瞬态抑制二极管

图瞬态抑制二极管与其它过压保护技术的对比时间：2010年12月23日 来源作者：17ic编辑我要评论(0)推荐给朋友：请输入QQ号或者其它邮箱 图瞬态抑制二极管与其它过压保护技术的对比瞬态抑制二极管与其它过压保护技术的对比什么是瞬态抑制二极管？瞬态抑制二极管是用于保护敏感型电子设备免受高电压瞬变损害的电子元件。与大多数其他类型的电路保 护设备相比，它们可更快地应对过电压现象，可提供各类表面贴装和通孔电路板安装型号。该产品通过截面积大于常规二极管的p-n结将电压限制在一定范围(称为“钳位”装置)，可以将较大电 流导向地面，因此不会对元件造成持续损坏。瞬态抑制二极管通常用于保护传输或数据线路以及电子电路，使其免受雷击、感应负载开关和静电放电等 引起的电气过压损害。Littelfuse 瞬态抑制二极管适用于多种电路保护应用，但主要应用于保护电信、工业设备、计算机和消费 电子产品中的输入/输出接口。Littelfuse 瞬态抑制二极管的特性包括:增量浪涌电阻较低可提供单向和双向极性 反向断态电压介于 5 至 512V 之间 符合 RoHS 亚光锡无铅电镀标准 表面贴装型额定功率介于 400W 至 5000W 之间轴向引线型额定功率介于400W至30000W (30kW)之间提供6kA和10kA的高电流保护如需进一步了解 其他瞬态抑制技术及对比结果，请参阅Littelfuse应用说明书AN9768。与其他二极管技术的对比:传竦二後管电源控制齐铀二根曹& 1 哇雪两二极曾电源控制二极管类別适用于控制髙电流4从克流转换成交疣O常见于TO-220等犬型封装中口适用于调节电源洪应中的直疣电压-常见于中型及犬 型封装（轴向和TO-220 ） 适台保护易接祂崔击浪涌或因电气电路的机挾开关导C SADJ瞬誉电压揶过压保护致的瞬态电压等高能现象的电路EFT） o常见于中制誥（TV型封装（轴向和D0-214）二极管阵列属于类别更广泛的硅保护阵列（SPA）,二强管阵列过压保护旨在提供ESM呆护常见于示型表面贴装（S0IC-& S0T-Z3和 SC-了 口等）肯詩基二軽管电源控制适用于开关複式皑源的髙频C HF ）整貫.藍容二軽管射频调谐采用了结电容特性忧势的唯一已知的.工作特性的对比:二襁管类别反向击邸电压 叫吩申容（CjJ备注崔薮二皴管整鑫譽000-1500V銀高交疣至言疣转换齐铀二根管高达1DDV中到高调节直疣电源硅繫舎 II* 5暑）高达和W中雷击浪涌和瞬态电压保护二擾管阵列高达5W低(50pF)高频数据E装置结构的对比:肖特基二极管是通过将金属焊至半导体结上而形成。 从电气角度而言，该二极管是通过多数载流子进行导 电，在漏电流和正向偏压（VF）较低时能够快速响应。肖特基二极管广泛应用于高频电路。齐 纳二极管由重掺 P-N 半导体结制成。 有两种物理效应可称之为齐纳态（齐纳效应和雪崩效应）。 当P-N结上施加了很低的反向电压时，在量子效应下，P-N结将开始导电，这种现象称之为齐纳效应。当PN 结上施加的反向电压大于5.5伏时将发生雪崩效应。发生雪崩效应时，所产生的电子空穴对将碰撞格栅。基 于齐纳效应的齐纳二极管广泛用作电子电路中的基准电压源。瞬态抑制二级管由特制的P-N半导体结组成，可提供浪涌保护。PN结通常覆膜，以防在非导电状态下过 早出现电压弧闪。 出现瞬态电压时，瞬态抑制二级管开始导电，并通过雪崩效应钳制瞬态电压。 瞬态抑 制二极管广泛用作电信、通用电子设备、数码消费电子产品的电路过压保护装置，可提供雷击、静电放电 和其他瞬态电压保护。SPA表示硅保护阵列。该阵列集成了 PN结、SCR或采用多引脚结构封装的其他硅保护结构。SPA可用于 需要多种保护的电信、通用电子设备、数码消费电子产品，提供对静电放电、雷击和EFT的综合保护。例 如，它可用于HDMI、USB和以太网端口的ESD保护。