBB RIUV RIURIV eEQCCC E Q BQEQ eb B E QBB BQ )1( )1( RIVU II RR UV I 第六章 晶体管放大电路基础 二、 动态分析： 1、电压放大倍数 ebeb e eebebb ee i o )1( )1( )( RrR R RIrRI RI U U A u 。，即，则）若（ 1 1 iobebe UUArRR u 故称之为射 极跟随器 Uo Ui 第六章 晶体管放大电路基础 2、输入电阻的分析 ebeb b i i i i )1( RrRI U I UR Ri与负载有关！ RL )/)(1( Lebebi RRrRR 带负载电阻后 第六章 晶体管放大电路基础 3、输出电阻的分析 1 )1( beb e beb o e o o e o o o o e rR R rR U R U U II U I U R R Ro与信号源内阻有关！ 五、 特点 输入电阻大，输出电阻小；只放大电流，不放大电压； 在一定条件下有电压跟随作用！ oU 令 Us为零，保留 Rs，在输出端加 Uo，得： 第六章 晶体管放大电路基础 当单级放大电路不能满足多方面的性能要求 （如 Au 104、 Ri=2M、 Ro=100）时，应考 虑采用多级放大电路。组成多级放大电路时首 先应考虑如何“连接”几个单级放大电路，耦 合方式即连接方式。 常见耦合方式有：直接耦合、阻容耦合、变 压器耦合、光电耦合等。 6.6 多级放大电路 第六章 晶体管放大电路基础 6.6.1 阻容耦合 Q点相互独立 。不能放大变化缓慢的信号，低频 特性差，不能集成化。 共射电路 共集电路 利用电容连接信号 源与放大电路、放大 电路的前后级、放大 电路与负载，为阻容 耦合。 第六章 晶体管放大电路基础 多级放大电路的动态分析 1.电压放大倍数 n j uj n u AU U U U U U U UA 1i o i2 o2 i o1 i o 2. 输入电阻 i1i RR 3. 输出电阻 nRR oo 对电压放大电路的要求： Ri大， Ro小， Au的数值 大，最大不失真输出电压大。 第六章 晶体管放大电路基础 )(1( L622be5i2 RRrRR 21 L62b e 2 L62 2 1be i23 1 )( ) 1( )( ) 1( )( uuu u u AAA RRr RR A r RR A b e 121i rRRR 1 b e 2536o rRRRR 分析举例 第六章 晶体管放大电路基础 6.6.2 直接耦合 既是第一级的集电极电阻， 又是第二级的基极电阻 能够放大变化缓慢的 信号，便于集成化， Q 点相互影响， 存在零点 漂移现象。 当输入信号为零时，前级由温度变化所引起的电流、 电位的变化会逐级放大。 输入为零，输出产生变 化的现象称为零点漂移 第二级 第一级 第六章 晶体管放大电路基础 一、如何设置合适的静态工作点？ Q1合适吗？ 对哪些动态参 数产生影响？ 用什么元件取代 Re既可设置合适的 Q点，又可使第 二级放大倍数不至于下降太大？ 若要 UCEQ 5V，则应怎么办？用多个二极管吗？ 二极管导通电压 UD？动态电阻 rd？ Re 第六章 晶体管放大电路基础 UCEQ1太小 加 Re（ Au2数值 ） 改用 D若要 UCEQ1大 ，则改用 DZ。 稳压管 伏安特性 小功率管多为 5mA 由最大功耗得出 必要性？ rz u /i，小功率管多为几欧至二十几欧。 第六章 晶体管放大电路基础 二、 零点漂移现象及其产生的原因 1、 什么是零点漂移现象： uI 0， uO0的现象。 2、产生原因：温度变化，直流电源波动，元器件老化。其中 晶体管的特性对温度敏感是主要原因，故也称零漂为温漂。 3、克服温漂的方法：引入直流负反馈，温度补偿。 4、典型电路：差分放大电路 第六章 晶体管放大电路基础 6.7 功率放大电路概述 能够向负载提供足够功率信号的放大电路 称为 功率放大电路 ，简称 功放 。 功放既不是单纯追求输出高电压，也不是单 纯追求输出大电流，而是追求在电源电压确定的 情况下，输出尽可能大的功率。 功放电路的要求： Pomax 大 ， 三极管 可 工作 在极限状态 = Pomax / PV 要尽量高 允许失真，但失真度要小 第六章 晶体管放大电路基础 6.7.1 功率放大电路的特点 一、功率放大电路中的晶体管 在功率放大电路中，为使输出功率尽可能大，要求 晶体管工作在极限应用状态。 选择功放管时 ，要注意极限参数的选择，还要注意其散热 条件，使用时必须安装合适的散热片和各种保护措施。 晶体管集电极电流最大时接近 ICM 晶体管管压降最大时接近 U（ BR） CEO 晶体管耗散功率最大时接近 PCM 第六章 晶体管放大电路基础 三、主要技术指标 1.最大输出功率 Pom 功率放大电路提供给负载的信号功率称为输出功率。 是交流功率，表达式为 Po IoUo。 最大输出功率是在电路参数确定的情况下，负载 上可能获得的最大交流功率 2.转换效率 功率放大电路的最大输出功率与电源提供的直流 功率之比。直流功率等于电源输出电流平均值与电压之 积。 二、功率放大电路的分析方法 采用图解法（不能使用用小信号等效电路） 第六章 晶体管放大电路基础 四、功率放大电路的分类 在放大电路中，若输入信号为正弦波时，根据晶体 管在信号整个周期内导通情况分类 甲类 (2) t iC O Icm 2 ICQ t iC O Icm 2 ICQ 乙类 () t iC O Icm ICQ 2 甲乙类 ( 0 T1 导通 T2 截止 iC1 io = iE1 = iC1, uO = iC1RL ui 0 T2 导通 T1 截止 i C1 io = iE2 = iC2, uO = iC2RL ui = 0 T1 、 T2 截止 若考虑三极管的开启电压，输出波形将产生 交越失真 。 第六章 晶体管放大电路基础 2、消除交越失真的 OCL电路的工作原理 t iC 0 ICQ1 ICQ2 消除交越失真思路： RL R D1 D2 T1 T2 +VCC + ui + uo VCC V5 R2 R1 ui R3 ui = 0， 给 T1、 T2 提供静态电压 UB1B2 UD1 UD2 UR2 UB1B2略大于 T1管发射结和 T2管发射结开启电压之和， 两管均处于微导通状态，即都有一个微小的基极电流，分 别为 IB1和 IB2 。 静态时应调节 R2 ，使 UE为 0,即 u0为 0。 第六章 晶体管放大电路基础 3、 OCL电路的输出功率及效率 当输入电压足够大，且又不产生饱和失真的图解分析 图中 I区为 T1管的输出特性， II区为 T2管的输出特性； 二只管子的静态电流很小， 可认为 Q点在横轴上。 Uop = VCC UCES1 最大输出电压幅值 最大不失真输出电压的有效值 2 UVU C E SCC O m 第六章 晶体管放大电路基础 最大输出功率 L 2 C E SCC L O 2 O R2 UV R UP ）（ m m 电源 VCC提供的电流 ti s inR UV L C E SCC C 电源在负载获得最大交流功率时所消耗的平均功率等 于其平均电流与电源电压之积。 即电源供给功率： 0 CC L C E SCC V Vs inR UV1P tdt L C E SCCCC V R UVV2P ）（ 转换效率 CC CE SCC V O V UV P P 4 m 理想情况下， UCES可忽略；但大功率管 UCES较大，不能忽略 第六章 晶体管放大电路基础 理想情况下， UCES可忽略；但大功率管 UCES较大，不能忽略 L CC L O 2 O R V R UP 2 2 mm L CC V R VP 22 %. P P V O 578 4 m L C E SCC L O 2 O R UV R UP 2 2）（ mm L C E SCCCC V R UVVP ）（ 2 CC CE SCC V O V UV P P 4 m 第六章 晶体管放大电路基础 静态时 ，前级电路应使 基极电位为 VCC/2，发射结电 位为 VCC/2 ，故电容上的电压 也 VCC/2。 单电源供电。 T1和 T2特性对称 工作时 ， T1和 T2轮流导通， 电路为射极跟随状态（ Uo=Ui） 。 二、单电源的互补对称功率放大电路 第六章 晶体管放大电路基础 R1 R2 T1 T2 RL C +UCC D1 D2 ui + 电阻 R1、 R2和 D1、 D2串联 接在电源与“地”之间， D1、 D2导通， 两二极管导通电压恰 好为晶体管提供了一定的偏置， 使两晶体管在静态时处于弱导 通状态，从而克服信号过零电 平时的交越失真。 第六章 晶体管放大电路基础 6.9.1 放大电路中的负反馈 电子电路输出量的一部分或全部通过一定的方式 引回到输入回路，影响输入量，称为反馈。 怎样引回 是从输出电压还是 输出电流 引出反馈 影响输入电压 还是输入电流 多少 怎样引出 6.9 放大电路中的负反馈 第六章 晶体管放大电路基础 从反馈的结果来判断，凡反馈的结果使输出 量的变化减小的为负反馈，否则为正反馈； 引入反馈后其变化是增大？ 还是减小？ 或者，凡反馈的结果使净输入量减小的为负 反馈，否则为正反馈。 第六章 晶体管放大电路基础 6.9.2 负反馈的类型及判断 按照反馈电路在放大电路输出端采样的信号 的不同，分为电压反馈和电流反馈。 如果反馈信号取自输出电压为电压反馈； 如果反馈信号取自输出电流为电流反馈。 1. 电压反馈和电流反馈及其判断 第六章 晶体管放大电路基础 电压反馈 电流反馈 电压反馈 电流反馈 第六章 晶体管放大电路基础 电压反馈和电流反馈的判断 仅受基极电 流的控制 反馈电流 电路引入了电流负反馈 第六章 晶体管放大电路基础 按照反馈信号在输入端与输入信号的比较形式 不同，分为串联反馈和并联反馈。 如果反馈信号与输入信号在输入回路中以电压 形式比较求和，即反馈信号与输入信号串联，为串 联反馈； 如果反馈信号与输入信号在输入回路中以电流 形式比较求和，即反馈信号与输入信号并联，为并 联反馈。 2. 串联反馈和并联反馈及其判断 第六章 晶体管放大电路基础 串联反馈 串联反馈 并联反馈 并联反馈 第六章 晶体管放大电路基础 只对交流信号起作用的反馈，称为交流反馈。 只对直流信号起作用的反馈，称为直流反馈。 对交直流信号都起作用的反馈为交直流反馈。 3. 交流反馈和直流反馈及其判断 第六章 晶体管放大电路基础 电路中有无反馈 是正反馈还是负反馈 是电压还是电流 是串联还是并联 4. 反馈组态的判断 第六章 晶体管放大电路基础 反馈组态快速判断方法 正负反馈： 反馈信号和输入信号，同点相遇同极性为正反馈； 异极性为负反馈； 异点相遇同极性为负反馈； 异极性为正反馈。 电压电流反馈： 反馈信号的取样点与电压输出端，连在一起为电压反馈； 不连在一起为电流反馈。 串并联反馈： 反馈信号和输入信号，异点相遇为串联反馈； 同点相遇为并联反馈。 第六章 晶体管放大电路基础 反馈的判断举例 1 仅受基极电 流的控制 电路引入了电流并联负反馈 反馈电流 第六章 晶体管放大电路基础 反馈的判断举例 2 图示电路有无引入反馈？是直流反馈还是交流反馈？是 正反馈还是负反馈？若为交流负反馈，其组态为哪种？ + _ _ + + + _ uF 引入了电流串联负反馈 第六章 晶体管放大电路基础 i i i XFAX XA FA A 1 f i i f XX XAA i o X XA 基本放大电路 的放大倍数 反馈系数 o f X XF 反馈放大电路的放大倍数 i o f X XA o i i XFX XA 6.9.3 负反馈对放大电路性能的影响 第六章 晶体管放大电路基础 一、提高放大倍数的稳定性 AF AA 1f A A AFA A d 1 1d f f 2 f )1( 1 d d AFA A 2f )1( dd AF AA 说明放大倍数减小到基本放大电路的 ， AF1 1 ）（ AF1放大倍数的稳定性是基本放大电路的 倍。 第六章 晶体管放大电路基础 二、改变输入电阻和输出电阻 1. 对输入电阻的影响 i i i i f i i i if i i i I AFUU I UU I U R I U R iif )1( RAFR 引入串联负反馈时 对输入电阻的影响仅与反馈网络与基本放大电路输入 端的接法有关，即决定于是串联反馈还是并联反馈。 第六章 晶体管放大电路基础 引入并联负反馈时 i i i f i i i i if i i i AFII U II U I U R I U R AF RR 1 i if 串联负反馈增大输入电阻，并联负反馈减小输入电阻。 。引入并联负反馈 ，或引入串联负反馈 时在 0 )( )1( if ifif R RR AF 第六章 晶体管放大电路基础 2. 对输出电阻的影响 AF RR 1 o of 引入电压负反馈时 对输出电阻的影响仅与反馈网络与基本放大电路输出 端的接法有关，即决定于是电压反馈还是电流反馈。 电压负反馈减小输出电阻，电流负反馈增大输出电阻。 o oo o o o of )( R AFUU U I U R 所取电流已在其 负载效应中考虑 第六章 晶体管放大电路基础 引入电流负反馈时 o o o of )1( RAFI UR AF R U I A F I R U I 1 )( o o o o o o o 所取电压已在其 负载效应中考虑 第六章 晶体管放大电路基础 四、减小非线性失真：思路 由于晶体管输入特性的非线性， 当 b-e间加正弦波信号电压时，基 极电流的变化不是正弦波。 可以设想，若加在 b-e之间 的电压正半周幅值大于负半 周的幅值，则其电流失真会 减小，甚至为正弦波。 第六章 晶体管放大电路基础 设基本放大电路的输出信号与输入信号同相。 可以证明， 在引入负反馈前 后输出量基波幅值相同的情况 下，非线性失真减小到基本放 大电路的 1/(1 AF)。 净输入信号的正半周幅值 小于负半周幅值