《D磁控设备方案》doc版

JGP560D型超高真空多靶磁控溅射镀膜系统一主要技术性能指标1.真空室结构及尺寸1.1本系统为带有空气锁的三室结构的溅射系统，即由多层膜溅射室离子溅射室、进样室（或称样品予处理室）和磁力进样机构组成。主溅射室与离子溅射室共用一个进样室。三个室成90分布，系统型号JGP560D型。1.2多层膜溅射室：约560250（mm）为梨型全不锈钢结构，外表喷丸亚光处理。上盖电动提升，前面与侧面各装一个观察窗,一个四芯引线，侧壁还留有CF50备用法兰一个，CF35备用法兰二个，二个进气阀法兰等。底面装有六个磁控靶（同时每三只可同时共贱射沉积），其余各口均按超高真空系统设计，采用金属密封。1.3离子溅射室：约450350（mm）为圆形全不锈钢结构，外表喷丸亚光处理。上盖电动提升，前面与侧面各装一个观察窗,一个四芯引线，侧壁还留有CF50备用法兰一个，CF35备用法兰一个，进气阀法兰等。侧面装有溅射离子源一只，辅助沉积离子源一只，四工位转靶一只。侧面法兰为金属密封，可内烘烤100150。除大法兰密封口动密封采用氟橡胶圈密封外，其余各口均按超高真空系统设计，采用金属密封。1.4进样室：约250L400（mm）为圆筒式前开门不锈钢卧式结构，外表喷丸哑光处理。上面开有反溅靶法兰、退火炉法兰、样品库法兰、烘烤照明引线法兰、观察窗门法兰、进气法兰、放气阀法兰、备用法兰等，各法兰密封口均采用氟橡胶圈密封。2.真空获得及测量2.1多层膜溅射室采用FB600型分子泵+2XZ-8型机械泵抽气。 离子溅射室采用FB600型分子泵+2XZ-8型机械泵抽气。进样室采用FB600型分子泵+2XZ-8型机械泵抽气。2.2系统极限真空多层膜溅射室：系统经烘烤后连续抽气极限真空可达210-5Pa。离子溅射室：系统经烘烤后连续抽气极限真空可达210-5Pa。进样室：极限真空6.610-4Pa，从大气开始抽气，30分钟内真空度为6.610-3Pa。2.3系统漏率：多层膜溅射室、离子溅射室：停泵关机12小时后真空度1Pa。进样室：停泵关机12小时后真空度5Pa。2.4真空测量：多层膜溅射室、离子溅射室：两室共用DL-7数显超高计及ZDF数显复合计测量（全部采用金属规管）。进样室采用上述ZDF-2复合计，玻璃规管测量。 3. 靶的结构尺寸及成膜方式3.1 多层膜溅射室：靶在下，基片在上，向上溅射成膜。主溅射室下有六个靶枪位，安装六个磁控靶枪，其中二个靶枪可以溅射铁磁材料，靶材直径50mm，各靶枪均水冷。六个靶与基片距离为4080mm连续可调，并有调位距离指示。 3.2 Kaufman离子枪3.2.1溅射枪：30mm引出栅直径：30mm；离子束能量：0.41.9Kev连续可调；离子流密度：15mA/cm2；最大束流：60mA(短时间可加)；工作真空度：410-2Pa810-2Pa；如采用聚焦枪工作束流20 mA常规工作束流：2040mA；工作方式：离子源与四工位转靶呈45度照射靶材，向上溅射到转盘上的样品上成膜； 束流电压：01500eV连续可调；加速电压：0400eV连续可调。3.2.2辅助沉积枪：30mm引出栅直径：30mm；离子束能量：0.41.5Kev连续可调；离子流密度：13mA/cm2；最大束流：50mA(短时间可加)；工作真空度：410-2Pa810-2Pa；常规工作束流：2030mA；工作方式：辅助沉积离子源在离子束溅射室内，对与其呈30度角的转盘上的样片照射以清洗样品表面和增强沉积，提高成膜质量。束流电压：01100eV连续可调；加速电压：0400eV连续可调；3.2.3离子枪挡板：溅射枪和辅助沉积枪分别配有挡板。在离子枪的前面安装一挡板,由磁力转轴引入，手动控制。 3.2.4四工位转靶：3.2.5在转盘一个工位的下方安装一个四工位转靶，每一个工位安装一个靶材，靶材尺寸为7070mm，转靶通水冷却，靶材平面与溅射离子枪呈45。转靶由步进电机驱动，计算机控制转靶转动到不同的四个工位。3.2.5转靶挡板，转靶配有一个筒形挡板，由机械转轴驱动，手动。 4.衬底基片4.1多基片：样品库内可放置8片基片，采用基片架结构。基片为230mm。其中每个基片通过手动磁力传递机构送到各个工位。4.2 转盘：多层膜溅射室：为水冷加热转盘，可加偏压。在水冷加热转盘的六个样品位置中有一个加热炉位，能存放1片基片，并对其加热，最高温度400，可控可调。其余五个基片均为水冷。基片不自转，随转盘做周向180回转（公转）。4.2.1单基片：基片安放在加热炉上，加热炉为电阻丝式，样品加热温度：室温600，加热控温采用日本岛电公司的温度控制器。基片可自转，转速10-20转/分。4.2.2离子溅射室：为水冷加热转盘，可加偏压。在水冷加热转盘的六个样品位置中有一个加热炉位，能存放1片基片，并对其加热，最高温度400，可控可调。其余五个基片均为水冷。基片不自转，随转盘做周向180回转（公转）。4.3基片在进样室退火，退火温度：最高800可控可调。进样室还设有反溅靶，做清洗样品用。5. 挡板系统多层膜溅射室：两套挡板系统：基片挡板与靶挡板。基片挡板和靶挡板各开一个孔，靶挡板由氟橡胶转轴引入，步进电机驱动，计算机控制。样品挡板由手动控制换样品。离子溅射室：两套挡板系统：基片挡板与靶挡板。基片挡板和靶挡板各开一个孔，靶挡板由氟橡胶转轴引入，步进电机驱动，计算机控制。样品挡板由手动控制换样品。 6.采用计算机控制镀膜系统（也可手动控制）溅射镀膜过程采用计算机控制，具有：（1）复位功能（2）确认靶位功能（3）溅射镀膜时间控制功能（4）回转控制功能（5）靶的遮挡功能7.电源RF射频电源 N=500W,f=13.56MHz沈科仪 3台DC直流电源 N=500W 沈科仪 3台偏压电源 -200V 1台控温电源（多层膜溅射室1台，进样室离子溅射室1台转接） 2台8. 气路系统：两路MFC质量流量计控制器进气，备有混气室。进样室进气经质量流量控制器直接引入。MFC流量范围：100SCCM一路，200SCCM，一路。另在主溅射室和离子溅射室上不经质量流量控制器直接引一路气体。9、水压报警系统：系统配有水路及水压报警系统，用来对分子泵、磁控靶、水冷转盘等进行冷却，在水路上安装有水压继电器，一旦缺水或水压不足，将进行报警并切断相应电源，以防止损坏设备。10. 设备占地面积 ：主机15002500（毫米） 电控柜700700（毫米）二个11. 冷却水：水压12公斤/平方厘米，流量：1立方米/小时12. 电源：380V 50Hz 25A电源插座二个。13. 实验室要有良好的地线，电阻1二、设备主要组成：设备名称型号规格产地数量1.真空获得与测量：1.1涡轮分子泵FB600 600L/s（含电源）北京3台1.2机械泵2XZ-8 (8L/s)富斯特3台1.3闸板阀CF150沈科仪3台CF100沈科仪2台1.4电磁阀DF40北科仪3支1.5旁路抽气角阀CF35沈科仪3台1.6真空抽气管路（前级）不锈钢波纹管沈阳6套1.7主抽气管路(离子溅射室)150沈科仪1套1.8主抽气管路100沈科仪1套1.9真空测量计ZDF超高真空复合计成都2台ZDF-5227复合真空计成都1台金属规管成都4只2.真空室部分：2.1多层膜溅射室：2.1.1真空室560280（mm）沈科仪1台2.1.2磁控靶50（mm）永磁靶沈科仪4支50（mm）铁磁材料永磁靶沈科仪2支2.1.3基片转盘水冷与加热于一体沈科仪2套2.1.4靶挡板、基片挡板微机控制沈科仪2套2.1.5样品操做叉沈科仪1套2.1.6磁控靶隔离筒沈科仪6套2.1.7放气阀CF16沈科仪1支2.1.8观察窗：CF100、CF63、CF35沈科仪各12.1.9陶封电极：CF35四芯沈科仪1块2.2离子溅射室：2.2.1真空室450280（mm）沈科仪1台2.2.2考夫曼离子源（含电源）沈科仪2支2.2.3基片加热转盘沈科仪1套2.2.4靶挡板（微机控制）沈科仪3套2.2.5基片挡板（手动控制）沈科仪1套2.2.6样品操做叉沈科仪1套2.2.7放气阀CF16沈科仪1支2.2.8观察窗：CF100沈科仪1块2.2.9陶封电极：CF35四芯沈科仪1块2.3进样室：2.3.1进样真空室250L400(mm)沈科仪1台2.3.2样品库放置8片基片沈科仪1套2.3.3基片反溅清洗靶沈科仪1支2.3.4基片加热处理炉沈科仪1套2.3.5磁力样品传递机构L900mm沈科仪2台2.3.6放气阀CF16沈科仪1支2.3.7观察窗（兼做门用）100沈科仪1块2.3.8陶封电极：CF35四芯沈科仪1块3.计算机控制镀膜：计算机控制系统软件沈科仪1套计算机沈科仪1台4.电源：4.1RF射频电源：f=13.56MHz 500W沈科仪3台4.2DC直流稳流电源：N=500W沈科仪3台4.3DC直流偏压电源：-200V沈科仪1台4.4样品加热控温电源：日本产控温表沈科仪2台4.5步进电机及控制器：德国2台4.6挡板电机国产3台4.7控制电源：机械泵、电磁阀、水压报警、照明烘烤、真空室大法兰盖升降控制等。沈科仪1台4.8总控制电源机柜1.8M外购沈科仪, 2台5.气路系统：5.1MFC质量流量控制器.流量范围：0100SCCM0200SCCM北京2路5.2进气截止阀CF16沈科仪7支5.3快卸接头6浙江全套5.4不锈钢管路6MM沈科仪全套6辅助件及配件：6.1电动升降装置外购1套6.2安装机架沈科仪1台6.3氟橡胶圈外购全套6.4无氧铜圈沈科仪全套6.5不锈钢制螺钉螺母外购全套6.6相关备件三、设备报价价格：98万元（含包装运输保险费）付款方式合同正式签定生效后予付合同总额的40%，设备在沈阳初步验收合格后支付合同总额的50%，货物发到用户现场做最后验收，验收合格后一周内付清余款。四、培训1、培训时间：约1周2、培训人数：23人3、培训内容及要求：1） 了解设备的工作原理、组成及各部组件、控制系统的工作原理和使用方法2）熟练掌握整套系统的操作规程3）能够对设备的一般故障进行诊断和简单维修，进行易损件的更换4）对设备能够进行日常的维护和保养。五、售后服务及质量保证承诺：我公司将：严格按照并执行有关的质量标准，遵照质量体系所要求的，把好设计关、工艺关、研制关、安装调试关，按合同要求按时向用户提供一台完整的高质量的产品。并按时派人到甲方安装调试系统，同时负责培训23名用户方操作人员；自设备验收合格之日起，我方将保修一年，期间若因设备正常使用而发生的质量事故，我方将及时派人到用户处免费进行维修。若因用户操作失误造成的责任事故，我方维修后只核收工本费。保修期后，我方仍继续负责维修，维修后要核收工本费。六、相关的技术资料1、设备操作、维护使用说明书（1套）2、各类外购件使用说明书：3、设备结构原理图及关键部件结构图（1套）4、电控系统原理结构图（1套）5、设备外购件、配套件、标准件、易损件清单（1套）6、装箱单（1套）7、设备出厂合格检验证明（1套）七交货期自合同生效后收到第一笔予付款后5个月。 中国科学院沈阳科学仪器研制中心有限公司 联系人：金振奎 电话：024-23826899、13609870891 传真：024-238 Email： jzk319 2010年1月16日