文献读后笔记

氢氧化镍_三维碳基复合材料的制备及其电化学性能-陈阳华东理工硕士论文1.三维石墨烯的制备加入蔗糖2200 m2g-12.有关NiO及不同形貌NiOH的制备3. NiO/3G 的比电容：1A455 Fg-12.5A-455 Fg-i5A-400 Fg-i10A-4164.三维石墨烯的制备不加蔗糖180oC反应釜2h -一冷冻干燥270m2g1A185 Fg5. NiOH 纳米线/3G： 1A-1664 Fg-1 纯 NiOH 纳米线：1A-908 Fg-i水热法制备NiOH纳米线/层状石墨烯：1A-1400 Fg-1 6. 因为三维结构的石墨帰相比于普通的石墨烯具有多孔的三维结构和更高的比表面积，三维多孔结构能够缩短电子和质子的传输距离，在快速充放电中有利于电解液离子的扩散，从而提髙氢氧化镍的利用率53。三维多孔结构能够缩短电子和质子的传输距离，在快速充放电中有利于电解液离子的扩散53。此外，大的比表面积有利于増加活性物质和电解液的接触表面积18，提高氨氧化锦的利用率从而增大了材料的比电容7.在40Ag-i仍然具有较高的比电容(1008 Fg-i),有利于维持电容器的高 功率密度。这主要得益于3DG的多孔结构及复合材料的介孔分布提供了电解液离子在快速充放电时的传输通道和传递/反应的界面53。以三维结构的石墨締作为高功率密度骨架和一维纳米线结构的氢氧化镍作为高能量密度的外延形成的复合材料具有较高的电化学性能。8.泡沫石墨在电流密度1、2.5、5、10 Ag-i下的比电容分别是113、105、98、93 Fg-1,氢氧化镍纳米线在电流密度1、2.5、5、10 Ag-i下的比电容分别是 908、786、716、668 氢氧化镍纳米线/泡沫石墨复合材料在电流密度1、2.5、5、10 Ag-i下的比电容分别是2144、1780、1853、1668Fg-i,其比电容要高于现在报道的氢氧化镍纳米线/石墨烯54（在1Ag-i电流 密度下为1700F*-1）。